技术总结
本发明是一种用于超级电容器电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍的制备方法。并首次将CoP3应用于超级电容器，属于超级电容器材料的合成与制备技术领域。本发明采用低温磷化的工艺制备应用于超级电容器的电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍具有合成过程简单、易控制、成本低、比容量高的优点。该发明制备的应用于超级电容器的Ni掺杂CoP3/泡沫镍电极材料具有分级结构和较大的比表面积，有利于缩短离子的传输路径，减小电极材料和电解液间的界面阻力，提供更多的活性位点，并且在碱性电解质中，能提供较高的比容量，在电化学储能方面显示出极大的潜力。
技术研发人员：姜晶;李志鹏;何欣芮;胡娅林;牛夷;周婷;王超
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2019.10.08
技术公布日：2020.02.07