1.一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件，其特征在于，包括n型衬底，n型衬底上方设置p型外延层，p型外延层上设置sn层和sp层，sn层和sp层通过深槽隔离。
2.根据权利要求1所述的低残压大浪涌单向骤回tvs器件，其特征在于，所述p型外延层与sn层和sp层之间设置pwell层。
3.根据权利要求1所述的低残压大浪涌单向骤回tvs器件，其特征在于，所述p型外延层与sn层和sp层之间设置nwell层。
4.根据权利要求1所述的低残压大浪涌单向骤回tvs器件，其特征在于，sn层的面积占整个芯片面积的的70％-90％，sp层的面积占整个芯片面积的的10％-30％。
5.根据权利要求1所述的低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制造方法，其特征在于，其包括：
步骤a：选取n+衬底/p型外延片；
步骤b：在p型外延层上进行光刻定义后，通过离子注入形成sn层；
步骤c：在p型外延层上进行光刻定义后，通过离子注入形成sp层；
步骤d：对sn层和sp层进行同时rtp退火，对注入元素进行激活；
步骤e：在p型外延层上干法刻蚀深隔离槽一直延伸到衬底并用lpteos填充深槽隔离；
步骤f:淀积一层sio2作为接触孔的介质；
步骤g：干法刻蚀接触孔和淀积金属。
6.根据权利要求5所述的一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制备方法，其特征在于：在步骤a之后，步骤b之前增加一步对p型外延层的pwell或nwell普注，无需光刻版。
7.根据权利要求5或6所述的一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制备方法，其特征在于：步骤a中，n+衬底/p型外延片，其中n+衬底的电阻率在0.001-0.006ohm，p型延的电阻率在0.015-0.15ohm之间，p型外延的厚度在5—10um之间。
8.根据权利要求5或6所述的一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制备方法，其特征在于：步骤b中，在p型外延层上进行光刻定义后，通过离子注入形成sn层，注入元素为p和as，注入剂量都在1e15-8e15之间，能量为50kev-80kev之间，sn层的面积占整个芯片面积的的70％-90％。
9.根据权利要求5或6所述的一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制备方法，其特征在于：步骤c中，在p型外延层上进行光刻定义后，通过离子注入形成sp层，注入元素为b，注入剂量都在1e15-8e15之间，能量为50kev-80kev之间,sp层的面积占整个芯片面积的的10％-30％。
10.根据权利要求5或6所述的一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制备方法，其特征在于：步骤d中，对sp和sn层进行rtp快速退火，温度为1000-1100度，时间控制在20-30s，对注入元素进行激活。
11.根据权利要求5或6所述的一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制备方法，其特征在于：步骤e：在p型外延层上干法刻蚀深隔离槽一直延伸到衬底，深隔离槽的深度为15—20um，深槽的cd在1.2um，深槽刻蚀后用lpteos填充达到隔离效果。
12.根据权利要求5或6所述的一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制备方法，其特征在于：步骤f:淀积一层sio2作为接触孔的介质，厚度在0.6um-0.8um。
13.根据权利要求5或6所述的一种低残压大浪涌单向骤回tvs器件的制备方法，其特征在于：步骤g：通过光刻定义和干法刻蚀出接触孔并淀积金属，金属为3-4.5um的alsicu；金属将正面的sn/sp互联。