晶片碗型的制作方法与流程

技术总结
本发明提供了一种晶片碗型的制作方法，步骤如下：线切割、双面研磨、倒角、清洗、退火、分选、贴片、铜抛、化抛和清洗。本发明主要针对产品加工面型，在确保衬底加工面型的统一性，让外延生长后的BOW值变化量尽量一致化，降低抛光片的BOW、WARP波动性，提升外延MOCVD段的性能和良率，从而提升外延生长的良率和性能。

技术研发人员：余胜军;卢东阳
受保护的技术使用者：江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司
技术研发日：2019.10.07
技术公布日：2020.01.21