技术特征：
1.一种太阳能电池，包括半导体基片与金属电极，其特征在于：所述太阳能电池还包括依次层叠设置在所述半导体基片一侧表面的隧穿层、掺杂多晶硅层、减反射层，所述掺杂多晶硅层具有第一部分与第二部分，所述第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度，所述金属电极穿透所述减反射层并与所述第一部分相接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一部分的掺杂浓度为1e20～2e20cm-3
；所述第二部分的掺杂浓度为2e19～8e19cm-3
。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述掺杂多晶硅层的厚度设置为40～300nm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述隧穿层设置为氧化硅膜或氮氧化硅膜或由氧化硅膜与氮氧化硅膜两者相互层叠得到的复合膜，所述隧穿层的厚度设置为0.5～3nm。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于：所述隧穿层的厚度设置为1～2nm。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述减反射层包括第一减反射膜层、层叠设置在第一减反射膜层背离所述半导体基片一侧表面上的第二减反射膜层，所述第一减反射膜层的厚度小于第二减反射膜层的厚度，且所述第一减反射膜层的折射率大于第二减反射膜层的折射率。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池设置为双面电池；所述隧穿层、掺杂多晶硅层、减反射层依次层叠设置在所述半导体基片的背面。8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于：所述半导体基片的正面形成有扩散层，所述太阳能电池还包括层叠设置在所述扩散层表面的正面钝化层、正面减反射层以及贯穿所述正面钝化层、正面减反射层并与所述扩散层相接触的正面电极。9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于：所述扩散层包括位于所述正面电极下的重扩区、位于所述重扩区旁侧的轻扩区，所述重扩区的方阻设置为30～90ohm/squ，所述轻扩区的方阻设置为110～150ohm/squ。10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化层设置为al2o3膜层，所述al2o3膜层的厚度设置为3～10nm。11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述半导体基片为n型硅片，且所述半导体基片的电阻率设置为0.5～6ω
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cm。12.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：在半导体基片的一侧表面制备隧穿层；在所述隧穿层表面沉积制得多晶硅膜层，再对多晶硅膜层进行局部掺杂得到掺杂多晶硅层；在所述掺杂多晶硅层表面制备减反射层；制备金属电极，所述金属电极穿透所述减反射层并与所述掺杂多晶硅层相接触。13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于：所述“对多晶硅膜层进行局部掺杂得到掺杂多晶硅层”，包括在所述多晶硅膜层的局部表面设置固态源，加热扩散得到掺杂多晶硅层。14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于：所述固态源采用al(po3)3，所述“加热扩散得到掺杂多晶硅层”过程的反应温度设置为800～950℃。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在所述半导体基片的另一侧表面制备扩散层，所述扩散层与掺杂多晶硅层的掺杂类型相反，且所述扩散层包括重扩区、位于所述重扩区旁侧的轻扩区，所述重扩区的方阻小于轻扩区的方阻。16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在所述扩散层制备完成后，对所述半导体基片背离扩散层的一侧表面进行制绒。17.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于：所述隧穿层、掺杂多晶硅层、减反射层依次层叠设置在所述半导体基片的背面。18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在所述半导体基片的正面依次制备正面钝化层与正面减反射层。