半导体封装设备及其制造方法与流程

本申请大体上涉及半导体封装设备及其制造方法。

背景技术：

半导体设备封装包含载体和一或多个半导体设备。半导体设备中的一些可以堆叠在半导体设备封装中。在将半导体设备接合或附接到另一半导体设备和载体的接合结构方面，共面性是至关重要的。

技术实现要素：

在一或多个实施例中，一种半导体设备封装包含：载体，其具有第一基本上不平坦表面和在所述第一基本上不平坦表面上方的第二表面；平坦化层，其安置在所述载体的所述第一基本上不平坦表面上，所述平坦化层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及第一半导体设备，其安置在所述平坦化层的所述第一表面上，所述第一半导体设备具有低于所述载体的所述第二表面的第一表面。

在一或多个实施例中，一种半导体设备封装包含：载体，其具有第一表面、在所述第一表面上方的第二表面和在所述第二表面上方的第三表面；第一半导体设备，其安置在所述载体的所述第一表面上，所述第一半导体设备具有低于所述载体的所述第三表面的第一表面；第一导电元件，其安置在所述载体的所述第二表面上，所述第一导电元件具有第一表面；以及第二导电元件，其安置在所述第一半导体设备的所述第一表面上，所述第二导电元件具有第一表面，其中所述第一导电元件的所述第一表面在高程(elevation)上与所述第二导电元件的所述第一表面基本上相同。

在一或多个实施例中，一种制造半导体设备封装的方法包含：在载体的第一表面上形成平坦化层，所述载体具有在所述第一表面上方的第二表面；通过固持器的第一端部拾取第一半导体设备，所述固持器具有在所述第一端部上方的第二端部；朝向平坦化层移动所述第一半导体设备；以及一旦所述固持器的所述第二端部与所述载体的所述第二表面接触，停止所述第一半导体设备。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述容易理解本申请的各方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1说明根据本申请的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。

图2a说明图1中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图2b说明图1中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图2c说明图1中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图2d说明图1中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图2e说明图1中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图2f说明图1中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图2g说明图1中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图2h说明图1中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图3说明根据本申请的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。

图4a、图4b和图4c说明根据本申请的一些实施例的制造半导体设备封装的方法。

图4a、图4b、图4c和图4e说明根据本申请的一些实施例的制造半导体设备封装的方法。

图4d说明图4c中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图4a和图4f说明根据本申请的一些实施例的制造半导体设备封装的方法。

图5a说明根据一些比较实施例的半导体设备封装的横截面图。

图5b说明图5a中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图6a说明根据一些比较实施例的半导体设备封装的横截面图。

图6b说明图6a中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

图6c说明图6a中所展示的半导体设备封装的一部分的放大视图。

贯穿图式和详细描述使用共同参考编号来指示相同或相似元件。

具体实施方式

图1说明根据本申请的一些实施例的半导体设备封装1的横截面图。半导体设备封装1包含载体11、半导体设备12和平坦化层13。

载体11可以是或可包含聚合或非聚合介电材料。举例来说，载体11可包含呈硬化或半硬化状态的可流动介电材料，例如液晶聚合物、预浸有纤维的树脂(例如，预浸材料)、味之素堆积膜(ajinomotobuildupfilm；abf)、树脂、环氧树脂材料，或呈硬化或半硬化状态的其它可流动介电材料。在一些实施例中，载体11包含单个树脂层。在其它实施例中，载体11包含多个树脂层；例如由树脂形成的第一子层和由增强型树脂(例如，通过玻璃纤维或凯芙拉纤维增强的树脂)形成的第二子层。在一些实施例中，载体11包含可呈单个层或多个层形式的预浸材料。在一些实施例中，载体11包含至少一个预浸材料层和至少一个树脂层。载体11具有表面112、在表面112之上或上方的表面113以及在表面112和表面113之上或上方的表面111。

平坦化层13安置在载体11的表面112上。平坦化层13与载体11的表面112直接接触。半导体设备12安置在平坦化层13上。半导体设备12与平坦化层13直接接触。在半导体设备12的表面121与载体11的表面111之间存在距离h。在半导体设备12的表面121与载体11的表面111之间存在高程或水平(level)差h。

平坦化层13可包含(不限于)接合材料。接合材料为例如但不限于焊接材料、粘合剂或其它合适材料。

平坦化层13具有与半导体12直接接触的表面131，和与载体11的表面112接触的表面132。表面131与表面132相对。平坦化层13的表面131可平行于半导体设备12的表面121。

平坦化层13的厚度可在约20μm到约100μm的范围内。

导电元件114可安置在载体11的表面113上。连接元件114可包含导电凸块或柱或导电衬垫。导电元件114具有表面114t。在导电元件114的表面114t与载体11的表面111之间存在距离h1。在导电元件114的表面114t与载体11的表面111之间存在高程或水平差h1。

rdl115可形成在载体11中。rdl115可电连接到外部设备。导电元件114可电连接到rdl115。导电元件114可与rdl115直接接触。导电元件114可经由rdl115电连接到外部设备。

导电元件122可安置在半导体设备12的表面121上。连接元件122可包含导电凸块、柱或衬垫。导电元件122具有表面122t。在导电元件122的表面122t与载体11的表面111之间存在距离h2。在导电元件122的表面122t与载体11的表面111之间存在高程或水平差h2。导电元件122的表面122t可基本上平行于导电元件114的表面114t。导电元件114的表面114t在高程上与导电元件122的表面122t基本上相同。换句话说，水平差h1与水平差h2基本上相同。

表面121可包含主动表面。半导体设备12的电路系统邻近于表面121。半导体设备12可包含(例如但不限于)光子集成电路、光学裸片(例如，光子裸片)、射频裸片、检测器或其它集成电路。

表面112可包含形成在载体11中的空腔或凹口的底表面。

图2a说明在如图1中所展示的虚线圆“a”中的半导体设备封装1的一部分的放大视图。表面112可以是基本上不平坦的(例如，由制造偏差或公差造成)。载体11的表面112是不平坦的。平坦化层13的表面132可以是不平坦的，并且与载体11的表面112接合。平坦化层13的表面132可与载体11的表面112共形。平坦化层13的表面132可顺应于载体11的表面112。

图2b说明在如图1中所展示的虚线圆“a”中的半导体设备封装1的一部分的放大视图。载体11的表面112相对于半导体设备12的表面121倾斜。平坦化层13的表面132可与载体11的表面112共形。平坦化层13的表面132可顺应于载体11的表面112。平坦化层13的表面132相对于半导体设备12的表面121倾斜。

图2c说明在如图1中所展示的虚线圆“a”中的半导体设备封装1的一部分的放大视图。载体11的表面112不平坦且相对于半导体设备12的表面121倾斜。平坦化层13的表面132可与载体11的表面112共形。平坦化层13的表面132可顺应于载体11的表面112。平坦化层13的表面132可与载体的表面112接合。平坦化层13的表面132不平坦且相对于半导体设备12的表面121倾斜。

图2d说明在如图1中所展示的虚线圆“a”中的半导体设备封装1的一部分的放大视图。布置在载体11与半导体设备12之间的平坦化层13可以不同类型形成。平坦化层13可具有梯形形状。

图2e说明在如图1中所展示的虚线圆“a”中的半导体设备封装1的一部分的放大视图。平坦化层13可具有楔形形状。

图2f说明在如图1中所展示的虚线圆“a”中的半导体设备封装1的一部分的放大视图。在一些实施例中，平坦化层13不填充载体11与半导体设备12之间的空间。平坦化层13可沉积在半导体设备12的外围内。在一些实施例中，平坦化层13沉积在半导体设备12的边角处。在一些实施例中，平坦化层13沉积在半导体设备12的底表面的中心处，所述底表面与表面121相对。在一些实施例中，可沉积平坦化层13以在载体11与半导体设备12之间的空间之间形成中空图案。

图2g说明在如图1中所展示的虚线圆“b”中的半导体设备封装1的一部分的放大视图。载体11的表面111可相对于导电元件114的表面114t倾斜(例如，由制造偏差或公差造成)。载体11的表面111可相对于半导体设备12的表面121倾斜。

图2h说明在如图1中所展示的虚线圆“b”中的半导体设备封装1的一部分的放大视图。载体11制造为具有凹口，所述凹口具有表面113。表面113可通过移除操作形成。表面113可相对于载体11的表面111倾斜(例如，由制造偏差或公差造成)。载体的表面113可相对于导电元件114的表面114t倾斜(例如，由制造偏差或公差造成)。载体的表面113可相对于半导体设备12的表面121倾斜。

图3说明根据本申请的一些实施例的半导体设备封装2的横截面图。半导体设备14沉积在半导体设备12之上或上方。半导体设备14配置在半导体设备12和导电元件114上方且横跨半导体设备12和导电元件114。半导体设备14具有表面141。表面141面向半导体设备12的表面121且面向导电元件114的表面114t。半导体设备14的表面141可基本上平行于半导体设备12的表面121。半导体设备14的表面141可基本上平行于载体11的表面111。

表面141可包含或可构成主动表面的至少部分。半导体设备14可包含(例如但不限于)控制器裸片、处理器裸片、专用集成电路(asic)裸片、微控制器单元(mcu)裸片、rfid、光子集成电路、光学裸片(例如，光子裸片)、射频裸片、检测器、rfic等等。

导电元件142可形成为与半导体设备14的表面141直接接触。半导体设备14经由导电元件142电连接到导电元件114。半导体设备14经由导电元件142和导电元件122电连接到半导体设备12。

可从半导体设备14的表面141到导电元件114的表面114t定义距离h3。可从半导体设备14的表面141到导电元件122的表面122t定义距离h4。距离h3可与距离h4基本上相同。导电元件122的表面122t可与导电元件114的表面114t基本上共面。共面表面122t和表面114t可平行于半导体设备14的表面141。

具有面向半导体设备14的表面141的表面121的半导体设备12接合到半导体设备14以形成面对面堆叠结构。可经由导电元件122和导电元件142在半导体设备12与半导体设备14之间执行信号传输。横向或水平信号传输(例如，除导电元件122、142以外)可被最小化或省略以减少传输损耗。

包封物15可形成在半导体设备14与导电元件114之间。包封物15可形成在半导体设备14与半导体设备12之间。包封物15可包封导电元件142。包封物15还可包封导电元件142和122。

图4a、4b和4c说明根据本申请的一些实施例的制造半导体设备封装的方法。

参考图4a，提供载体11。载体11形成有表面112、表面113和表面111。表面113形成在表面112之上或上方，且表面111形成在表面113之上或上方。导电元件114沉积在表面113上。载体11可制造为包含rdl结构115。

表面112可通过移除工艺形成。表面112可通过蚀刻操作(例如，化学操作或等离子蚀刻操作)形成。表面112可通过机械移除操作形成。表面112可通过光学移除操作形成。

导电元件114可通过例如但不限于植入技术形成。导电元件114可包含导电凸块、柱、衬垫等等。

参考图4b，平坦化材料13'沉积在载体11的表面112上。固持器20拾取半导体设备12。半导体设备12可在表面121上具备导电元件122。导电元件122形成为与半导体设备12的表面121直接接触。

固持器20可具有经由管道连接到真空的夹盘(图中未示)。固持器20的夹盘可用真空拾取半导体设备12。固持器20可进一步包含导热管线(图中未示)，所述导热管线可热连接到加热器。在一些实施例中，固持器20可包含加热器。固持器20具有接触头23。

参考图4c，固持器20拾取半导体设备12并使半导体设备12朝向载体11的表面112移动。在固持器的接触头23与载体11的表面111接触后，固持器20停止。

载体11可以是或可包含聚合或非聚合介电材料。举例来说，载体11可包含呈硬化或半硬化状态的可流动介电材料，例如液晶聚合物、预浸有纤维的树脂(例如，预浸材料)、味之素堆积膜(abf)、树脂、环氧树脂材料，或呈硬化或半硬化状态的其它可流动介电材料。在一些实施例中，载体11包含单个树脂层。在其它实施例中，载体11包含多个树脂层；例如由树脂形成的第一子层和由增强型树脂(例如，通过玻璃纤维或凯芙拉纤维增强的树脂)形成的第二子层。在一些实施例中，载体11包含可呈单个层或多个层形式的预浸材料。在一些实施例中，载体11包含至少一个预浸材料层和至少一个树脂层。固持器20的接触头23可能不会在与载体11的表面111接触期间损坏载体11，因为载体11包含相对柔性或柔软的材料。

当半导体设备12朝向载体11的表面112移动时，平坦化材料13'由半导体设备12压缩以形成平坦化层13。半导体设备12可用平坦化层13接合到载体11的表面112。在压缩工艺之后，平坦化材料13'可经由固化操作固化。平坦化材料13'可用来自固持器20的热固化。平坦化材料13'可用光学方法固化，例如uv固化操作等等。

通过使接触头23与载体11的表面111机械地接触，可以很好地控制平坦化材料13'的压缩。另外，平坦化材料13'是柔软或柔性的，并且半导体设备12在压缩操作期间不会开裂或受损。同时，可很好地控制半导体设备12的移动的量。

在接触头23与载体11的表面111接触后，导电122的表面122t可基本上平行于导电元件114的表面114t。导电元件122的表面122t在高程上与导电元件114的表面114t基本上相同。

在将半导体设备12安置到载体11上之后，可去除固持器12以形成半导体设备封装1，如参考图1所说明和描述。

图4d说明如图4c中所展示的虚线圆“c”的实施例的一部分的放大图。在本申请的一些其它实施例中，接触头23可变化。接触头23可具有接触区域(图4d中未标示)，所述接触区域可与载体11的表面111一致。接触头23可具有接触区域(图4d中未标示)，所述接触区域可与载体11的表面111共形。举例来说，载体11可具有倾斜表面(例如，由制造偏差或公差造成)，且接触头23可形成为与基本上倾斜表面111共形。

图4a、图4b、图4c和图4e说明根据本申请的一些实施例的制造半导体设备封装的方法。

上文论述参考图4a、图4b和图4c的操作，且因此为简单起见将在以下描述中省略。

参考图4e，半导体设备14连同导电元件142接合在导电元件114以及半导体设备12上的导电元件122上，且形成半导体设备封装2'。导电元件142与导电元件114之间的接合点143可包含焊球、焊膏、预焊料(presolder)或其它合适材料。类似地，导电元件142与导电元件122之间的接合点144可包含焊球、焊膏、预焊料或其它合适材料。根据本申请中所描述的方法，接合点143和接合点144可形成为基本上共面的。

包封物15可用以包封导电元件122以形成如参考图3所说明和描述的半导体设备封装2。包封物15可经形成以包封导电元件142。

包封物15可包含环氧树脂。取决于设计规范，包封物15可包含毛细管底部填充胶(cuf)、模制底部填充胶(muf)或分配凝胶。包封物15可包含模制原料(例如，环氧模制原料或其它模制原料)。包封物15可包含聚酰亚胺。包封物15可包含酚类化合物或材料。包封物15可包含填料或颗粒(例如，二氧化硅颗粒)。

图4a和图4f说明根据本申请的一些实施例的制造半导体设备封装的方法。上文论述参考图4a的操作，且因此为简单起见将在以下描述中省略。

参考图4f，固持器20'用以拾取半导体设备12并将半导体设备12安置在载体11上。固持器20'类似于参考图4b或图4c所描述和说明的固持器20，不同之处在于接触头23在固持器20'中被省去并且固持器20'进一步包含对准元件21。对准元件21可包含光学发射极，例如但不限于发光二极管(led)、激光发射极、红外光源等。对准元件21可包含光接收器或检测器。

平坦化层13'安置在载体11的表面112上。固持器20'拾取包含导电元件122的半导体设备12。接着，固持器20'朝向载体11的表面112移动半导体设备12。对准元件21可确定对准元件21与表面112之间的距离以控制固持器20'的移动。在将半导体设备12安置到载体11上之后，可去除固持器12'以形成半导体设备封装1，如参考图1所说明和描述。

然而，距离确定的准确性可能受各种参数影响，例如载体11的表面112的平面度、平滑度或粗糙度。距离确定的准确性可能受光学参数影响，例如，载体11的颜色、反射率(ior)或亮度或其它环境问题。固持器20'以及半导体设备12的移动可通过距离确定来控制。

在表面112t和表面114t的共面性并不关键的一些实施例中，可使用参考图4a和图4f所描述和说明的方法来形成此类半导体设备封装。

图5a说明根据本申请的一些比较实施例的半导体设备封装。

载体55接合到载体51。粘合剂或粘合材料形成在载体51上。载体55经由连接元件接合到载体51，所述连接元件可包含焊球。半导体设备52附接到载体51。半导体设备52通过粘合材料附接到载体51。在将半导体设备52附接到粘合材料上之后，可执行固化操作以固化粘合材料从而形成粘合层53。

连接551形成在载体55上。连接元件551可通过例如但不限于植入技术形成。连接元件551可包含导电凸块或柱。连接元件551可包含焊球。

连接元件521形成在半导体设备52上。连接元件521可通过例如但不限于植入技术形成。连接元件521可包含导电凸块或柱。连接元件521可包含焊球。

根据当前比较实例，半导体设备54接合到半导体设备52和载体55，且回焊操作经执行以形成如图5a中所展示的半导体设备封装。

图5b说明在如图5a中所展示的虚线圆“d”中的半导体设备封装的一部分的放大视图。粘合层53可具有由粘合剂的特性(例如，粘度、温度、粘合剂的体积等等)造成的不平坦粘合线厚度(blt)。粘合层53的厚度的不平坦性可能引起半导体设备52的倾斜。

在连接元件521之中可能存在高度差(例如，由制造偏差或公差造成)。在连接元件551之中可能存在高度差(例如，由制造偏差或公差造成)。连接元件521之中的高度差可能引起半导体设备54的倾斜。连接元件551之中的高度差可能引起半导体设备54的倾斜。半导体设备54的倾斜可能不利地影响连接元件521和551的可靠性。半导体设备54的倾斜可能不利地影响半导体设备封装的性能(例如，连接元件521和551的破裂或开裂)。

制造或生产具有基本上相同直径的焊球可能具有挑战性。此外，在回焊操作之后控制焊球的大小或高度可能具有挑战性。举例来说，制造或生产具有基本上相同高度的导电柱可能具有挑战性，这是因为偏差或公差在某些操作(例如，镀覆、蚀刻或其它操作)中是极有可能的。

在高度控制相对不关键的一些比较实施例中，可忽略或省略如上文所论述的偏差或公差。换句话说，在水平接合平面或表面(例如，由连接元件521和551定义的虚拟平面，或由粘合层53定义的虚拟平面)相对不关键(例如，由于封装的相对大的尺度)的一些比较实施例中，如上文所论述的偏差或公差可能不会极大地影响半导体设备封装的性能。然而，在需要高度控制的一些比较实施例中，如上文所论述的偏差或公差可能不利地影响半导体设备封装的性能。

图6a说明根据本申请的一些比较实施例的半导体设备封装。载体61形成为具有凹口，所述凹口具有表面641、642。半导体设备621附接到载体61的表面641上。半导体设备622附接到载体61的表面642上。半导体设备621、622通过粘合材料附接到载体61。

在将半导体设备621、622附接到粘合材料上之后，通过用压力施加平坦化头将平坦化操作应用到半导体设备621、622上。在实施平坦化操作时，粘合材料由半导体设备621、622压缩。可执行固化操作以固化粘合材料从而形成粘合层631、632。

连接651形成在半导体设备621上。连接元件651可通过例如但不限于植入技术形成。连接元件651可包含导电凸块或柱。连接元件651可包含焊球。

连接元件652形成在半导体设备622上。连接元件652可通过例如但不限于植入技术形成。连接元件652可包含导电凸块或柱。连接元件652可包含焊球。

根据当前比较实例，半导体设备65接合到半导体设备621和半导体设备622，且回焊操作经执行以形成如图6a中所展示的半导体设备封装。

图6b说明在如图6a中所展示的虚线圆“e”中的半导体设备封装的一部分的放大视图。在凹口之中可能存在深度差(例如，由制造偏差或公差造成)。表面641可形成为在高程上与表面642基本上不相同。在通过应用平坦化头将平坦化操作应用于半导体设备621、622后，半导体621的底表面可接触表面641。然而，半导体设备621的顶表面可高于半导体设备622的顶表面，这引起半导体设备621的顶表面与半导体设备622的顶表面之间的高程差δh1。如果平坦化头继续将力施加到半导体设备621上，那么其可能致使半导体设备621开裂或受损。

当半导体65沉积在半导体设备621和半导体622之上或上方时，半导体设备621的顶表面与半导体622的顶表面的非共面可能引起半导体设备65的倾斜。半导体设备65的倾斜可能不利地影响半导体设备封装的性能(例如，半导体设备65和半导体设备621之中的连接元件的破裂或开裂，和半导体设备65和半导体设备622之中的连接元件的破裂或开裂)。

图6c说明在如图6a中所展示的虚线圆“e”中的半导体设备封装的一部分的放大视图。在半导体设备621与半导体设备622之中可能存在厚度差(例如，由制造偏差或公差造成)。半导体设备621的厚度可大于半导体设备622的厚度。在通过应用平坦化头将平坦化操作应用于半导体设备621、622后，半导体621的顶表面可与载体61的表面611共面。然而，半导体设备621的顶表面可不与半导体设备622的顶表面共面。半导体设备621的顶表面可高于半导体设备622的顶表面，这引起半导体设备621的顶表面与半导体设备622的顶表面之间的水平差δh2。

当半导体65沉积在半导体设备621和半导体622之上或上方时，半导体设备621的顶表面与半导体622的顶表面的非共面可能引起半导体设备65的倾斜。半导体设备65的倾斜可能不利地影响半导体设备封装的性能。

如本申请的先前实施例中所描述，表面641和表面642可以是基本上倾斜的。表面641和表面642可以是基本上不平坦的。在半导体设备621沉积在基本上倾斜和/或不平坦表面641上并且半导体设备622沉积在基本上倾斜和/或不平坦表面642上后，比较实例中的基本上倾斜和/或不平坦表面641和表面642会引起半导体设备621的顶表面与半导体622的顶表面的非共面，且进一步引起半导体设备621、622之上或上方的半导体设备65的倾斜。半导体设备65的倾斜可能不利地影响半导体设备封装的性能。

如本文所使用，术语“大致”、“基本上”、“实质性”和“约”用以描述及考虑较小变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可以指其中事件或情形明确发生的情况以及其中事件或情形极接近于发生的情况。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可能是指相对于0°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°、或小于或等于±0.05°。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。

如果两个表面之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm，那么可认为两个表面共面或基本上共面。

如本文中所使用，术语“导电(conductive)”、“导电(electricallyconductive)”和“电导率”指代输送电流的能力。导电材料通常指示对电流流动呈现极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度是西门子每米(s/m)。通常，导电材料是电导率大于大致10⁴s/m(例如，至少10⁵s/m或至少10⁶s/m)的一种材料。材料的电导率有时可随温度变化。除非另外规定，否则在室温下测量材料的导电性。

如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述(the)”可包含多个提及物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“之上”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。

虽然已参考本申请的特定实施例描述和说明了本申请，但这些描述和说明并不限制本申请。所属领域的技术人员可清楚地理解，在不脱离如由所附权利要求书界定的本申请的真实精神和范围的情况下，可作出各种改变，且可在实施例内取代等效组件。所述图解可能未必按比例绘制。由于制造工艺中的变数等等，本申请中的艺术再现与实际设备之间可能存在区别。可能存在并未特定说明的本申请的其它实施例。应将所述说明书和图式视为说明性的，而非限制性的。可作出修改，以使特定情况、材料、物质组成、方法或工艺适应于本申请的目标、精神和范围。所有此类修改意图在所附权利要求书的范围内。虽然本文中所公开的方法已参考按特定次序执行的特定操作加以描述，但可以理解，可在不脱离本申请的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并非本申请的限制。