技术总结
本申请实施例提供了一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置，涉及半导体器件制备技术领域。该巨量转移方法首先对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底的接触面积减小。接着，将微型发光二极管阵列远离原始基底的一侧与第一临时衬底结合。然后，再次对原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底剥离，去除原始基底。最后，通过第一临时衬底，将微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。如此，通过采用临时衬底固定微型发光二极管阵列与逐次腐蚀相结合的方式减少了微型发光二极管阵列巨量转移过程中发生丢失的概率，减小了位移误差，从而提升了良品率。
技术研发人员：郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;龚岩芬;王建太;庞超;胡诗犇
受保护的技术使用者：广东省半导体产业技术研究院
技术研发日：2019.11.20
技术公布日：2020.02.21