技术总结
本发明提供一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法，制备方法包括：提供第一掺杂类型重掺杂的衬底，并于第一表面上形成第一掺杂类型轻掺杂的外延层；于外延层内形成阱区；于阱区内形成环绕JFET区的源区，并于环绕源区的阱区内形成接触区；于定义的JFET区进行所述第一掺杂类型的掺杂，形成JFET埋层式掺杂区；于外延层表面形成栅结构，并于所述栅结构表面沉积表面钝化层；形成与栅结构电连接的栅金属电极，于源区表面形成源金属电极，于衬底的第二表面形成漏金属电极。本发明在常规平面栅MOSFET功率器件的JFET区域进行N型离子注入后形成埋层式掺杂区，在降低JFET区电阻的同时，又可避免栅氧内电场强度提升，降低其击穿风险。
技术研发人员：王谦;柏松;杨勇
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2019.10.22
技术公布日：2020.01.07