1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底，所述基底划分为若干个芯片区域；
于所述基底上形成保护层，所述保护层覆盖所述芯片区域；
对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个凹槽，所述凹槽的深度小于所述保护层的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个所述凹槽包括如下步骤：
将第一光罩置于所述保护层的上方，所述第一光罩对应于所述芯片区域的区域内形成有若干个第一透光区域；
基于所述第一光罩于第一曝光剂量或第一曝光能量下对所述保护层进行第一次曝光；
对曝光后的所述保护层进行显影；显影后所述第一次曝光的曝光区域内的所述保护层被去除的厚度小于所述保护层的厚度。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底内还形成有切割道，所述切割道将所述基底划分为若干个所述芯片区域；所述切割道内形成有测试焊盘，所述保护层覆盖所述测试焊盘；进行第一次曝光之后且进行显影之前还包括如下步骤：
去除所述第一光罩；将第二光罩至于所述保护层的上方，所述第二光罩对应于所述测试焊盘的区域内形成有第二透光区域；
基于所述第二光罩于第二曝光剂量或第二曝光能量下对所述保护层进行第二次曝光；所述第二曝光剂量为第二次曝光的曝光区域内的所述保护层经后续显影后被完全去除的最小曝光剂量，所述第二曝光能量为第二次曝光的曝光区域内的所述保护层经后续显影后被完全去除的最小曝光能量；所述第二曝光剂量大于所述第一曝光剂量，所述第二曝光能量大于所述第一曝光能量。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个所述凹槽包括如下步骤：
将光罩置于所述保护层的上方，所述光罩对应于所述芯片区域的区域内形成有若干个透光图形，各所述透光图形内均包括若干个第一透光区域；
基于所述光罩对所述保护层进行曝光；
对曝光后的所述保护层进行显影；显影后所述第一透光区域对应的曝光区域内的所述保护层被去除的厚度小于所述保护层的厚度。
5.根据权利要求2或4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，若干个所述第一透光区域呈条状间隔排布、网格状排布或无规则排布。
6.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底内还形成有切割道，所述切割道将所述基底划分为若干个所述芯片区域；所述切割道内形成有测试焊盘，所述保护层覆盖所述测试焊盘；所述光罩对应于所述测试焊盘的区域内还形成有第二透光区域；显影后所述第二透光区域对应的曝光区域内的所述保护层被完全去除。
7.根据权利要求3或6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述基底上形成所述保护层之前还包括于所述基底的上表面形成钝化层的步骤；所述保护层形成于所述钝化层的上表面；曝光之后还包括如下步骤：将所述保护层固化；刻蚀去除对应于所述测试焊盘的区域内的所述钝化层及部分所述基底，以暴露出所述测试焊盘。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个所述凹槽之后还包括于所述保护层的上表面形成塑封层的步骤；所述塑封层的厚度大于所述凹槽的深度。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底划分为若干个芯片区域；
保护层，位于所述基底上，覆盖所述芯片区域；所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成有若干个凹槽，所述凹槽的深度小于所述保护层的厚度。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，若干个所述凹槽呈条状间隔排布、网格状排布或无规则排布。
11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层。
12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述基底内还形成有切割道，所述切割道将所述基底划分为若干个所述芯片区域；所述切割道内还形成有测试焊盘，所述保护层内形成有开口，所述开口暴露出所述测试焊盘。
13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层位于所述基底的上表面；所述保护层位于所述钝化层的上表面。
14.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括塑封层，所述塑封层覆盖所述保护层的上表面，且所述塑封层的厚度大于所述凹槽的深度。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的深度为所述保护层的厚度的1/3～3/4。