剥离方法与流程

本发明涉及将光器件层从光器件晶片转移到移设部件的剥离方法，该光器件晶片具备基板、形成在基板上的多个光器件层、以及分别设置在基板和多个光器件层之间的缓冲层。

背景技术：

在形成led(发光二极管，lightemittingdiode)等光器件芯片时，例如在由蓝宝石、sic等形成的圆板状的基板的正面设定多条交叉的分割预定线，在由分割预定线划分出的各区域形成光器件。例如，通过在该基板的正面上使构成pn结的n型半导体层和p型半导体层外延生长，由此形成光器件。之后沿着分割预定线对基板进行分割时，能够形成光器件芯片。

在基板的分割中使用切削装置或激光加工装置等加工装置。例如，在使用激光加工装置对基板进行分割的情况下，照射具有对于该基板来说为吸收性的波长的激光光束而沿着分割预定线实施烧蚀加工，形成激光加工槽(参见专利文献1)。基板被分割而形成的各个光器件芯片通过规定的方法逐个进行拾取，安装于电子设备、其他基板等。

另外，作为在不进行基板的分割的情况下将光器件从基板移设的方法，已知有从基板分离包含n型半导体层和p型半导体层的光器件层的方法。例如，在基板的正面设置缓冲层，在缓冲层上通过外延生长而形成光器件层，之后从基板的背面侧照射透过基板的波长的激光光束。在利用激光光束破坏缓冲层时，能够将基板和光器件层分离(参见专利文献2)。

并且，在将基板和光器件层分离之前在光器件层的上表面接合移设部件时，通过分离，光器件层被移设至移设部件上。该方法也称为激光剥离法。从基板分离的光器件层在之后被分割成各器件。

需要说明的是，若在缓冲层与基板的界面附近无法通过激光光束将缓冲层充分破坏(变质)，则光器件层的剥离失败，因此以往在可靠地产生破坏(变质)的加工条件下对缓冲层照射激光光束。另外，为了缩短加工所需要的时间，也尽可能地提高激光光束每一次脉冲的能量密度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本特开2013-21225号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

形成在缓冲层上的光器件层按照每个器件进行分割来使用。能够在基板上预先按照各个光器件对缓冲层和光器件层进行分割时，在将光器件层移设到移设部件后不需要对光器件层等进行分割，因此光器件的形成变得容易。

但是，若通过分割除去各光器件间的缓冲层和光器件层，则在其后从基板的背面侧照射激光光束时，激光光束也会照射至各个光器件间的间隙中。在该间隙中，缓冲层被除去，激光光束未被缓冲层吸收，因此有可能受到照射至该间隙的激光光束的热影响而在附近的光器件层产生崩边、裂纹等损伤。

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供一种剥离方法，该剥离方法能够在不会带来损伤的情况下将以分割的状态载置在基板上的光器件层移设至移设部件。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种剥离方法，其特征在于，其包括下述步骤：缓冲层形成步骤，在基板的正面上形成缓冲层；光器件层形成步骤，在该缓冲层上形成光器件层；分割步骤，在该基板的正面上将该缓冲层和该光器件层按照各个器件进行分割；移设部件接合步骤，在按照各个器件进行分割的该光器件层的正面接合移设部件；缓冲层破坏步骤，在实施了该移设部件接合步骤后，使具有对于该基板来说为透过性、对于该缓冲层来说为吸收性的波长的脉冲激光从该基板的背面侧透过该基板而照射至该缓冲层，破坏该缓冲层；以及光器件层移设步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤后，从该基板分离该光器件层，由此将该光器件层移设至移设部件，在该缓冲层破坏步骤中，该脉冲激光每一次脉冲的能量密度为1.0mj/mm²以上5.0mj/mm²以下，该脉冲激光按照照射至与该光器件层重叠的全部的该缓冲层的方式来进行扫描。

优选在该缓冲层破坏步骤中，该脉冲激光进行2次以上的扫描。

另外，优选该移设部件为具有扩展性的带。

发明效果

本发明的一个方式的剥离方法中，在基板上隔着缓冲层形成光器件层。并且，在破坏缓冲层而剥离光器件层之前，将缓冲层和光器件层按照各个器件进行分割。

并且，在本发明的一个方式的剥离方法中，使该脉冲激光每一次脉冲的能量密度为1.0mj/mm²以上5.0mj/mm²以下。若激光光束每一次脉冲的能量密度为该范围，则即使对器件间的除去了缓冲层的区域照射激光光束，也能够在不会使光器件层等产生损伤的情况下破坏缓冲层而移设光器件层。

因此，根据本发明，提供一种剥离方法，该剥离方法能够在不会带来损伤的情况下将以分割的状态载置在基板上的光器件层移设至移设部件。

附图说明

图1的(a)是示意性示出缓冲层形成步骤和光器件层形成步骤的截面图，图1的(b)是示意性示出分割步骤的截面图。

图2是示意性示出载置有按照各个器件进行分割的光器件层的基板的立体图。

图3是示意性示出移设部件接合步骤的一例的立体图。

图4是示意性示出移设部件接合步骤的另一例的立体图。

图5是示意性示出缓冲层破坏步骤的立体图。

图6是示意性示出缓冲层破坏步骤的截面图。

图7是示出剥离方法的一例的流程图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式进行说明。图7是示出本实施方式的剥离方法的一例的流程图。该剥离方法中，通过缓冲层形成步骤s1在基板上形成缓冲层，通过光器件层形成步骤s2在缓冲层上形成光器件层。之后实施分割步骤s3，在基板的正面上将缓冲层和光器件层按照各个器件进行分割。

其后实施移设部件接合步骤，在按照各个器件进行分割的光器件层的正面接合移设部件。接着实施缓冲层破坏步骤s5，使具有对于基板来说为透过性、对于缓冲层来说为吸收性的波长的脉冲激光从基板的背面侧透过基板而照射至缓冲层，破坏缓冲层。进而实施光器件层移设步骤s6，从基板分离光器件层，由此将光器件层移设至移设部件。

首先对于缓冲层形成步骤s1和光器件层形成步骤s2进行说明。图1的(a)是示意性示出缓冲层形成步骤s1和光器件层形成步骤s2的截面图。缓冲层形成步骤s1中，在基板1的正面1a上形成缓冲层3。并且，光器件层形成步骤s2中，在缓冲层3上形成光器件层9。

对于基板1的材质、形状、结构、尺寸等没有限制。例如，作为基板1，可以使用半导体基板(硅基板、sic基板、gaas基板、inp基板、gan基板等)、蓝宝石基板、陶瓷基板、树脂基板、金属基板等。

光器件层9具备：由空穴是多个载流子的p型半导体构成的p型半导体层5、以及由电子是多个载流子的n型半导体构成的n型半导体层7。由p型半导体层5和n型半导体层7构成pn结，得到能够通过空穴与电子的再结合而发光的光器件。

缓冲层3是在后述的缓冲层破坏步骤s5通过脉冲激光的照射而被破坏的层，其作为用于将基板1和光器件层9分离的分离层发挥功能。另外，缓冲层3例如具有抑制因基板1与p型半导体层5之间的晶格失配所致的缺陷的产生的功能，其材料根据基板1的晶格常数和p型半导体层5的晶格常数进行选择。

对于缓冲层3、p型半导体层5、n型半导体层7的材料没有限制，选择能够在基板1上形成光器件的材料。例如，可以使用蓝宝石基板、sic基板等作为基板1，在基板1上通过外延生长依次形成由gan构成的缓冲层3、由p型gan构成的p型半导体层5、由n型gan构成的n型半导体层7。各层的成膜可以使用例如mocvd(金属有机化学气相沉积，metalorganicchemicalvapordeposition)法、mbe(分子束外延，molecularbeamepitaxy)法等。

需要说明的是，在图1的(a)中示出了由p型半导体层5和n型半导体层7构成的光器件层9，但光器件层9的构成并不限于此。例如，也可以使用在p型半导体层5与n型半导体层7之间具备发光层、由该发光层放出光的光器件层9。

本实施方式的剥离方法中，接下来实施分割步骤s3，沿着上述分割预定线部分地除去缓冲层3和光器件层9，按照每个器件分割光器件层9等。图1的(b)是示意性示出分割步骤s3的截面图。缓冲层3和光器件层9的除去例如使用反应性离子蚀刻(rie；reactiveionetching)装置、电感耦合等离子体(icp；inductivelycoupledplasma)蚀刻装置等干蚀刻装置。

例如，在将基板1搬入到干蚀刻装置中之前，预先在基板1的正面1a上形成抗蚀剂膜，沿着该分割预定线部分地除去该抗蚀剂膜。之后，将基板1搬入到干蚀刻装置中，实施干蚀刻，除去在该抗蚀剂膜之间露出的光器件层9和缓冲层3。之后从干蚀刻装置中搬出基板1，除去抗蚀剂膜。需要说明的是，所使用的蚀刻剂和加工条件根据缓冲层3和光器件层9的材质适当地选择。

另外，也可以利用其他方法实施分割步骤s3。例如也可以通过在安装有具备圆环状的磨具部的切削刀具的切削装置中沿着该分割预定线切削基板1来实施。这种情况下，将基板1搬入到切削装置，使切削刀具绕着其贯通孔旋转，使切削刀具下降，以使得磨具部的下端成为达到基板1的正面1a的高度位置。之后使基板1和切削刀具相对移动，沿着分割预定线对基板1进行切削加工。

在实施分割步骤s3时，如图1的(b)所示，在基板1上留有经分割的光器件层9a(其包含按照各个器件分割出的p型半导体层5a和分割出的n型半导体层7a)、以及经分割的缓冲层3a。图2是示意性示出载置有按照各个器件进行分割的光器件层9a的基板1的立体图。

本实施方式的剥离方法中，接着实施移设部件接合步骤s4。图3是示意性示出移设部件接合步骤s4的立体图。移设部件接合步骤s4中，将移设部件13接合在按照各个器件进行分割的光器件层9a的正面。移设部件13例如为在实施后述的光器件层移设步骤s6后支承各个器件的板状部件。

移设部件13例如为由硅(si)、铜(cu)、砷化镓(gaas)、磷化镓(gap)或钼(mo)等材料形成的部件，是与基板1具有大致相同直径的圆板状的部件。在将移设部件13接合在形成于基板1的正面1a侧的光器件层9a的正面时，例如预先在移设部件13的接合面涂布粘接剂或蜡等。之后，将移设部件13载置于基板1上，一边加热一边向着基板1按压移设部件13。

或者，移设部件接合步骤s4中所使用的移设部件也可以为在分割半导体晶片而形成各个半导体器件芯片时所使用的被称为划片带的带。该带在一面具备粘接层。图4是示意性示出移设部件17为带的情况下的移设部件接合步骤s4的立体图。这种情况下，在移设部件17的形成有粘接层的粘贴面的外周部粘贴由金属等形成的圆环状的框架15，使移设部件17的粘贴面在框架15的开口部露出。

之后，使基板1的正面1a侧朝向在框架15的开口部露出的移设部件17的粘贴面，使基板1下降至移设部件17，将移设部件17粘贴于基板1。将基板1粘贴于移设部件17时，基板1的背面1b侧向外侧露出。下面以粘贴于框架15的带为移设部件17的情况为例继续说明本实施方式的剥离方法。

本实施方式的剥离方法中，在实施了移设部件接合步骤s4后实施缓冲层破坏步骤s5。缓冲层破坏步骤s5中，使具有对于基板1来说为透过性、对于缓冲层3a来说为吸收性的波长的脉冲激光从基板1的背面1b侧透过基板1而照射至缓冲层3a，破坏缓冲层3a。

需要说明的是，缓冲层3a的破坏例如是指构成缓冲层3a的材料的原子排列、分子结构等发生变化、或者缓冲层3a发生状态变化、缓冲层3a发生脆化。即，是指缓冲层3a变质。

图5是示意性示出缓冲层破坏步骤s5的立体图。缓冲层破坏步骤s5例如利用激光加工装置2实施，该激光加工装置2具备保持基板1的卡盘工作台4、以及对保持于卡盘工作台4的基板1照射脉冲激光8a的激光加工单元6。

卡盘工作台4例如在上表面具备与基板1同等程度的直径的多孔质部件，在内部具备一端通向该多孔质部件的吸引路(未图示)。并且，在该吸引路的另一端连接有吸引源(未图示)，在将基板1载置在卡盘工作台4上并使该吸引源工作时，负压通过该吸引路而作用于基板1，基板1被卡盘工作台4吸引保持。即，卡盘工作台4的上表面成为基板1的保持面。

激光加工单元6具备将脉冲激光8a照射至基板1的加工头8、以及能够拍摄基板1的照相机单元10。照相机单元10能够拍摄被卡盘工作台4吸引保持的基板1。在使用照相机单元10时，可以调整基板1与激光加工单元6的相对位置以及基板1的朝向，以使得脉冲激光8a照射至基板1的预定位置。

进一步对激光加工单元6进行详细说明。图6中示出了激光加工单元6的构成例、以及脉冲激光8a所照射的基板1的截面图。激光加工单元6具备：振荡出脉冲激光8a的激光振荡器12；使由激光振荡器12振荡出的脉冲激光8a向规定方向反射的反射镜14；以及使脉冲激光8a会聚在规定的聚光位置18的聚光透镜16。

激光振荡器12能够振荡出具有对于基板1来说为透过性、对于缓冲层3a来说为吸收性的波长的脉冲激光8a。例如，在基板1为蓝宝石基板、缓冲层3a为gan的情况下，可以使用能够振荡出波长257nm的激光的激光振荡器12。

例如，聚光透镜16被收纳在加工头8中。激光加工单元6和卡盘工作台4能够沿高度方向相对地移动，聚光透镜16的聚光位置18被定位在规定的高度。另外，卡盘工作台4和激光加工单元6能够在平行于卡盘工作台4的该保持面的方向上相对地移动。在一边将反复振荡出的脉冲激光8a照射至基板1一边使卡盘工作台4与激光加工单元6相对地移动时，能够对基板1扫描脉冲激光8a。

或者，激光加工单元可以利用恒流扫描仪扫描脉冲激光8a，在聚光透镜中使用远心fθ透镜对脉冲激光8a进行会聚。这种情况下，激光加工单元6可以具备2片反射镜14，可以通过改变反射镜14的朝向而在平行于卡盘工作台4的保持面的面内对聚光位置18进行扫描。

本实施方式的剥离方法中，在实施缓冲层破坏步骤s5之前实施分割步骤s3，因此将缓冲层3、以及包含p型半导体层5和n型半导体层7的光器件层9按照各个器件进行了分割。即，在实施缓冲层破坏步骤s4时，在基板1的正面1a形成了经分割的缓冲层3a、以及经分割的光器件层9a。经分割的光器件层9a包含经分割的p型半导体层5a和n型半导体层7a。

在缓冲层破坏步骤s5中，从基板1的背面1b侧照射脉冲激光8a，对于在基板1的正面1a侧形成的全部的缓冲层3a扫描脉冲激光8a。此时，脉冲激光8a也会照射到经分割的缓冲层3a之间的间隙中。脉冲激光8a照射到该间隙时，有可能由于脉冲激光8a的热影响而使附近的光器件层9a产生崩边、裂纹等损伤。

因此，若加工条件过强，则会由于在缓冲层3a之间的间隙中行进的脉冲激光8a而使光器件层9a产生损伤。另一方面，若加工条件过弱，则缓冲层3a不能被充分破坏，在后述的光器件层移设步骤s6中无法从基板1适当地剥离光器件层9a。因此，本实施方式的剥离方法中，利用不会使光器件层9a产生损伤等且能够破坏缓冲层3a的加工条件从基板1的背面1b侧照射脉冲激光8a。

并且，本实施方式的剥离方法中，着眼于照射至基板1的背面1b的脉冲激光8a每一次脉冲的能量密度，将该能量密度设为1.0mj/mm²以上5.0mj/mm²以下。脉冲激光8a每一次脉冲的能量密度为该范围时，不会使光器件层9a产生损伤等且能够破坏缓冲层3a。

为了使该能量密度为该范围，例如在激光振荡器12中振荡出每一次脉冲的能量为0.5μj～10μj的脉冲激光8a。之后将聚光透镜16的聚光位置18定位在从基板1的背面1b起向上方2.0mm～5.0mm的位置。此处，将从基板1的背面1b到聚光位置18的距离称为散焦量。

例如，在不利用本实施方式的剥离方法，而在基板1的正面1a的整个区域形成未经分割的缓冲层3并要破坏该缓冲层3的情况下，可以按照能够可靠地破坏缓冲层3的方式设定聚光位置18的高度。这种情况下，使聚光位置18对焦在基板1的背面1b、或者将聚光位置18的高度设定在比基板1的背面1b更靠近缓冲层3的位置。

与之相对，本实施方式的剥离方法中，为了使脉冲激光8a每一次脉冲的能量密度处于上述的范围，有意地使聚光位置18从基板1的背面1b向上方明显地分离。例如，可以将聚光位置18定位在距基板1的背面1b的距离为基板1的厚度的6倍～17倍的高度的位置。即，可以将散焦量设定在2.0mm～5.0mm的范围内，也可以将散焦量设定在基板1的厚度的6倍～17倍的范围内。

在缓冲层破坏步骤s5中，首先将粘贴于移设部件17(该移设部件17在外周部粘贴有框架15)的基板1隔着该移设部件17载置在激光加工装置2的卡盘工作台4的保持面上。此时，基板1的正面1a侧朝向保持面，背面1b侧向上方露出。接着，使卡盘工作台4的吸引源工作，对基板1进行吸引保持。

之后，将聚光透镜16的聚光位置18定位在基板1的背面1b的上方的规定位置，使脉冲激光8a从基板1的背面1b侧透过基板1而照射至缓冲层3a。之后，例如在激光加工单元6具备恒流扫描仪的情况下，按照脉冲激光8a照射至基板1的背面1b侧的所有区域的方式使脉冲激光8a在平行于基板1的背面1b的方向上移动来进行脉冲激光8a的扫描。此时，使聚光位置18以螺旋状从基板1的背面1b的中央移动至外周。

例如，将脉冲激光8a首先照射至基板1的背面1b的中心，一边在激光振荡器12中反复进行脉冲激光8a的振荡，一边使脉冲激光8a的被照射区域向基板1的径向外侧移动并同时绕着该中心旋转。此时，将脉冲激光8a的重叠率设为80％～95％的程度。在脉冲激光8a的扫描中，随着脉冲激光8a接近基板1的外周，使该被照射区域的旋转的速度降低，以使得重叠率恒定。

需要说明的是，在缓冲层破坏步骤s5中，脉冲激光8a的扫描可以实施2次以上，例如可以进行3次扫描(3次通行)。在脉冲激光8a的扫描实施2次以上的的情况下，聚光位置18的高度位置可以变化，也可以不变化。

在实施缓冲层破坏步骤s5而破坏缓冲层3a后，实施光器件层移设步骤s6，将光器件层9a从该基板1分离，由此将该光器件层9a移设至移设部件17。在光器件层移设步骤s6中，例如通过将基板1从移设部件17上除去，而从基板1分离光器件层9a。并且，各个光器件层9a留在移设部件17上。即，能够从基板1剥离光器件层9a。

在移设部件17使用带的情况下，可以在实施了光器件层移设步骤s6后实施将移设部件17向径向外侧扩展的扩展步骤。在将移设部件17向径向外侧扩展时，留在移设部件17上的各个光器件层9a之间的间隔变宽。因此，容易拾取各个光器件层9a。

本实施方式的剥离方法中，在从基板1剥离光器件层9a之前按照各个器件进行了分割，因此在剥离后无需进行光器件9a的分割。另外，在缓冲层破坏步骤s5中，破坏缓冲层3a的脉冲激光8a也照射至光器件层9a之间的间隙，但每一次脉冲的能量密度为上述的范围，因此能够在不损伤光器件层9a的情况下破坏缓冲层3a。

实施例

本实施例中，对于多个基板1在相同条件下实施从缓冲层形成步骤s1到移设部件接合步骤s4，制作多个样品。之后，按照每个样品改变照射至基板1的脉冲激光8a的照射条件来实施缓冲层破坏步骤s5，尝试利用脉冲激光8a破坏缓冲层3a，调查每一次脉冲的能量密度与加工结果的关系。

本实施例中，使用蓝宝石基板作为基板1。首先实施缓冲层形成步骤s1，在各基板1的正面1a上形成由gan构成的缓冲层3。接着实施光器件层形成步骤s2，通过外延生长依次形成由p型gan构成的p型半导体层5、以及由n型gan构成的n型半导体层7，由此形成光器件层9。

接着实施分割步骤s3，将缓冲层3和光器件层9按照各个器件进行分割。之后实施移设部件接合步骤s4，在载置于基板1的正面1a的光器件层9a上粘贴作为移设部件17的被称为划片带的带。此处，基板1的厚度为300μm、缓冲层3的厚度为1μm、光器件层9的厚度为5μm。各器件为10μm见方的矩形状、器件间的间隔为5μm。

接着，对各样品实施缓冲层破坏步骤s5。缓冲层破坏步骤s5使用图5所示的激光加工装置2。利用激光加工单元6从基板1的背面1b侧照射波长257nm的脉冲激光8a。波长257nm为对于基板1来说为透过性(能够透过基板1)的波长，并且为对于缓冲层3来说为吸收性(缓冲层3能够吸收)的波长。

并且，对于各样品，将聚光位置18距离基板1的背面1b的高度(散焦量)设定为2.0μm～2.5μm之间，将照射至背面1b的脉冲激光8a的光斑直径(圆形的被照射区域的直径)设定为50μm～65μm的范围。另外，将脉冲激光8a的照射周期设定为50khz～200khz的范围。

本实施例中，准备6份样品，在各加工条件下实施缓冲层破坏步骤s5，其后实施光器件层移设步骤s6。在各样品中，缓冲层破坏步骤s5中的脉冲激光8a每一次脉冲的能量密度如下表所示。下述的表中还示出了各样品的加工结果。

[表1]

在样品“比较例1”中，脉冲激光8a每一次脉冲的能量密度为约0.75mj/mm²。“比较例1”中，在实施光器件层移设步骤s6时，无法容易地从该基板1剥离光器件层9a，为了剥离光器件层9需要比较大的力。据认为这是由于在缓冲层破坏步骤s5中，缓冲层3未能被充分破坏所致的。并且由于需要比较大的力，因而在光器件层9a产生了损伤。

另外，在样品“比较例2”中，缓冲层破坏步骤s5中的脉冲激光8a每一次脉冲的能量密度为约5.27mj/mm²。“比较例2”中，在缓冲层破坏步骤s5中从基板1的背面1b侧照射脉冲激光8a时，一部分光器件层9a产生了损伤。据认为这是由于光器件层9a受到照射至经分割的缓冲层3之间的间隙的脉冲激光8a的热影响而产生了损伤。

在样品“实施例1”、“实施例2”、“实施例3”、“实施例4”中，缓冲层破坏步骤s5中的脉冲激光8a每一次脉冲的能量密度分别为约1.21mj/mm²、约1.51mj/mm²、约3.31mj/mm²、约4.97mj/mm²。在任一样品中均未确认到由于脉冲激光8a的照射所致的光器件层9a的损伤。另外，在实施光器件层移设步骤s6时，能够从该基板1容易地剥离光器件层9a。

根据本实施例确认到，使脉冲激光8a每一次脉冲的能量密度为1.0mj/mm²以上5.0mj/mm²以下时，能够在不会损伤光器件层9a的情况下从该基板1容易地剥离光器件层9a。

如上所述，根据本实施方式的剥离方法，提供一种能够在不会带来损伤的情况下将以分割的状态载置在基板1上的光器件层9a移设至移设部件17的剥离方法。即，在基板1的正面1a侧形成光器件层9后，首先对光器件层9进行分割，接着能够将以分割的状态载置在基板1上的光器件层9a移设至移设部件17。因此，在将光器件层9a移设至移设部件17后不需要进行光器件层9等的分割，因此光器件的形成变得容易。

需要说明的是，本发明并不限于上述实施方式的记载，可以进行各种变更来实施。例如，在上述实施方式中，对于在基板1上形成光器件层9，并对该光器件层9预先进行分割的情况进行了说明，但本发明的一个方式并不限定于此。例如，也可以在基板1上形成光器件层以外的构成ic或lsi的半导体器件层。

只要不脱离本发明的目的范围，上述实施方式的结构、方法等可以适当地变更来实施。

符号说明

1基板

1a正面

1b背面

3、3a缓冲层

5、5an型半导体层

7、7ap型半导体层

9、9a光器件层

11露出区域

13移设部件

15环状框架

17扩展带

19框架单元

2激光加工装置

4保持工作台

6激光加工单元

8加工头

8a脉冲激光光束

10照相机单元

12激光振荡器

14反射镜

16聚光透镜

18聚光点