技术总结
本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域，具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法，包括下列步骤：清洗杂质；生长介质层；利用掩膜版进行光刻；级联处图形化；刻蚀介质层；生长氮化钽；衰减电阻网络图形化；生长种子层；电镀共面波导；去除种子层。本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。本发明用于衰减电阻的制备。
技术研发人员：李强;朱光州;李孟委;吴倩楠;张世义
受保护的技术使用者：中北大学
技术研发日：2019.10.21
技术公布日：2020.01.17