1.一种形成封装的方法，包括：
抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔；
在所述半导体衬底上形成介电层；
在所述介电层中形成多个接合焊盘，其中，所述多个接合焊盘包括第一有源接合焊盘和第一伪接合焊盘，其中，所述第一有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔；以及
将所述第一管芯接合至第二管芯，其中，所述第一有源接合焊盘和所述第一伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一有源接合焊盘接合至所述第二管芯中的第二多个有源接合焊盘，并将所述第一伪接合焊盘接合至所述第二管芯中的悬空接合焊盘，并且将所述第二多个有源接合焊盘和所述悬空接合焊盘均电连接至所述第二管芯中的集成电路器件。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过混合接合将所述第一管芯和所述第二管芯接合。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括将伪管芯接合至所述第一管芯。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个接合焊盘还包括第二伪接合焊盘，所述伪管芯还包括接合至所述第二伪接合焊盘的第三伪接合焊盘。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
设置填充介电材料以包围所述第二管芯；
将所述第二管芯和所述填充介电材料平坦化，直至暴露所述第二管芯中的第二通孔；以及
形成第三有源接合焊盘，所述第三有源接合焊盘电耦接至所述第二通孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个接合焊盘还包括第四伪接合焊盘，所述第四伪接合焊盘的顶面与所述填充介电材料接触。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一管芯是逻辑管芯，所述第二管芯是存储管芯。
9.一种形成封装的方法，包括：
形成第一管芯，所述第一管芯包括：
第一半导体衬底；以及
第一通孔，所述第一通孔穿透所述第一半导体衬底；形成第二管芯，所述第二管芯包括：
第二半导体衬底；
第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二半导体衬底；
第一有源接合焊盘；以及
第一悬空接合焊盘；以及
在所述第一管芯上接合所述第二管芯，其中，通过所述第一管芯和所述第二管芯之间的第二有源接合焊盘将所述第一有源接合焊盘电耦接至第一管芯，以及将所述第一悬空接合焊盘接合至所述第一管芯和所述第二管芯之间的第一伪焊盘。
10.一种集成电路器件的封装，所述封装包括：
第一管芯，所述第一管芯包括：
第一半导体衬底；
第一通孔，所述第一通孔穿透所述第一半导体衬底；以及
第一介电层，所述第一介电层位于所述第一半导体衬底上并与所述第一半导体衬底接触；
第二介电层，所述第二介电层位于所述第一管芯上；
第一有源接合焊盘，所述第一有源接合焊盘位于所述第二介电层中，所述第一有源接合焊盘位于所述第一通孔上并与所述第一通孔接触；
第一伪接合焊盘，所述第一伪接合焊盘位于所述第二介电层中，其中，所述第一伪接合焊盘的整个底面位于所述第一介电层上并与所述第一介电层接触；以及
第二管芯，所述第二管芯包括：
第二有源接合焊盘，所述第二有源接合焊盘位于所述第一有源接合焊盘上并与所述第一有源接合焊盘接合；以及
悬空接合焊盘，所述悬空接合焊盘位于所述第一伪接合焊盘上并与所述第一伪接合焊盘接合。