一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)相比，oled显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前，在手机、平板电脑、数码相机等显示领域，oled显示器已经开始取代传统的lcd显示器。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置，用以解决现有技术中像素由于particle异物导致的short不良，进而导致点灯画面显示亮点或暗点不良，严重影响画面品质的问题。

因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元包括位于衬底基板上层叠设置的遮光部、薄膜晶体管以及与所述遮光部电连接的阳极；其中，

在任意一个所述像素单元内，所述遮光部具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部，所述阳极具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部；

在相邻且发光颜色相同的两个所述像素单元内，其中一个所述像素单元内的第一延伸部和另一个所述像素单元内的第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域，且所述第一延伸部和所述第二延伸部相互绝缘。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述薄膜晶体管和所述阳极之间的钝化层，以及位于所述钝化层和所述阳极之间的平坦化层；所述第二延伸部通过贯穿所述平坦化层的第一过孔与所述钝化层接触。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述钝化层与所述平坦化层之间的色阻层，所述色阻层与所述交叠区域不重叠。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述遮光部与所述薄膜晶体管之间的缓冲层，位于所述缓冲层与所述钝化层之间的层间绝缘层，以及位于所述钝化层与所述第一延伸部之间的搭接部；

所述搭接部通过贯穿所述缓冲层和所述层间绝缘层的第二过孔与所述第一延伸部电连接，所述搭接部和所述第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述搭接部与所述薄膜晶体管的漏极同层设置。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在每一所述像素单元内，所述阳极通过贯穿所述钝化层的第三过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层的第四过孔与所述遮光部电连接。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一阵列基板。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。

相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板的检测方法，包括：

在点灯测试阶段，若存在异常像素单元，则通过激光熔融的方式使与所述异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与所述异常像素单元内的第二延伸部电连接，以使所述正常像素单元内的阳极与所述异常像素单元内的阳极导通。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述检测方法中，在激光熔融所述交叠区域对应的钝化层之前，还包括：

采用激光熔融所述薄膜晶体管的有源层，以断开所述薄膜晶体管。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置，本发明通过在任意一个像素单元内，将遮光部设置具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部，将阳极设置具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部；在相邻且发光颜色相同的两个像素单元内，其中一个像素单元内的第一延伸部和另一个像素单元内的第二延伸部在衬底基板上的正投影具有交叠区域，且第一延伸部和第二延伸部相互绝缘。这样在任意一像素单元内的缓冲层、有源层、ito等工艺过程中产生particle导致short不良时，可通过激光熔融的方式使与该发生short不良的异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与该异常像素单元内的第二延伸部电连接，即使异常像素单元内的阳极与正常像素单元内的阳极电连接，从而通过正常像素单元驱动异常像素单元正常发光，可以将亮点和暗点像素单元维修成正常的像素单元，提升画面的显示效果，并且本发明只需要改变遮光部和阳极的构图工艺，不需要增加其它工艺和膜层，实现维修异常像素单元的工艺较简单。

附图说明

图1为相关技术中阵列基板的俯视结构示意图；

图2为图1所示的阵列基板发生像素发光异常的示意图；

图3为本发明实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图之一；

图4为图3所示的阵列基板的俯视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图之二；

图6a-图6d为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法在执行每一步骤之后的剖面结构示意图；

图7为本发明实施例提供的阵列基板中每一像素单元的电容结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各层薄膜厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

相关技术中，如图1所示，oled的阵列基板包括位于衬底基板上的遮光部01、缓冲层02、栅极层03、有源层04、源漏电极层05和阳极层06，目前在array工艺制备上述膜层过程中，buffer(缓冲层01)、igzo(有源层04)、ito(阳极层06)等工艺中由于particle类异物容易导致igzo-gate/sd或ito-el电极之间的short类不良，如图1中的黑点位置处；在进行点灯测试时，如图2所示，导致点灯画面显示亮点或暗点不良，严重影响画面品质。在上述array、面板修复过程中，目前仅能将可见的线不良和亮点不良进行暗点化处理，无法维修成ok状态；在存在较多线不良和亮点不良时，即使能够维修，也会影响画面的显示效果(面板报废标准：暗点>10颗，亮点>0颗，线>0条)，导致面板报废处理。

有鉴于此，本发明实施例提供的阵列基板，如图3和图4所示，图3为本发明实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图，图4为图3所示的阵列基板的俯视结构示意图，包括呈阵列分布的多个像素单元，每一像素单元包括位于衬底基板1上层叠设置的遮光部2、薄膜晶体管3以及与遮光部2电连接的阳极4；其中，

在任意一个像素单元内，遮光部2具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部21，阳极4具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部41；

在相邻且发光颜色相同的两个像素单元内，其中一个像素单元内的第一延伸部21和另一个像素单元内的第二延伸部41在衬底基板1上的正投影具有交叠区域，且第一延伸部21和第二延伸部41相互绝缘；本发明实施例图3仅示意出相邻两个发光颜色相同的像素单元的部分结构，其中左侧的像素单元仅示意出其遮光部2具有向右侧像素单元方向延伸的第一延伸部21，而左侧像素单元的阳极4向左侧延伸的第二延伸部41没有示意出，右侧像素单元仅示意出其阳极4向左侧像素单元延伸的第二延伸部41，而右侧像素单元的遮光部2向右侧像素单元方向延伸的第一延伸部21没有示意出，图3仅是为了示意解释本发明。

本发明实施例提供的上述阵列基板，通过在任意一个像素单元内，将遮光部2设置具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部21，将阳极4设置具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部41；在相邻且发光颜色相同的两个像素单元内，其中一个像素单元内的第一延伸部21和另一个像素单元内的第二延伸部41在衬底基板1上的正投影具有交叠区域，且第一延伸部21和第二延伸部41相互绝缘。这样在任意一像素单元内的缓冲层、有源层、ito等工艺过程中产生particle导致short不良时，可通过激光熔融的方式使与该发生short不良的异常像素单元(如图3中右侧像素单元)相邻且发光颜色相同的正常像素单元(如图3中左侧像素单元)内的第一延伸部21与该异常像素单元内的第二延伸部41电连接，即使异常像素单元内的阳极4与正常像素单元内的阳极4电连接，从而通过正常像素单元驱动异常像素单元正常发光，可以将亮点和暗点像素单元维修成正常的像素单元，提升画面的显示效果，并且本发明只需要改变遮光部和阳极的构图工艺，不需要增加其它工艺和膜层，实现维修异常像素单元的工艺较简单。

需要说明的是，第一延伸部和第二延伸部相互绝缘是指在像素单元正常发光时，第一延伸部和第二延伸部之间具有绝缘层而不电连接，只有在像素单元发生异常(点灯画面显示亮点或暗点)的时候，才利用激光熔融第一延伸部和第二延伸部之间的绝缘层，因此在像素单元正常发光时，第一延伸部和第二延伸部不影响正常显示功能。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还包括：位于薄膜晶体管3和阳极4之间的钝化层5，以及位于钝化层5和阳极4之间的平坦化层6；由于阳极4膜层的膜厚较薄，为了保证在激光熔融第二延伸部41和第一延伸部21之间绝缘层时能够使第二延伸部41和第一延伸部21电连接成功，而不出现断线的风险，就需要在保证不影响正常显示时尽可能的降低第二延伸部41和第一延伸部21之间的绝缘层的厚度，因此将第二延伸部41通过贯穿平坦化层6的第一过孔01与钝化层5接触，这样可以使第二延伸部41和第一延伸部21之间减少一层平坦化层6，从而可以提高通过激光熔融使第二延伸部41和第一延伸部21电连接成功的概率。

在具体实施时，平坦化层的材料可以为树脂材料，树脂材料的平坦化层可以提高阳极与基板之间的附着力。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还包括：位于钝化层5与平坦化层6之间的色阻层7，色阻层7与交叠区域不重叠。具体地，本发明通过将色阻层7设置在钝化层5与平坦化层6之间，即采用的是底发射型发光，色阻层可以包括不同颜色的色阻，如红色(r)色阻、绿色(g)色阻和蓝色(b)色阻，还可以包括其它颜色如黄色色阻等，色阻层7与交叠区域不重叠，这样在发生异常像素单元时，通过激光熔融的方式使交叠区域的绝缘层熔融而使第二延伸部41和第一延伸部21电连接时，由于色阻层7与交叠区域不重叠，因此激光熔融不会破坏色阻层7的色阻。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还包括：位于遮光部2与薄膜晶体管3之间的缓冲层8，位于缓冲层8与钝化层5之间的层间绝缘层9，由于图3中的第二延伸部41与第一延伸部21之间具有钝化层5、层间绝缘层9和缓冲层8，使得第二延伸部41与第一延伸部21之间的距离较远，由于阳极4厚度较薄，因此在发生异常像素需要激光熔融使第二延伸部41与第一延伸部21电连接时，容易发生第二延伸部41与第一延伸部21搭接不成功的风险；因此，为了确保第二延伸部41与第一延伸部21能够搭接成功，如图5所示，本发明实施例提供的阵列基板还包括位于钝化层5与第一延伸部21之间的搭接部10；

搭接部10通过贯穿缓冲层8和层间绝缘层9的第二过孔02与第一延伸部21电连接，搭接部10和第二延伸部41在衬底基板1上的正投影具有交叠区域，这样通过预先设置与第一延伸部21电连接的搭接部10，使得搭接部10和第二延伸部41之间仅具有钝化层5，进一步降低第一延伸部21和第二延伸部41之间搭接的距离，因此在需要激光熔融搭接第一延伸部21和第二延伸部41时，仅需熔融钝化层5，可以保证第二延伸部41和搭接部10电连接成功，从而能够使第一延伸部21和第二延伸部41电连接成功，进一步提高通过激光熔融使第二延伸部41和第一延伸部21电连接成功的概率。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3和图5所示，薄膜晶体管3包括位于缓冲层8上依次层叠设置的有源层31、栅绝缘层32、栅极33、源漏极(源极34、漏极35)。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图5所示，搭接部10与薄膜晶体管3的漏极35同层设置。这样，只需要在形成薄膜晶体管3的漏极35时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成搭接部10与漏极35的图形，不用增加单独制备搭接部10的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3和图5所示，在每一像素单元内，阳极4通过贯穿钝化层5的第三过孔03与薄膜晶体管3的漏极35电连接，薄膜晶体管3的漏极35通过贯穿层间绝缘层9和缓冲层8的第四过孔04与遮光部2电连接。即本发明实施例中像素单元的阳极4是通过漏极35与遮光部2电连接，因此可通过正常像素单元向异常像素单元直接提供阳极电压和电流。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的检测方法，包括：

在点灯测试阶段，若存在异常像素单元，则通过激光熔融的方式使与异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与异常像素单元内的第二延伸部电连接，以使正常像素单元内的阳极与异常像素单元内的阳极导通。

本发明实施例提供的阵列基板的检测方法，在任意一像素单元内的缓冲层、有源层、ito等工艺过程中产生particle导致short不良时，可通过激光熔融的方式使与该发生short不良的异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与该异常像素单元内的第二延伸部电连接，即使异常像素单元内的阳极与正常像素单元内的阳极电连接，从而通过正常像素单元驱动异常像素单元正常发光，改善画面显示品质。

具体地，如图5所示，在点灯测试阶段，若存在异常像素单元(如图5中右侧像素单元)，则通过激光熔融的方式熔融第一延伸部21和第二延伸部41之间的钝化层5，使异常像素单元的第二延伸部41与搭接部10电连接，从而使与异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元(图5中左侧像素单元)内的第一延伸部21与异常像素单元内的第二延伸部41(图5中右侧像素单元)电连接，即使正常像素单元内的阳极4与异常像素单元内的阳极4导通。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在激光熔融交叠区域对应的钝化层之前，还包括：

采用激光熔融薄膜晶体管的有源层，以断开薄膜晶体管。

具体地，如图5所示，在点灯测试阶段，若存在异常像素单元(如图5中左侧像素单元)，在激光熔融交叠区域对应的钝化层5之前，首先采用激光熔融的方式熔融薄膜晶体管3的有源层31，以断开薄膜晶体管3。

下面通过具体实施例对图5所示的阵列基板的制作方法进行详细阐述。

(1)在衬底基板上沉积遮光部2，并且每一像素单元内的遮光部2具有向一个相邻且发光颜色相同的像素单元延伸的第一延伸部21，如图6a所示；

(2)在形成有遮光部2的衬底基板上沉积缓冲层，后续沉积金属氧化物薄膜如igzo材料，通过构图工艺形成有源层31图形，再沉积栅绝缘层(材料可以为sio2)，再沉积一层栅极金属层，此金属材料可为cu或al，通过涂胶-曝光-显影-刻蚀-光刻胶剥离，形成栅极33，其中在栅极33刻蚀完成后，进行栅绝缘层刻蚀，然后将栅极33未覆盖的栅绝缘层剥离以及对有源层31进行导体化，如图6b所示，图6b仅示意出有源层31和栅极33的图形；

(3)在形成有栅极33的衬底基板上沉积一层层间绝缘层(材料可以为sio2)，在与阳极4对应的区域通过刻蚀工艺在层间绝缘层和缓冲层内形成第四过孔04，在与第一延伸部21对应的区域通过刻蚀工艺在层间绝缘层和缓冲层内形成第二过孔02，如图6c所示；

(4)在层间绝缘层上方沉积一层金属层,此金属材料可为cu或al，通过构图工艺在第一延伸部21上方保留该金属层以形成搭接部10，再通过刻蚀-剥离等工艺形成源漏极(源极34、漏极35)，漏极通过第四过孔04与遮光部2电连接，然后在源漏极(源极34、漏极35)上方沉积一层钝化层(材料可以为sio2)，并在钝化层中与漏极35对应的区域形成第三过孔，如图6d所示；

(5)在钝化层上方沉积色阻层，在色阻层上方沉积平坦化层，并在平坦化层中与第一延伸部21对应的区域形成第一过孔，然后在平坦化层上方沉积ito电极层，通过涂胶-曝光-刻蚀-剥离一系列工序形成阳极4，并且阳极具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元延伸的第二延伸部41，如图4所示；阳极4和遮光部2通过第三过孔与漏极35电连接，如图7所示的电容结构，因此可通过正常像素向异常像素直接提供阳极电压和电流。

通过上述实施例一的步骤(1)至步骤(5)后可以得到本发明实施例提供的图5所示的探测面板。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。该显示面板解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处在此不再赘述。

本发明实施例提供的阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置，本发明通过在任意一个像素单元内，将遮光部设置具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部，将阳极设置具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部；在相邻且发光颜色相同的两个像素单元内，其中一个像素单元内的第一延伸部和另一个像素单元内的第二延伸部在衬底基板上的正投影具有交叠区域，且第一延伸部和第二延伸部相互绝缘。这样在任意一像素单元内的缓冲层、有源层、ito等工艺过程中产生particle导致short不良时，可通过激光熔融的方式使与该发生short不良的异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与该异常像素单元内的第二延伸部电连接，即使异常像素单元内的阳极与正常像素单元内的阳极电连接，从而通过正常像素单元驱动异常像素单元正常发光，可以将亮点和暗点像素单元维修成正常的像素单元，提升画面的显示效果，并且本发明只需要改变遮光部和阳极的构图工艺，不需要增加其它工艺和膜层，实现维修异常像素单元的工艺较简单。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。