1.一种方法，其包括：
图案化半导体衬底的表面以具有：
第一硅酸盐材料(103、203、303)，
所述第一硅酸盐材料(103、203、303)上的第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)；
所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)上的第二硅酸盐材料(106、206、306)；
所述第二硅酸盐材料(106、206、306)上的第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)；及
所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)上的牺牲材料(112、212)；在所述牺牲材料(112、212)上形成硬掩模材料(114、214)；
在穿过所述第一硅酸盐材料(103、203、303)、所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)、所述第二硅酸盐材料(106、206、306)、所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)、所述牺牲材料(112、212)及所述硬掩模材料(114、214)的开口(211、311、411、511、611)中形成电容器材料(216、316、416、516、616)；及
移除所述牺牲材料(112、212)及所述硬掩模材料(114、214)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述硬掩模材料(114、214)包括将所述硬掩模材料(114、214)形成到1,200埃的近似高度。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括使用cmp或鳄式切割中的一者将所述硬掩模材料(114、214)减少到500埃的高度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电容器材料(216、316、416、516、616)包括将所述电容器材料(216、316、416、516、616)形成到大于10,500埃的高度。
5.根据权利要求4所述的方法，其中图案化所述表面包括图案化所述表面使得所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)构成大于10,500埃的所述高度的至少8,600埃。
6.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述表面包括图案化所述表面使得所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)中的每一者的高度在2,000埃与6,000埃之间。
7.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述表面包括图案化所述表面使得：
所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)的高度在100埃与400埃之间；且
所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)的高度在100埃与1,500埃之间。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中图案化所述表面包括图案化所述表面使得所述牺牲材料(112、212)的高度在100埃与1,500埃之间。
9.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)中的一者包括硼磷硅玻璃bpsg材料及teos材料中的一者。
10.一种方法，其包括：
在半导体衬底上形成第一硅酸盐材料(103、203、303)；
在所述第一硅酸盐材料(103、203、303)上形成第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)；
在所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)上形成第二硅酸盐材料(106、206、306)；
在所述第二硅酸盐材料(106、206、306)上形成第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)；
在所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)上形成牺牲材料(112、212)；
在所述牺牲材料(112、212)上形成硬掩模材料(114、214)；
在穿过所述经形成的第一硅酸盐材料(103、203、303)、所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)、所述第二硅酸盐材料(106、206、306)、所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)、所述牺牲材料(112、212)及所述硬掩模材料(114、214)的开口(211、311、411、511、611)中沉积多个电容器材料(216、316、416、516、616)；及
移除所述牺牲材料(112、212)及所述硬掩模材料(114、214)以暴露多个电容器材料(216、316、416、516、616)柱中的每一者的顶部部分。
11.根据权利要求10所述的方法，其中：
移除所述牺牲材料(112、212)会沿至少700埃的宽度暴露所述电容器材料(216、316、416、516、616)柱的部分；且
移除所述硬掩模材料(114、214)会沿至少500埃的宽度暴露所述电容器材料(216、316、416、516、616)柱的部分。
12.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)、所述牺牲材料(112、212)及所述硬掩模材料(114、214)包括在所述硬掩模材料(114、214)与所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)之间形成所述牺牲材料(112、212)。
13.根据权利要求10所述的方法，其中：
形成所述牺牲材料(112、212)包括在所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)上沉积所述牺牲材料(112、212)；且
形成所述硬掩模材料(114、214)包括在所述牺牲材料(112、212)上沉积所述硬掩模材料(114、214)。
14.根据权利要求10所述的方法，其中移除所述硬掩模材料(114、214)及所述牺牲材料(112、212)包括蚀刻所述硬掩模材料(114、214)及所述牺牲材料(112、212)。
15.根据权利要求10到14中任一权利要求所述的方法，其中：
所述牺牲材料(112、212)包含tisin及tin中的一者；且
所述硬掩模材料包含多晶硅、碳、金属及氮化物中的一者。
16.根据权利要求10到14中任一权利要求所述的方法，其中：
所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)中的一者是由硼磷硅玻璃bpsg材料形成，所述bpsg材料包含掺杂有硼化合物(b2o3)及磷化合物(p2o5)的硅化合物(sio2)；且
所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)中的一者是由原硅酸四乙酯teos材料形成。
17.一种方法，其包括：
图案化半导体衬底的表面以具有：
第一硅酸盐材料(103、203、303)，
所述第一硅酸盐材料(103、203、303)上的第一氮化物材料(105、205、305、405、
505、605)；
所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)上的第二硅酸盐材料(106、
206、306)；
所述第二硅酸盐材料(106、206、306)上的第二氮化物材料(108、208、308、408、
508、608)；及
所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)上的牺牲材料(112、212)；
在所述牺牲材料(112、212)上形成大于800埃的高度的硬掩模材料(114、214)；
将所述硬掩模材料(114、214)减少到200埃与800埃之间的高度；
在穿过所述第一硅酸盐材料(103、203、303)、所述第一氮化物材料(105、205、305、405、505、605)、所述第二硅酸盐材料(106、206、306)、所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)、所述牺牲材料(112、212)及所述硬掩模材料(114、214)的开口(211、311、411、511、611)中形成电容器材料(216、316、416、516、616)；及
移除所述牺牲材料(112、212)及所述硬掩模材料(114、214)。
18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
利用选择性溶剂移除所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)；
留下所述电容器材料(216、316、416、516、616)；及
留下所述第一氮化物材料及所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)作为电容器支撑结构。
19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
利用选择性溶剂移除所述第一硅酸盐材料(103、203、303)及所述第二硅酸盐材料(106、206、306)；
留下具有形成在其外表面上的第一电极材料的所述电容器材料(216、316、416、516、616)；及
留下所述第一氮化物材料及所述第二氮化物材料(108、208、308、408、508、608)作为电容器支撑结构。
20.一种通过根据权利要求17到19中任一权利要求所述的方法形成的存储器装置的部分，其中：
所述存储器装置包括存储器单元，所述存储器单元包含：
电容器，其作为数据存储元件，所述电容器由所述电容器支撑结构支撑；及
存取装置，其经耦合到所述至少一个电容器。