陶瓷电子部件及其制造方法和陶瓷电子部件安装电路板与流程

本发明涉及层叠陶瓷电容器等陶瓷电子部件、该陶瓷电子部件的制造方法、和在电路板上安装有该陶瓷电子部件的陶瓷电子部件安装电路板。

背景技术：

层叠陶瓷电容器等陶瓷电子部件，通常在满足长度方向尺寸＞宽度方向尺寸的条件的长方体形的部件主体的长度方向的两端分别具有外部电极，但是，最近也已知使长度方向尺寸和宽度方向尺寸的大小关系反转的所谓lw反转型的陶瓷电子部件(参照后面记载的专利文献1的图4)。

另一方面，伴随着智能手机和笔记本型个人计算机等电子设备的薄型化，对于安装在电路板上的陶瓷电子部件，要求能够实现低高度安装(低安装高度)。即，为了在上述lw反转型的陶瓷电子部件中满足上述要求，需要使部件主体的高度方向尺寸减小。

上述lw反转型的陶瓷电子部件，在满足宽度方向尺寸＞长度方向尺寸的条件的长方体形的部件主体的长度方向的两端分别具有外部电极，因此，在外部电极为5面型(具有设置在部件主体的长度方向上的1个面上的第一面部、设置在部件主体的高度方向上的2个面的一部分上的第二面部和第三面部、以及设置在部件主体的宽度方向上的2个面的一部分上的第四面部和第五面部的所谓四方形帽状；参照后面记载的专利文献1的图4)的情况下，与长度方向交叉的方向上的弯曲强度一般高于部件主体的外形尺寸相同的通常类型的陶瓷电子部件。

但是，即使是上述lw反转型的陶瓷电子部件(外部电极为上述的5面型)，如果为了满足上述要求而使部件主体的高度方向尺寸减小，例如使其为150μm以下，则在施加有使陶瓷电子部件在与长度方向交叉的方向上折弯的外力时，特别在部件主体的宽度方向上的2个面上容易发生裂缝在高度方向上延伸的所谓裂缝延伸的现象，其结果是，陶瓷电子部件产生功能障碍的可能性变大。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-146669号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是，提供即使在lw反转型的陶瓷电子部件中使部件主体的高度方向尺寸减小的情况下，也能够抑制部件主体可能发生的裂缝延伸现象的陶瓷电子部件、陶瓷电子部件的制造方法和陶瓷电子部件安装电路板。

用于解决技术问题的手段

为了解决上述技术问题，本发明的陶瓷电子部件为在长方体形的部件主体的相对的两端分别具有外部电极的陶瓷电子部件，其特征在于：在设所述部件主体的第一组相对的2个面的相对方向为第一方向，第二组相对的2个面的相对方向为第二方向，第三组相对的2个面的相对方向为第三方向，且设沿着所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向的尺寸分别为第一方向尺寸、第二方向尺寸、第三方向尺寸时，所述部件主体的第一方向尺寸、第二方向尺寸和第三方向尺寸满足第二方向尺寸＞第一方向尺寸＞第三方向尺寸的条件，所述外部电极为5面型，具有：设置在所述部件主体的所述相对方向为所述第一方向的1个面上的第一面部；分别设置在所述部件主体的所述相对方向为所述第三方向的2个面的一部分上的第二面部和第三面部；以及分别设置在所述部件主体的所述相对方向为所述第二方向的2个面的一部分上的第四面部和第五面部，在所述外部电极的所述第四面部和所述第五面部中的至少一者的端缘，形成有从该端缘向所述第一面部凹陷的凹部，该凹部的第三方向上的两侧部分成为覆盖所述部件主体的所述相对方向为所述第二方向的2个面的棱部的覆盖部。

本发明的陶瓷电子部件的制造方法为上述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，所述外部电极的制作工序包括：步骤(s1)，在所述部件主体的表面形成基底导体层，该基底导体层形成在与所述第一面部、所述第二面部和所述第三面部、以及具有所述凹部和所述覆盖部的所述第四面部和所述第五面部对应的区域；和步骤(s2)，在所述基底导体层的表面形成至少1层的覆盖导体层。

本发明的陶瓷电子部件安装电路板的特征在于，在电路板上安装有上述的陶瓷电子部件。

发明效果

采用本发明的陶瓷电子部件、陶瓷电子部件的制造方法和陶瓷电子部件安装电路板，即使在陶瓷电子部件为lw反转型且已使部件主体的高度方向尺寸减小的情况下，也能够抑制部件主体可能产生的裂缝延伸的现象。

附图说明

图1的(a)是应用了本发明的陶瓷电子部件(层叠陶瓷电容器)的俯视图，图1的(b)是该陶瓷电子部件的仰视图，图1的(c)是该陶瓷电子部件的第二方向d2的侧视图，图1的(d)是该陶瓷电子部件的第一方向d1的侧视图。

图2的(a)是图1的(a)的s1-s1线剖面图，图2的(b)是图1的(a)的s2-s2线剖面图。

图3的(a)是图1的(c)的放大图，图3的(b)是图3的(a)的s3-s3线剖面图。

图4的(a)和图4的(b)是外部电极的制作方法例的说明图。

图5是将图1所示的陶瓷电子部件安装在电路板上的安装方法例的说明图。

图6是由图1所示的陶瓷电子部件可得到的作用效果的说明图。

图7的(a)和图7的(b)分别是表示图1所示的外部电极的凹部的形状变形例的图。

图8的(a)～图8的(c)是表示图1所示的外部电极的第二面部和第三面部的形状变形例的图。

附图标记说明

10……陶瓷电子部件，11……部件主体，12……外部电极，12a……第一面部，12b、12b’……第二面部，12c、12c’……第三面部，12d……第四面部，12d1、12d3、12d5……凹部，12d2、12d4、12d6……覆盖部，12e……第五面部，12e1、12e3、12e5……凹部，12e2、12e4、12e6……覆盖部。

具体实施方式

在下面的说明中，为方便起见，将图1所示的部件主体11的第一组相对的2个面的相对方向(图1的(a)、图1的(b)和图1的(c)中的左右方向)表述为“第一方向d1”，将部件主体11的第二组相对的2个面的相对方向(图1的(a)和图1的(b)中的上下方向、图1的(d)中的左右方向)表述为“第二方向d2”，将部件主体11的第三组相对的2个面的相对方向(图1的(c)和图1的(d)中的上下方向)表述为“第三方向d3”。

将各构成要素的沿着第一方向d1的尺寸表述为“第一方向尺寸d1[构成要素的附图标记]”，将各构成要素的沿着第二方向d2的尺寸表述为“第二方向尺寸d2[构成要素的附图标记]”，将各构成要素的沿着第三方向d3的尺寸表述为“第三方向尺寸d3[构成要素的附图标记]”。不过，在内部电极层11a、电介质层11b、电介质边缘部11c和11d、外部电极12等的说明中，为了促进理解，一并使用“厚度”的用语。另外，作为各尺寸所例示的数值，是指设计上的基准尺寸，不包含制造上的尺寸公差。

图1～图6是关于将本发明应用于层叠陶瓷电容器而得到的陶瓷电子部件10的图。这些图所示的陶瓷电子部件10属于背景技术中所说的lw反转型并且也能够实现低高度安装(低安装高度)，在长方体形的部件主体11的第一方向d1的两端分别具有外部电极12。

部件主体11的第一方向尺寸d1[11]、第二方向尺寸d2[11]和第三方向尺寸d3[11]满足第二方向尺寸d2[11]＞第一方向尺寸d1[11]＞第三方向尺寸d3[11]的条件。另外，部件主体11的各角部(省略附图标记)和各棱部rp具有微小的圆角。

部件主体11内置有矩形的多个内部电极层11a隔着电介质层11b在第三方向d3上层叠而成的作为功能部的电容部(省略附图标记)。如图2的(a)和图2的(b)所示，该电容部由位于第三方向d3的两侧的电介质边缘部11c和位于第二方向d2的两侧的电介质边缘部11d包围。

如图2的(a)所示，多个内部电极层11a在第一方向d1上交替地错开，从该图中的上方起第奇数个内部电极层11a的第一方向d1的一个端缘与一个外部电极12的第一面部12a连接，从该图中的上方起第偶数个内部电极层11a的第一方向d1的另一个端缘与另一个外部电极12的第一面部12a连接。

作为部件主体11的第三方向尺寸d3[11]的范围，考虑陶瓷电子部件10的低高度安装(低安装高度)，可以例示60～120μm或25～60μm。部件主体11的第一方向尺寸d1[11]和第二方向尺寸d2[11]，就与陶瓷电子部件10的低高度安装(低安装高度)的关系而言，没有特别的限制，但是，就与第三方向尺寸d3[11]的平衡而言，作为第一方向尺寸d1[11]的范围，可以例示200～800μm，作为第二方向尺寸d2[11]的范围，可以例示400～1600μm。

作为内部电极层11a和电介质层11b的厚度的范围，考虑陶瓷电子部件10的低高度安装(低安装高度)，可以例示0.3～4μm。作为电介质边缘部11c和11d的厚度的范围，考虑陶瓷电子部件10的低高度安装(低安装高度)，可以例示3～30μm。

另外，内部电极层11a的第一方向尺寸d1[11a]和第二方向尺寸d2[11a]以及内部电极层11a的总层数，可以与部件主体11的外形尺寸、目标静电电容值等相应地任意改变。作为能够实现低高度安装(低安装高度)的陶瓷电子部件10的目标静电电容值的范围，可以例示0.1～0.3μf或0.3～1.0μf。

作为电介质层11b以及电介质边缘部11c和11d的主要成分，可以例示钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、锆酸钙、锆钛酸钙、锆酸钡、氧化钛等电介质陶瓷。作为内部电极层11a的主要成分，可以例示镍、铜、钯、铂、银、金、它们的合金等金属。

也可以是电介质层11b的主要成分和电介质边缘部11c的主要成分可以不同，也可以是电介质层11b的主要成分、第三方向d3上的一个电介质边缘部11c的主要成分和第三方向d3上的另一个电介质边缘部11c的主要成分不同。

外部电极12为5面型，具有：设置在部件主体11的第一方向d1上(相对方向为第一方向d1)的1个面上的第一面部12a；分别设置在部件主体11的第三方向d3上(相对方向为第三方向d3)的2个面的一部分上的第二面部12b和第三面部12c；以及分别设置在部件主体11的第二方向d2上(相对方向为第二方向d2)的2个面的一部分上的第四面部12d和第五面部12e。即，陶瓷电子部件10可以将第三方向d3上的任一个面作为安装面(连接面)使用。另外，从第三方向d3看第二面部12b和第三面部12c时的第一面部12a侧的2个角部(省略附图标记)具有微小的圆角(例如曲率半径在10～150μm的范围内的圆角)或与该圆角相称的锥度。

也可以是如使用图8在后面说明的那样，第二面部12b和第三面部12c的端缘侧的2个角部的圆角大于第一面部12a的端缘侧的2个角部的圆角。

第二面部12b的第一方向尺寸d1[12b]、第三面部12c的第一方向尺寸d1[12c]、第四面部12d的第一方向尺寸d1[12d]的最大值、和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12e]的最大值相同或大致相同。

也可以是如使用图8在后面说明的那样，第二面部12b’和第三面部12c’的第一方向尺寸d1[12b’&12c’]大于第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12d&12e]。

在第四面部12d和第五面部12e中的至少一者的端缘、优选两者的端缘，形成有从该端缘向第一面部12a凹陷的凹部12d1和12e1，该凹部12d1和12e1的第三方向d3上的两侧部分成为覆盖部件主体11的第二方向d2上(相对方向为第二方向d2)的2个面的棱部rp的覆盖部12d2和12e2。

即，第四面部12d与第二面部12b及第三面部12c相连，因此，该相连部位成为覆盖棱部rp的覆盖部12d2，第五面部12e也与第二面部12b及第三面部12c相连，因此，该相连部位成为覆盖棱部rp的覆盖部12e2。另外，从第二方向d2看时，凹部12d1和12e1的形状为矩形。

也可以是如使用图7在后面说明的那样，从第二方向d2看时，凹部12d3和12e3以及凹部12d5和12e5的形状为v字形或u字形。

而且，凹部12d1优选形成在第四面部12d的端缘的第三方向d3的中央，凹部12e优选形成在第五面部12e的端缘的第三方向d3的中央。优选形成在第三方向d3的中央的理由在于，使在凹部12d1的第三方向d3的两侧存在的覆盖部12d2的第三方向尺寸d3[12d2]尽量相同，并且使在凹部12e1的第三方向d3的两侧存在的覆盖部12e2的第三方向尺寸d3[12e2]尽量相同。

作为第二面部12b、第三面部12c、第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12b、12c、12d&12e]的范围，可以例示部件主体11的第一方向尺寸d1[11]的1/10～4/10。

在将陶瓷电子部件10安装在电路板cb上的情况下(参照图5)，第二面部12b或第三面部12c成为与电路板cb的导体焊盘cba相对的部分，因此，该第二面部12b和第三面部12c的第一方向尺寸d1[12b&12c]优选最小确保50μm。此外，为了避免在安装时的软钎焊过程中第二面部12b彼此或第三面部12c彼此因焊锡sol而短路，第二面部12b的第一方向上的彼此间距离和第三面部12c的第一方向上的彼此间距离优选最小确保100μm。

作为凹部12d1和12e1的第一方向尺寸d1[12d1&12e1]的范围，可以例示第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12d&12e]的5～95％。如果使凹部12d1和12e1的第一方向尺寸d1[12d1&12e1]小于第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12d&12e]的5％，则难以获得后述的作用效果(抑制裂缝延伸)，如果使凹部12d1和12e1的第一方向尺寸d1[12d1&12e1]大于第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12d&12e]的95％，则凹部12d1和12e1的面积比例变大，第四面部12d和第五面部12e难以获得期望的强度。

当重视抑制裂缝延伸时，作为凹部12d1和12e1的第一方向尺寸d1[12d1&12e1]的范围，与第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12d&12e]的5～15％相比优选15～65％，与15～65％相比优选65～95％。

凹部12d1和12e1的开放端的第三方向尺寸d3[12d1&12e1]的范围，只要小于第四面部12d和第五面部12e的第三方向尺寸d3[12d&12e]，换言之，只要在凹部12d1和12e1的第三方向d3上的两侧存在覆盖部12d2和12e2，就没有特别的限制。凹部12d1和12e1的开放端与末端之间的第一方向中央位置的第三方向尺寸，优选为第四面部12d和第五面部12e的第三方向尺寸的40～95％，更优选为50～85％。

作为外部电极12的第一面部12a、第二面部12b、第三面部12c、第四面部12d和第五面部12e的厚度的范围，考虑陶瓷电子部件10的低高度安装(低安装高度)，可以例示10～18μm或2～10μm。

外部电极12为多层结构，具有：基底导体层；和覆盖基底导体层的表面的至少1层的覆盖导体层。覆盖导体层的层数没有特别的限制，就与外部电极12的各面部12a～12e的厚度的平衡而言，可以例示1～4层。关于外部电极12的主要成分，将包含层结构和形成方法在内，在后面记载的制造方法例中进行说明。

在此，对上述陶瓷电子部件10的优选制造方法例、特别是外部电极12的优选制作方法例进行说明。

陶瓷电子部件10主要经过下述工序制造：

·制作部件主体11的工序；和

·在部件主体11的第一方向d1的两端分别制作外部电极12的工序。

制作部件主体11的工序包括：将没有形成内部电极层图案的陶瓷生片和形成有内部电极层图案的陶瓷生片恰当地堆叠并进行热压接，从而形成可分割成多个的未烧制层叠片的步骤；将该未烧制层叠片分割而形成与部件主体11对应的未烧制分割片的步骤；研磨该未烧制分割片的步骤；和以与陶瓷材料和金属材料相应的气氛和温度曲线(temperatureprofile)对该未烧制分割片进行烧制的步骤。

制作外部电极12的工序包括：在部件主体的表面形成基底导体层的步骤；和在基底导体层的表面形成至少1层的覆盖导体层的步骤。在覆盖导体层为2层以上的情况下，在基底导体层的表面形成第一层的覆盖导体层，将第二层以后的覆盖导体层依次形成于在其之前形成的覆盖导体层的表面。

使用图4(内部电极层11a省略图示)以外部电极12为4层结构的情况为例进行详细说明，首先，在部件主体11的表面形成与第一面部12a、第二面部12b、第三面部12c、第四面部12d和第五面部12e对应的形状的基底导体层cf1。从第二方向d2看时，该基底导体层cf1的凹部cf1a的形状比第四面部12d和第五面部12e的凹部12d1和12e1小一圈。然后，在基底导体层cf1的表面形成第一覆盖导体层cf2，在第一覆盖导体层cf2的表面形成第二覆盖导体层cf3，在第二覆盖导体层cf3的表面形成第三覆盖导体层cf4。

基底导体层cf1和各覆盖导体层cf2～cf4的形成可以有选择地采用：利用丝网印刷法或浸渍法等方法涂敷至少含有金属粉末、有机溶剂和合成树脂粘合剂的金属膏并使其干燥后进行烧结的所谓烧结法；溅射或真空蒸镀等干式镀敷法；和电解镀敷或无电解镀敷等湿式镀敷法。从与外部电极12的各面部12a～12e的厚度、特别是第二面部12b及第三面部12c的厚度的平衡的角度考虑，优选通过烧结法和溅射的并用来形成基底导体层cf1，或者通过溅射来形成基底导体层cf1，考虑量产性，通过电解镀敷来形成各覆盖导体层cf2～cf4。

在通过烧结法和溅射的并用来形成基底导体层cf1的情况下，作为烧结膜和溅射膜的主要成分，可以例示铜、镍、银、金、铂、钯、锡、铬、钛、钽、钨、钼、它们的合金等金属。

在通过烧结法和溅射的并用来形成基底导体层cf1时，首先，在部件主体11的第一方向d1上(相对方向为第一方向d1)的1个面上形成烧结膜，该烧结膜的外周部分少许围裹在部件主体11的第二方向d2上(相对方向为第二方向d2)的2个面和第三方向d3上(相对方向为第三方向d3)的2个面上，接着，在部件主体11的第二方向d2上(相对方向为第二方向d2)的2个面和第三方向d3上(相对方向为第三方向d3)的2个面上形成溅射膜，该溅射膜与上述烧结膜相连并且具有图4的(a)所示的凹部cf1a，将其作为基底导体层cf1。在通过1次溅射难以形成期望的溅射膜的情况下，可以改变部件主体11的朝向等而进行2次以上的溅射。

在通过溅射来形成基底导体层cf1的情况下，作为溅射膜的主要成分，可以例示上述同样的金属。

在通过溅射来形成基底导体层cf1时，在部件主体11的第一方向d1上(相对方向为第一方向d1)的1个面、第二方向d2上(相对方向为第二方向d2)的2个面和第三方向d3上(相对方向为第三方向d3)的2个面上，形成具有图4的(a)所示的凹部cf1a的溅射膜，将其作为基底导体层cf1。在通过1次溅射难以形成期望的溅射膜的情况下，可以改变部件主体11的朝向等而进行2次以上的溅射。

通过烧结法和溅射的并用来形成基底导体层cf1的情况和通过溅射来形成基底导体层cf1的情况没有显著的优劣，如果非说不可的话，在前者的情况下，基底导体层cf1包含烧结膜，从而能够提高该基底导体层cf1相对于部件主体11的密合力。另一方面，在后者的情况下，基底导体层cf1的形成能够仅通过溅射进行，因此，能够有助于削减工时数。

在通过电解镀敷来形成各覆盖导体层cf2～cf4的情况下，作为各覆盖导体层cf2～cf4的主要成分，可以例示与基底导体层cf1相同的主要成分，但也可以是考虑彼此密合性，使第一覆盖导体层cf2的主要成分与基底导体层cf1的主要成分不同，使第二覆盖导体层cf3的主要成分与第一覆盖导体层cf2的主要成分不同，使第三覆盖导体层cf4的主要成分与第二覆盖导体层cf3的主要成分不同。

作为一个例子，可以列举使基底导体层cf1的主要成分为镍，使第一覆盖导体层cf2的主要成分为铜，使第二覆盖导体层cf3的主要成分为镍，使第三覆盖导体层cf4的主要成分为锡的组合。

在外部电极12为与上述的4层结构不同的2层结构、3层结构、5层结构的情况下，基底导体层和覆盖导体层的形成方法和主要成分也与上述的4层结构的情况同样。在使用焊锡sol将外部电极12与电路板cb的导体焊盘cba连接的情况下(参照图5)，优选使2～5层结构的外部电极12的最外侧的覆盖导体层的主要成分为与焊锡亲和性好的锡。

在将上述陶瓷电子部件10安装在电路板cb上时，如图5(将陶瓷电子部件10的第三方向d3上的图中的下表面作为安装面使用的情况)所示，通过印刷等在电路板cb上设置的与外部电极12对应的导体焊盘cba上涂敷焊锡膏，以外部电极12的第三面部12c与该焊锡膏接触的方式搭载陶瓷电子部件10。然后，将搭载陶瓷电子部件10后的电路板cb投入到回焊炉(reflowfurnace)(省略图示)中，经过预热步骤、正式加热步骤、冷却步骤，使外部电极12经由焊锡sol与导体焊盘cba连接。

就安装在电路板cb上的上述陶瓷电子部件10而言，如图6所示，因由热膨胀收缩或外力施加等引起的电路板cb的挠曲(参照图6中的双点划线)等，而对陶瓷电子部件10施加使该陶瓷电子部件10在与第一方向d1交叉的方向上弯曲的外力时，应力集中在陶瓷电子部件10的图6中用△标记表示的部位。

上述的应力集中通常可能成为裂缝产生的原因，但是因为在外部电极12的第四面部12d和第五面部12e中的至少一者的端缘、优选两者的端缘形成有从该端缘向第一面部12a凹陷的凹部12d1和12e1，所以即使在图6中用△标记表示的部位发生上述的应力集中，也能够利用凹部12d1和12e1将该应力在第三方向d3上的传递分散。因此，不易发生在部件主体11的第二方向d2上(相对方向为第二方向d2)的2个面上裂缝在第三方向d3上笔直地延伸的所谓裂缝延伸的现象。

在外部电极12的第四面部12d和第五面部12e中的至少一者的端缘、优选两者的端缘具有凹部12d1和12e1的情况下，虽然在上述的软钎焊过程中熔融焊锡会浸润至第四面部12d和第五面部12e的覆盖部12d2和12e2的表面，但是该浸润被凹部12d1和12e1遮断的可能性高。即，在浸润被遮断的情况下，如图5所示，外部电极12的第四面部12d和第五面部12e的表面成为避开凹部12d1和12e1附着有焊锡sol的形态，因此，利用该形态，能够缓和上述的在图6中用△标记表示的部位集中的应力在第三方向d3上的传递，从而使上述的裂缝延伸的现象更加不易发生。

此外，在外部电极12的第四面部12d和第五面部12e中的至少一者的端缘、优选两者的端缘具有凹部12d1和12e1的情况下，能够利用凹部12d1和12e1避免在上述的软钎焊过程中焊锡sol在第四面部12d彼此间或第五面部12e彼此间桥接而使两者导通的可能性提高，并且能够利用凹部12d1和12e1避免两者基于迁移(migration)而导通的可能性也提高。

而且，在外部电极12的第四面部12d和第五面部12e中的至少一者的端缘、优选两者的端缘具有凹部12d1和12e1的情况下，在其第三方向d3的两侧存在将部件主体11的第二方向d2上(相对方向为第二方向d2)的2个面的棱部rp沿着该棱部rp覆盖的覆盖部12d2和12e2，因此，与没有覆盖部12d2和12e2的情况相比，能够抑制在陶瓷电子部件10的流通过程或安装过程等中，部件主体11的第二方向上(相对方向为第二方向)的2个面的棱部rp产生缺损。

图7表示在上述的陶瓷电子部件10的外部电极12的第四面部12d和第五面部12e形成的凹部12d1和12e1的形状变形例。从第二方向d2看时，图7的(a)所示的凹部12d3和12e3的形状为v字形，位于第三方向d3的两侧的覆盖部12d4和12e4的形状也随着该v字形稍微变化。将v字形换句话说，是指在凹部中从其开放端向第一方向的端部去的2条直线所形成的角度小于90度。另外，从第二方向d2看时，图7的(b)所示的凹部12d5和12e5的形状为u字形，位于第三方向d3的两侧的覆盖部12d6和12e6的形状也随着该u字形稍微变化。将u字形换句话说，是指在凹部中其末端形成为曲线状。

将在上述的陶瓷电子部件10的外部电极12的第四面部12d和第五面部12e形成的矩形的凹部12d1和12e1改变为图7的(a)所示的v字形的凹部12d3和12e3的情况下，以及将其改变为图7的(b)所示的u字形的凹部12d5和12e5的情况下，也能够获得与上述同样的作用效果。

图8表示上述的陶瓷电子部件10的外部电极12的第二面部12b和第三面部12c的形状变形例。图8所示的第二面部12b’和第三面部12c’的第一方向尺寸d1[12b’&12c’]大于第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12d&12e]。作为从第一方向尺寸d1[12b’&12c’]减去第一方向尺寸d1[12d&12e]而得到的值的范围，即第二面部12b’的伸出部分12b1和第三面部12c’的伸出部分12c1的第一方向尺寸d1[12b1&12c1]的范围，可以例示第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12d&12e]的1/20～1/2。

在使第二面部12b’和第三面部12c’的第一方向尺寸d1[12b’&12c’]大于第四面部12d和第五面部12e的第一方向尺寸d1[12d&12e]的情况下，也可以使第二面部12b’和第三面部12c’的端缘侧的2个角部(省略附图标记)的圆角大于第一面部12a的端缘侧的2个角部(省略附图标记)的圆角。

在将上述的陶瓷电子部件10的外部电极12的第二面部12b和第三面部12c改变为图8所示的第二面部12b’和第三面部12c’的情况下，也能够获得与上述同样的作用效果。

上面，对将本发明应用于层叠陶瓷电容器而得到的陶瓷电子部件10进行了说明，本发明也可以应用于层叠陶瓷电容器以外的陶瓷电子部件，例如层叠陶瓷压敏电阻和层叠陶瓷电感器等。即，只要是属于背景技术中所说的lw反转型并且也能够实现低高度安装(低安装高度)的陶瓷电子部件，就能够应用本发明并获得与上述同样的作用效果。