1.一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于由1个微结构单元组成或由多个微结构单元以1个微结构单元为一个周期排列组成，所述的微结构单元由介质基板、谐振线圈、两个电容组成，所述的谐振线圈设置于所述的介质基板的上表面上，所述的谐振线圈由外半径从大到小的第一金属环、第二金属环、第三金属环内外嵌套而成，且所述的第一金属环和所述的第二金属环在上侧截断后串联连接构成外回路、所述的第二金属环和所述的第三金属环在下侧截断后串联连接构成内回路，所述的外回路与所述的内回路构成完整的闭合回路，两个所述的电容设置于所述的介质基板的下表面上，第一个所述的电容用于低频谐振点的调谐，第一个所述的电容的两端与所述的第一金属环和所述的第二金属环在上侧截断后串联的两个串联点一一对应连接，第二个所述的电容用于高频谐振点的调谐，第二个所述的电容的两端与所述的第二金属环和所述的第三金属环在下侧截断后串联的两个串联点一一对应连接。
2.根据权利要求1所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于所述的第一金属环和所述的第二金属环在上侧截断后形成一个外缺口，位于所述的外缺口的一侧的所述的第一金属环被截断的一端与所述的第二金属环被截断的一端之间通过第一上侧金属线连接、位于所述的外缺口的另一侧的所述的第一金属环被截断的另一端与所述的第二金属环被截断的另一端之间通过第二上侧金属线连接，使所述的第一金属环与所述的第二金属环串联连接构成所述的外回路，而所述的第一上侧金属线和所述的第二上侧金属线作为串联点；所述的第二金属环和所述的第三金属环在下侧截断后形成一个内缺口，位于所述的内缺口的一侧的所述的第二金属环被截断的一端与所述的第三金属环被截断的一端之间通过第一下侧金属线连接、位于所述的内缺口的另一侧的所述的第二金属环被截断的另一端与所述的第三金属环被截断的另一端之间通过第二下侧金属线连接，使所述的第二金属环与所述的第三金属环串联连接构成所述的内回路，而所述的第一下侧金属线和所述的第二下侧金属线作为串联点。
3.根据权利要求2所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于所述的介质基板的相对介电常数为2.2～6、损耗正切值为0.001～0.25，所述的介质基板的厚度为0.1mm～1.5mm、边长为8.5mm。
4.根据权利要求3所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于所述的第一金属环的外半径为2.5mm～4mm，所述的第二金属环的外半径为2.25mm～3.75mm，所述的第三金属环的外半径为2mm～3.5mm，所述的第一金属环、所述的第二金属环、所述的第三金属环的环宽均为0.1mm～0.3mm、厚度均为0.03mm～0.2mm，所述的第一金属环与所述的第二金属环之间的间隙距离、所述的第二金属环与所述的第三金属环之间的间隙距离均为0.15mm～0.45mm。
5.根据权利要求4所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于所述的外缺口和所述的内缺口的宽度均为0.5mm～1.2mm。
6.根据权利要求2所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于所述的第一上侧金属线、所述的第二上侧金属线、所述的第一下侧金属线、所述的第二下侧金属线宽度均为0.1mm～0.3mm。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于所述的电容选用高频贴片电容，第一个所述的电容与所述的外缺口的位置对应，第二个所述的电容与所述的内缺口的位置对应。
8.根据权利要求5所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于所述的电容的大小为0.1pf～3.5pf。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于多个所述的微结构单元以1个所述的微结构单元为一个周期排列成一行，或排列成一列，或排列成方阵，或排列成多个相同的方阵，多个所述的方阵依次排成一列构成多层方阵结构。
10.根据权利要求1所述的一种加载电容的可调谐双频负磁导率超材料，其特征在于所述的介质基板为单层电路板。