湿刻装置及基板湿刻方法与流程

本发明涉及显示面板领域，尤其涉及一种湿刻装置及基板湿刻方法。

背景技术：

在显示面板的制程中，湿刻是指使刻蚀液与基板表面的材料选择性的接触，从而发生反应，得到特定图案的过程。因此，反应物的相互接触、反应的均匀发生、以及反应产物的向外扩散都是面板制程中十分重要的影响因素。

目前所使用的湿刻机台的流片均沿着同一方向的相同高度下进行，若反应后得到一些尺寸较小的深孔，由于置换作用的不足，一方面，反应产物很难从孔中扩散出来，从而将造成了反应产物残留的风险；另一方面，孔内的反应材料由于无法与刻蚀液有效接触，会造成刻蚀不完全的情况。

因此，现有显示面板存在湿刻过程中反应物残留以及刻蚀不完全的问题，需要解决。

技术实现要素：

本发明提供一种湿刻装置及基板湿刻方法，以缓解现有显示面板存在湿刻过程中反应物残留以及刻蚀不完全的问题。

为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种湿刻装置，包括：

一种湿刻装置，其特征在于，包括：

刻蚀腔；

刻蚀液，容纳于所述刻蚀腔内；

腔内传送构件，设置于所述刻蚀腔内；

在刻蚀过程中，所述腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角。

在本发明提供的湿刻装置中，所述锐角的大小为5°-30°。

在本发明提供的湿刻装置中，在传送待湿刻基板时，所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔入口部分的水平高度，大于所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔出口部分的水平高度。

在本发明提供的湿刻装置中，所述腔内传送构件为传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件中的任意一种。

在本发明提供的湿刻装置中，所述腔内传送构件为固定设置。

在本发明提供的湿刻装置中，所述传送带构件包括传送带以及位于所述传送带两端，驱动所述传送带的转动轴，靠近所述刻蚀腔出口处的所述转动轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。

在本发明提供的湿刻装置中，靠近所述刻蚀腔入口处的所述转动轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。

在本发明提供的湿刻装置中，所述传送轴构件包括传送轴，所述传送轴均为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。

在本发明提供的湿刻装置中，所述传送轴构件包括传送轴，存在至少一个所述传送轴为固定设置，且存在至少一个所述传送轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。

同时，本发明提供一种基板的湿刻方法，所述湿刻方法采用上述任一所述的湿刻装置进行，包括：

在刻蚀腔内循环注入刻蚀液；

将待刻蚀基板传送至所述刻蚀腔内，所述基板上设置有待刻蚀膜层的一侧竖直朝上；

通过腔内传送构件，将所述基板在所述刻蚀腔内传送，让所述刻蚀液对所述待刻蚀膜层进行刻蚀；

将刻蚀后的所述基板传送出所述刻蚀腔。

本发明的有益效果为：本发明提供一种湿刻装置及面板湿刻方法，该湿刻装置包括刻蚀腔、刻蚀液、以及腔内传送构件，在刻蚀过程中，腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角；通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的湿刻装置的结构示意图。

图2为图1为局部放大示意图。

图3为本发明实施例提供的湿刻装置的第一种结构示意图。

图4(a)为本发明实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第一状态下的结构示意图。

图4(b)为本发明实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第二状态下的结构示意图。

图4(c)为本发明实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第三状态下的结构示意图。

图5为本发明实施例提供的湿刻装置的第三种结构示意图。

图6(a)为本发明实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第一状态下的结构示意图。

图6(b)为本发明实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第二状态下的结构示意图。

图6(c)为本发明实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第三状态下的结构示意图。

图7为本发明实施例提供的湿刻装置的第五种结构示意图。

图8为本发明实施例提供的基板的湿刻方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。

本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

湿刻是通过待刻蚀对象材料与刻蚀液之间的化学反应，对待刻蚀对象材料进行刻蚀的过程。在湿刻过程中，刻蚀液不断被消耗，与待刻蚀对象材料不断反应生成反应物，待刻蚀对象周围不断形成浓度梯度，促使新的刻蚀液不断向待刻蚀对象输送，并将反应生成物从其表面除去，从而使新的刻蚀液与待刻蚀对象材料接触。

在显示面板的制备工艺中，湿刻主要包括对光刻胶的显影过程，和对金属导电膜的湿刻蚀过程。

光刻胶的显影过程是指将被曝光的正性光阻，或未被曝光的负性光阻溶解到显影液中，从而去除的过程。在该过程中，刻蚀液为显影液，正性光阻的刻蚀液包括强碱性的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液、四甲基氢氧化铵的水溶液等，负性光阻的刻蚀液包括强碱性的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液、弱碱性的碳酸氢盐水溶液等。

金属导电薄膜的湿刻蚀过程是指利用高刻蚀选择比的药液，去除待刻蚀薄膜，保护非待刻蚀薄膜，实现图案化的过程，金属导电薄膜包括金属薄膜(如金属铝薄膜、金属铜薄膜等)、金属氧化物薄膜(氧化铟锡薄膜等)。在金属导电薄膜的刻蚀过程中，待刻蚀薄膜组分不同，所采用的刻蚀液也会不同，例如金属铝薄膜的刻蚀液的主要成分为大量的醋酸、少量的硝酸和磷酸、以及微量的添加剂，氧化铟锡薄膜的刻蚀液的主要成分为硫酸和硝酸。

浸润法是显示面板制备过程中常用的一种湿刻方法，该方法是通过将待刻蚀基板浸没入刻蚀液中，待刻蚀基板在刻蚀腔内做横向运动，从而使基板表面待刻蚀薄膜去除的过程。

参照图1，图1为现有的湿刻装置的结构示意图。目前浸润法所使用的湿刻装置10中，刻蚀腔101内的传送构件102位于同一水平面内，在湿刻的过程中，待刻蚀基板103会沿着同一方向的相同高度移动。

参照图2，图2为图1的局部放大示意图，若基板103表面刻蚀反应后得到一些尺寸较小的深孔201，由于深孔的纵横比过大，深孔201内会出现置换作用的不足情况；一方面，反应产物202很难从深孔201中扩散出来，将造成反应产物202残留的风险；另一方面，深孔201内的反应材料由于无法与刻蚀液有效接触，会造成刻蚀不完全的情况。

为了解决上述问题，本发明实施例提供一种湿刻装置。请参照图3至图6(b)，本发明实施例提供的湿刻装置包括：

刻蚀腔；

刻蚀液，容纳于刻蚀腔内；

腔内传送构件，设置于刻蚀腔内；

在刻蚀过程中，腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角。

本实施例提供了一种湿刻装置，在刻蚀过程中，该湿刻装置的腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角；通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。

本发明提供的湿刻装置的腔内传送构件可以是传送带构件，可以是传送轴构件，也可以是传送滚轮构件等；腔内传送构件可以是固定设置，也可以是活动设置。下面将以具体实施例对本发明提供的湿刻装置及其工作原理做详细的说明。

在一种实施例中，腔内传送构件为传送轴构件，且传送轴构件为固定设置。请参照图3，图3为本发明提供的湿刻装置的第一种结构示意图。湿刻装置30包括：

刻蚀腔31，蚀刻腔31包括容纳蚀刻液32的内腔体311、以及与内腔体311相连的外腔体312，内腔体311与外腔体312相连形成刻蚀液循环槽313。内腔体311上设置有内腔体入口3111、以及与内腔体入口3111相对设置的内腔体出口3112，外腔体312上设置有外腔体入口3121、以及与外腔体入口3121相对设置的外腔体出口3122；外腔体入口3121在内腔体入口3111所在平面上的投影，覆盖内腔体入口3111，外腔体出口3122在内腔体出口3112所在平面上的投影，覆盖内腔体出口3112。刻蚀液循环槽313用于接收从内腔体入口3111、内腔体出口3112溢出的刻蚀液。

刻蚀液32，容纳于刻蚀腔31内，用于对待刻蚀基板进行刻蚀。

传送轴构件33，包括至少两个传送轴331，传送轴331固定设置于内腔体311中，传送轴331位于空间内的同一平面34内，平面34与水平面的夹角α为5°～30°。

相邻传送轴331之间的水平距离，可以设置为相同，也可以设置为不同；可以是从内腔体入口3111到内腔体出口3112依次递减，也可以是从内腔体入口3111到内腔体出口3112依次递增，还可以是无规则设置；优选传送轴331等间距设置。

在一种实施方案中，内腔体311中的全部传送轴331在竖直方向上呈阶梯型设置，其水平高度从内腔体入口3111到内腔体出口3112依次递减，每个传送轴331的具体水平高度由内腔体入口3111的水平高度、内腔体出口3112的水平高度、内腔体的长度、夹角α的大小、以及该传送轴331的位置决定，一般为5-50cm，在此不做限定。

在另一种实施方案中，存在至少两个传送轴331位于同一水平面内，即内腔体311中的部分传送轴331在竖直方向上呈阶梯型设置，该部分传送轴331的水平高度，从内腔体入口3111到内腔体出口3112的方向上依次递减。位于同一水平面内的传送轴331可以是靠近内腔体入口3111处的传送轴，也可以是靠近内腔体出口3112处的传送轴，还可以是既包括靠近内腔体入口3111处的传送轴，又包括靠近内腔体出口3112处的传送轴，且靠近内腔体入口3111处传送轴所在水平面的高度，大于靠近内腔体出口3112处传送轴所在水平面的高度。

本发明实施例提供的湿刻装置还包括腔外传送构件(未画出)，腔外传送构件包括：位于外腔体入口3121外的第一腔外传送构件、以及位于外腔体出口3122外的第二腔外传送构件，腔外传送构件可以是传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件等传送构件中的任意一种或多种。

在本实施例中，位于外腔体入口3121外的第一腔外传送构件的水平高度，与靠近内腔体入口3111处的传送轴331的水平高度相同，或比靠近内腔体入口3111处的传送轴331的水平高度大；位于外腔体出口3122外的第二腔外传送构件的水平高度，与靠近内腔体出口3112处的传送轴331的水平高度相同，或比靠近内腔体出口3112处的传送轴331的水平高度小。

在一种实施例中，腔内传送构件为传送轴构件，传送轴构件为活动设置。请参照图4(a)、图4(b)和图4(c)，图4(a)至图4(c)为本发明实施例提供的湿刻装置的第二种结构。湿刻装置40包括：刻蚀腔31、刻蚀液32、以及传送轴构件43。

其中，刻蚀腔31与图3所示实施例中的刻蚀腔相同，刻蚀液32与图3所示实施例中的刻蚀液相同，具体可参照上述实施例，在此不再赘述。

传送轴构件43包括至少两个传送轴431，传送轴431活动设置于内腔体311中，传送轴431可以在竖直方向上上下移动。传送轴431的上下移动可借助于活动滑块来实现，也可以参照现有技术中有关活动传送轴的设置方式来实现。

相邻传送轴431之间的水平距离，可以设置为相同，也可以设置为不同；可以是从内腔体入口3111到内腔体出口3112依次递减，也可以是从内腔体入口3111到内腔体出口3112依次递增，还可以是无规则设置；优选传送轴431等间距设置。

请参照图4(a)，图4(a)为本发明实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第一状态下的结构示意图。传送轴431位于同一水平面44内，且该水平面44位于内腔体入口3111处。

请参照图4(b)，图4(b)为本发明实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第二状态下的结构示意图。传送轴431的水平高度，在内腔体入口3111到内腔体出口3112的方向上依次递减，传送轴431位于空间内的同一平面45内，平面45与水平面的夹角β为5°～30°。

请参照图4(c)，图4(c)为本发明实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第三状态下的结构示意图。传送轴431的水平高度，在内腔体入口3111到内腔体出口3112的方向上依次递增，传送轴431位于空间内的同一平面46内，平面46与水平面的夹角γ为5°～30°。

在一种实施方案中，内腔体311中的全部传送轴431均为活动设置。

在另一种实施方案中，存在至少一个传送轴431为固定设置。该固定传送轴431可以是靠近内腔体入口3111处的传送轴，也可以是靠近内腔体出口3112处的传送轴，还可以是既包括靠近内腔体入口3111处的传送轴，又包括靠近内腔体出口3112处的传送轴。

本发明实施例提供的湿刻装置还包括腔外传送构件(未画出)，腔外传送构件包括：位于外腔体入口3121外的第一腔外传送构件、以及位于外腔体出口3122外的第二腔外传送构件，腔外传送构件可以是传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件等传送构件中的任意一种或多种。

在本实施例的一种实施方案中，腔外传送构件的水平高度，与第一状态下传送轴431的水平高度相同。在另一种实施方案中，第一腔外传送构件的水平高度比第一状态下，靠近内腔体入口3111的传送轴431的水平高度高，或是与之相同；第二腔外传送构件的水平高度比第一状态下，靠近内腔体出口3112的传送轴431的水平高度低，或是与之相同。

在一种实施例中腔内传送构件为传送带构件，且传送带构件为固定设置。请参照图5，图5为本发明提供的湿刻装置的第三种结构示意图。湿刻装置50包括：刻蚀腔31、刻蚀液32、以及传送轴构件53。

其中，刻蚀腔31与图3所示实施例中的刻蚀腔相同，刻蚀液32与图3所示实施例中的刻蚀液相同，具体可参照上述实施例，在此不再赘述。

传送带构件53包括传送带531、以及位于所述传送带两端的转动轴532和转动轴533，转动轴532和转动轴533用于带动传送带531传动。传送带531所在的空间平面，与水平面的夹角δ为5°～30°。转动轴532靠近内腔体入口3111，转动轴533靠近内腔体出口3112，转动轴532的水平高度大于转动轴533的水平高度，转动轴532与转动轴533的水平高度差，由内腔体311的长度、夹角δ的大小决定，一般为5-50cm，在此不做限定。

本发明实施例提供的湿刻装置还包括腔外传送构件(未画出)，腔外传送构件包括：位于外腔体入口3121外的第一腔外传送构件、以及位于外腔体出口3122外的第二腔外传送构件，腔外传送构件可以是传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件等传送构件中的任意一种或多种。

在本实施例中，位于外腔体入口3121外的第一腔外传送构件的水平高度，与靠近内腔体入口3111处的转动轴532的水平高度相同，或比靠近内腔体入口3111处的转动轴532的水平高度大；位于外腔体出口3122外的第二腔外传送构件的水平高度，与靠近内腔体出口3112处的转动轴532的水平高度相同，或比靠近内腔体出口3112处的转动轴532的水平高度小。

在一种实施例中，腔内传送构件为传送轴构件，传送轴构件为活动设置。请参照图6(a)、图6(b)和图6(c)，图6(a)至图6(c)为本发明实施例提供的湿刻装置的第四种结构。湿刻装置60包括：刻蚀腔31、刻蚀液32、以及传送轴构件63。

其中，刻蚀腔31与图3所示实施例中的刻蚀腔相同，刻蚀液32与图3所示实施例中的刻蚀液相同，具体可参照上述实施例，在此不再赘述。

传送带构件63包括传送带631、以及位于所述传送带两端的转动轴632和转动轴633，转动轴632靠近内腔体入口3111，转动轴633靠近内腔体出口3112。转动轴632和转动轴633用于带动传送带631传动，转动轴633可以在竖直方向上上下移动，转动轴632可以是固定设置，也可以是活动设置，可以在竖直方向上上下移动。转动轴632和转动轴633的上下移动可借助于活动滑块来实现，也可以参照现有技术中有关活动转动轴的设置方式来实现。

请参照图6(a)，图6(a)为本发明实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第一状态下的结构示意图。传送带631所在的平面为一水平面内，且该平面位于内腔体入口3111处。

请参照图6(b)，图6(b)为本发明实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第二状态下的结构示意图。转动轴632的水平高度高于转动轴633的水平高度，传送带631所在的平面为非水平面，平面与水平面的夹角ε为5°～30°。

请参照图6(c)，图6(c)为本发明实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第三状态下的结构示意图。转动轴632的水平高度低于转动轴633的水平高度，传送带631所在的平面为非水平面，平面与水平面的夹角ζ为5°～30°。

本发明实施例提供的湿刻装置还包括腔外传送构件(未画出)，腔外传送构件包括：位于外腔体入口3121外的第一腔外传送构件、以及位于外腔体出口3122外的第二腔外传送构件，腔外传送构件可以是传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件等传送构件中的任意一种或多种。

在本实施例的一种实施方案中，腔外传送构件的水平高度，与第一状态下传送带631的水平高度相同。在另一种实施方案中，第一腔外传送构件的水平高度比第一状态下，靠近内腔体入口3111的转动轴632的水平高度高，或是与之相同；第二腔外传送构件的水平高度比第一状态下，靠近内腔体出口3112的转动轴633的水平高度低，或是与之相同。

在一种实施例中，在刻蚀过程中，腔内传送构件与水平面的夹角的设置，受限于刻蚀腔高度与长度，刻蚀腔长高比越大，腔内传送构件与水平面的夹角越小，腔内传送构件在传送基板时，反应物与刻蚀液置换的效果越差。在保证腔内传送构件与水平面有效夹角的情况下，将湿刻装置设置为拥有多个较小长度刻蚀腔的子湿刻装置的组合装置。请参照图7，图7为本发明实施例提供的湿刻装置的第五种结构示意图。显示装置70包括至少两个子显示装置，该子显示装置可以是上述实施例中的任一湿刻装置。

上述实施例仅用于对本发明提供的湿刻装置进行说明，不用于限制本发明提供的湿刻装置，腔内传送构件包括但不限于传送轴构件、传送带构件，任何可以实现在湿刻过程中，腔内传送构件相对于水平面成一定的角度的方案，均属于本发明保护的内容。另外，本发明实施例提供的湿刻装置包括但不限于，用于化学湿法刻蚀的显影和湿刻装置，任何涉及到溶液反应的装置，如采用浸润法的水洗装置等，都在本专利的保护范围内。

同时，本发明实施例还提供一种基板的湿刻方法，该湿刻方法为采用本发明提供的湿刻装置对基板进行湿刻。请参照图7，图8为本发明实施例提供的基板的湿刻方法的流程示意图。该湿刻方法包括：

步骤s81、在湿刻装置的刻蚀腔内循环注入刻蚀液；

步骤s82、将待刻蚀基板传送至刻蚀腔内，待刻蚀基板上设置有待刻蚀膜层的一侧竖直朝上；

步骤s83、通过腔内传送构件，将待刻蚀基板在刻蚀腔内传送，让刻蚀液对待刻蚀膜层进行刻蚀；

步骤s84、将刻蚀后的基板传送出刻蚀腔。

本实施例提供了一种基板的湿刻方法，该湿刻方法采用本发明实施例提供的湿刻装置进行，在刻蚀过程中，通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。

在一种实施例中，当湿刻装置的腔内传送构件为固定设置时，如第一种结构(图3)、第三种结构(图5)所示，步骤s3通过腔内传送构件，将待刻蚀基板在刻蚀腔内传送，让刻蚀液对待刻蚀膜层进行刻蚀具体为：腔内传送构件承载待刻蚀基板，并带动待刻蚀基板在刻蚀腔内，做与水平面成一固定角度的移动，该移动可以是从刻蚀腔入口到刻蚀腔出口的单向运动，也可以是在刻蚀腔入口到刻蚀腔出口之间的来回双向运动。

当基板在刻蚀腔内移动时，基板与其周围的刻蚀液之间会存在相对运动，从而刻蚀液会对基板产生与基板运动方向相反的作用力，又由于基板呈倾斜状态，该作用力可分解为竖直方向的分力和水平方向的分力。当基板倾斜向下运动时，竖直方向的分力向上，有助于克服刻蚀反应产物的重力影响，水平方向的分力会对基板表面的反应产物产生进一步的冲击，有助于反应产物克服重力，从刻蚀膜层内扩散出来，同时有助于刻蚀液进入到待刻蚀膜层的内部，对膜层材料进行进一步刻蚀；当基板倾斜向上运动时，水平方向的分力为背离基板的方向，有助于驱动反应产物脱离刻蚀膜层，从刻蚀膜层内扩散出来，使刻蚀液进入到待刻蚀膜层的内部，对膜层材料进行进一步刻蚀。

在另一种实施例中，当湿刻装置的腔内传送构件为活动设置时，如第二种结构(图4(a)，图4(b)，无第三状态)、第四种结构(图6(a)，图6(b)，无第三状态)所示，步骤s3通过腔内传送构件，将待刻蚀基板在刻蚀腔内传送，让刻蚀液对待刻蚀膜层进行刻蚀具体为：在待刻蚀基板进入刻蚀腔内的过程中，调节腔内传送构件，使之逐渐呈现为第二状态，并保持第二状态对基板进行传送。该传送可以是从刻蚀腔入口到刻蚀腔出口的单向运动，也可以是在刻蚀腔入口到刻蚀腔出口之间的来回双向运动。

第二种结构的湿刻方法相对于第一结构的湿刻方法，第四种结构的湿刻方法相对于第三结构的湿刻方法，腔内传送构件在待刻蚀基板进入刻蚀腔内的过程中缓慢调节，以使待刻蚀基板从水平状态缓慢进入倾斜状态，避免了突然从水平状态进入倾斜状态，腔内传送构件对基板的损坏。

基板在刻蚀腔内的传送方式同在第一结构、第三结构的湿刻装置内相类似，具体可参照上述实施例，在此不再赘述。

在又一种实施例中，当湿刻装置的腔内传送构件为活动设置时，如第二种结构(图4(a)、图4(b)和图4(c))、第四种结构(图6(a)、图6(b)和图6(c))所示，步骤s3通过腔内传送构件，将待刻蚀基板在刻蚀腔内传送，让刻蚀液对待刻蚀膜层进行刻蚀具体为：在待刻蚀基板进入刻蚀腔内的过程中，调节腔内传送构件，使之逐渐呈现为第二状态，并以第二状态到第三状态对基板进行传送，最终以第一状态将基板传送出刻蚀腔。在该过程中，基板做类似于钟摆摆动的运动。该运动可以是从刻蚀腔入口到刻蚀腔出口的单向运动，也可以是在刻蚀腔入口到刻蚀腔出口之间的来回双向运动。

基板在刻蚀腔内的传送方式同在第一结构、第三结构的湿刻装置内相类似，具体可参照上述实施例，在此不再赘述。

本发明实施例提供的基板的湿刻方法包括但不限于，光刻胶的显影和导电金属层的湿刻，任何涉及到液体浸润反应的方法，如采用浸润法的水洗基板等，都在本专利的保护范围内。

根据上述实施例可知：

本分明实施例提供了一种湿刻装置及基板的湿刻方法，在刻蚀过程中，该湿刻装置的腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角；通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。