一种介质波导滤波器的容性耦合结构及介质波导滤波器的制作方法

本申请涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种介质波导滤波器的容性耦合结构及介质波导滤波器。

背景技术：

随着现代通信技术的不断发展，对滤波器的性能指标要求也越来越高。介质波导滤波器因其尺寸小、q值高、成本低等特性在小型化集成度高的通信系统中获得了很好的应用。但随着多频系统的不断发展，对滤波器的频率选择特性和带外抑制特性的要求也越来越高。

然而，现有的滤波器在提高滤波器频率选择以及带外抑制特性方面存在实现方式复杂、调试困难等问题。

技术实现要素：

本申请的目的在于提供一种介质波导滤波器的容性耦合结构及介质波导滤波器，旨在解决现有的滤波器在提高滤波器频率选择以及带外抑制特性方面存在的实现方式复杂、调试困难等问题。

本申请实施例提供了一种介质波导滤波器的容性耦合结构，所述介质波导滤波器表面覆盖有第一金属镀层，所述容性耦合结构包括设于相邻的两个谐振单元之间的闭环缝隙，所述闭环缝隙的内设有两个盲孔，两个所述盲孔的内侧壁以及两个所述盲孔之间的介质本体表面区域设有第二金属镀层，所述第二金属镀层与所述第一金属镀层之间由所述闭环缝隙隔绝，且所述闭环缝隙使所述第二金属镀层形成一耦合探针。

可选的，两个所述盲孔分别靠近相邻的两个所述谐振单元。

可选的，两个所述盲孔的底面分别设有第三金属镀层。

可选的，相邻的两个谐振单元之间设有一凹槽，所述凹槽与所述谐振单元互不接触，两个所述盲孔分别位于所述凹槽内的相对两侧，所述闭环缝隙位于所述凹槽的内侧，所述凹槽的内侧壁设有第四金属镀层。

可选的，所述盲孔的形状为圆柱形或者棱柱形。

可选的，所述第一金属镀层与所述第二金属镀层的材料为金属银或者金属铜。

可选的，所述介质本体的材料为电介质材料。

可选的，所述介质本体的材料为陶瓷材料。

可选的，所述耦合探针位于耦合窗的中心线上。

本申请实施例还提供了一种介质波导滤波器，包括：介质本体、多个谐振单元、多个耦合窗以及如上述任一项所述的容性耦合结构。

本申请提供的介质波导滤波器的容性耦合结构及介质波导滤波器中，所述介质波导滤波器表面覆盖有第一金属镀层，所述容性耦合结构包括设于相邻的两个谐振单元之间的闭环缝隙，所述闭环缝隙内设有两个盲孔，两个所述盲孔的内侧壁以及两个所述盲孔之间的介质本体表面区域设有第二金属镀层，所述第二金属镀层与所述第一金属镀层之间由所述闭环缝隙隔绝，且所述闭环缝隙使所述第二金属镀层形成一耦合探针，从而使相邻的谐振单元发生容性耦合，解决了现有的滤波器在提高滤波器频率选择以及带外抑制特性方面存在的实现方式复杂、调试困难等问题。

附图说明

图1为本申请一实施例提供的介质波导滤波器的结构示意图；

图2为本申请的第一实施例提供的容性耦合结构的结构示意图；

图3为本申请的第二实施例提供的容性耦合结构的结构示意图；

图4为本申请的第二实施例提供的容性耦合结构的剖视示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

本申请实施例提供了一种介质波导滤波器，本实施例中的介质波导滤波器包括：介质本体、多个谐振单元、多个耦合窗以及设于任意相邻的两个谐振单元之间的容性耦合结构。

图1为本申请一实施例提供的介质波导滤波器的结构示意图，参见图1所示，在本实施例中，本实施例中的介质波导滤波器包括四个谐振单元和四个耦合窗，四个谐振单元分别为谐振单元111、谐振单元112、谐振单元113以及谐振单元114，其中，每一调谐单元包括一调谐盲孔，如图1所示，谐振单元111中包括调谐盲孔101，谐振单元112中包括调谐盲孔102，谐振单元113中包括调谐盲孔103，谐振单元114中包括调谐盲孔104。本实施例中的耦合窗11呈“十”字型，可以划分为四个子耦合窗，四个子耦合窗使介质本体10形成四个调谐单元，每个调谐单元中设置一调谐盲孔对其谐振频率进行调节，参见图1所示，本实施例的容性耦合结构形成于其中一个子耦合窗的顶部，且位于调谐盲孔103与调谐盲孔104之间，且该容性耦合结构与相邻的调谐盲孔103和调谐盲孔104互不干涉，该容性耦合结构可以为下述任一项实施例中的容性耦合结构。

图2为本申请的第一实施例提供的容性耦合结构的结构示意图，在本实施例中，介质波导滤波器表面覆盖有第一金属镀层，参见图2所示，本实施例中的容性耦合结构包括设于相邻的两个谐振单元之间的闭环缝隙401，所述闭环缝隙401内设有盲孔201和盲孔202，盲孔201和盲孔202的内侧壁以及盲孔201和盲孔202之间的介质本体表面区域12设有第二金属镀层，其中，第二金属镀层与第一金属镀层之间由闭环缝隙401隔绝，且所述闭环缝隙401使所述第二金属镀层形成一耦合探针。

在本实施例中，介质本体10上由耦合窗11形成多个谐振单元，每一谐振单元可以包括一调谐盲孔，通过形成闭环缝隙401并在闭环缝隙内形成耦合探针的方式在介质波导滤波器中引入金属耦合探针，具体的，参见图1所示，该闭环缝隙401位于调谐盲孔103和调谐盲孔104之间，该闭环缝隙401与调谐盲孔103和调谐盲孔104互不接触，由于介质波导滤波器表面由第一金属镀层覆盖，即介质本体10表面全部由第一金属镀层包裹，设置一无金属镀层的闭环缝隙401后，闭环缝隙401的包围圈内设有盲孔201和盲孔202，盲孔201和盲孔202内侧壁以及盲孔201和盲孔202之间的介质本体表面区域12上的金属镀层形成第二金属镀层，由于闭环缝隙401露出了介质本体，闭环缝隙401所形成的包围圈内的第二金属镀层与介质本体表面区域的第一金属镀层绝缘隔离，此时闭环缝隙401包围圈内的第二金属镀层可以形成一耦合探针，该耦合探针可以使相邻谐振单元容性耦合。

进一步的，在一个实施例中，可以通过对盲孔201和盲孔202之间的介质本体表面区域12上的金属镀层的形状进行调节，从而对相邻的谐振单元间的容性耦合强度进行调节，例如，可以通过对介质本体表面区域12上的第二金属镀层进行打磨，露出介质本体10，进而调节谐振单元113和谐振单元114间的容性耦合强度。

在一个实施例中，盲孔201和盲孔202分别靠近相邻的两个谐振单元。具体的，参见图2所示，盲孔201和盲孔202分别靠近相邻的两个谐振单元中的调谐盲孔103和调谐盲孔104，进一步的，盲孔201和盲孔202分别位于闭环缝隙401内相对的两侧。

进一步的，在一个实施例中，盲孔201和盲孔202分别与闭环缝隙401接触，且盲孔201和盲孔202相对设置，盲孔201和盲孔202的内侧壁覆盖有金属镀层。在本实施例中，可以通过调节盲孔201与调谐盲孔103的距离或者盲孔202与调谐盲孔104的距离对相邻的谐振单元之间的容性耦合进行调节，例如，盲孔201与调谐盲孔103的距离越近，盲孔202与调谐盲孔104的距离越近，相邻的谐振单元之间所产生的容性耦合就越强。

在一个实施例中，盲孔201和盲孔202的底部分别设有第三金属镀层。在本实施例中，相邻谐振单元之间的容性耦合强度可以由盲孔201和盲孔202的深度控制，其中，盲孔201和盲孔202的深度越深，相邻谐振单元之间的容性耦合强度越大。

进一步的，可以通过打磨第三金属镀层对谐振单元113与谐振单元114之间的容性耦合强度进行调节。

在一个实施例中，参见图3和图4所示，相邻的两个谐振单元之间设有一凹槽301，所述凹槽301与调谐盲孔互不接触，盲孔201和盲孔202分别位于凹槽301内的相对两侧，所述闭环缝隙401位于所述凹槽301的内侧，所述凹槽301的内侧壁设有第四金属镀层。

在本实施例中，凹槽301的底面内侧形成的无金属镀层的闭环缝隙401使盲孔201和盲孔202以及其之间的金属镀层形成一飞杆结构，该飞杆结构可以使相邻的谐振单元发生容性耦合。

进一步的，在本实施例中，可以通过调节凹槽301的长度对相邻谐振单元之间容性耦合的耦合量进行调节。进一步的，也可以由预先所需的耦合量确定凹槽301的长度。

在一个实施例中，盲孔201和盲孔202的形状为圆柱形或者棱柱形。

在一个实施例中，所述第一金属镀层与第二金属镀层的材料为金属银或者金属铜。

在本实施例中，第三金属镀层或者第四金属镀层的材料均可以为金属银或者金属铜中的至少一项。

在一个实施例中，所述介质本体10的材料为非导电材料。

在一个实施例中，所述介质本体10的材料为陶瓷材料。

在一个实施例中，盲孔201和盲孔202以及其之间的金属镀层形成的耦合探针位于耦合窗11的中心线位置，或者该耦合探针位于相邻的两谐振单元之间的中心线位置

进一步的，该耦合探针也可以形成于偏离耦合窗11中心线的位置或者偏离相邻的两谐振单元之间的中心线位置。

本申请提供的介质波导滤波器的容性耦合结构及介质波导滤波器中，所述介质波导滤波器表面覆盖有第一金属镀层，所述容性耦合结构包括设于相邻的两个谐振单元之间的闭环缝隙，所述闭环缝隙的包围圈内设有两个盲孔，两个所述盲孔的内侧壁以及两个所述盲孔之间的介质本体表面区域设有第二金属镀层，所述第二金属镀层与所述第一金属镀层之间由所述闭环缝隙隔绝，且所述闭环缝隙使所述第二金属镀层形成一耦合探针，从而使相邻的谐振单元发生容性耦合，解决了现有的滤波器在提高滤波器频率选择以及带外抑制特性方面存在的实现方式复杂、调试困难等问题。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。