有机发光显示装置的制作方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0173646的权益，通过引用将该韩国专利申请的公开内容并入本文。
本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种防止诸如uv可靠性测试或长时间室外使用的环境下显示装置中的有机膜产生的释气(outgassing)，并且防止由释气引起的有机发光二极管中的有机叠层的劣化的有机发光显示装置。
背景技术：
近来，随着我们进入信息时代，直观地显示电信信号的显示器的领域在迅速发展，并且为了满足这种发展，具有诸如厚度薄、重量轻和功耗低的优异性能的各种平板显示装置，正在被开发并快速取代传统的阴极射线管(crt)。
平板显示装置的示例有液晶显示器(lcd)、等离子显示面板(pdp)、场发射显示器(fed)、有机发光二极管(oled)、量子点显示装置等。
其中，自发光显示装置(例如有机发光显示装置)不需要单独的光源并且实现了高密度和清晰的彩色显示，被认为是有竞争性的应用。
在产品发布之前通过各种测试来验证显示装置的可靠性。在这些测试中，考虑到显示装置通常用于室外环境，例如极热环境和极冷环境，需要uv可靠性测试。
有机发光显示装置配置为用来发光的有机发光层的特性方面易受水分影响，并且发光区域被uv光减少，因此不正常地发光，从而缩短了有机发光显示装置的寿命。
技术实现要素：
因此，本发明针对一种有机发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种有机发光显示装置，其具有设置在其中的uv阻挡层，从而即使在诸如uv可靠性测试或长时间户外使用的环境中也是稳定的。
下面的描述将部分地阐述本发明的其他优点、目的和特征，并且对于研究以下内容时的本领域普通技术人员来说，本发明的其他优点、目的和特征将部分地变得显而易见，或者可以从本领域的实践中被获知。本发明的目的和其他优点可以通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其他优点，并根据本发明的如本文所体现和广泛描述的目的，一种有机发光显示装置，包括：薄膜晶体管，薄膜晶体管设置在基板上；平坦化膜，平坦化膜配置成覆盖薄膜晶体管；第一电极，第一电极连接到每个薄膜晶体管的暴露部分；堤，堤配置成暴露第一电极的一部分以限定发光部分；间隔体，间隔体设置在堤上；紫外光(uv)阻挡层，紫外光(uv)阻挡层设置在除了第一电极的与发光部分对应的上表面之外的堤和间隔体的表面上；以及有机发光层，有机发光层配置为与发光部分和发光部分周围的uv阻挡层重叠。
uv阻挡层可以反射或吸收10nm至400nm波长的光。
uv阻挡层在间隔体的上表面上可以是开放的。
uv阻挡层在间隔体的上表面上以及间隔体的与间隔体的上表面连接的侧表面的一部分上可以是开放的。
有机发光显示装置还可以包括设置在平坦化膜上的辅助紫外光(uv)阻挡层。
辅助uv阻挡层可以设置在未设有第一电极的区域中。
uv阻挡层可以包括无机阻挡膜。
无机阻挡膜可以包含选自由znox、tiox、sixny和taxoy组成的组中的至少一种。
uv阻挡层可以包括配置成交替层叠的一对或多对无机阻挡膜和有机阻挡膜。
无机阻挡膜可以包含选自由znox、tiox、sixny和taxoy组成的组中的至少一种，有机阻挡膜可以包含选自由聚四氟乙烯(ptfe)、聚偏氟乙烯(pvdf)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、环烯烃聚合物(cop)和聚碳酸酯(pc)组成的组中的一种。
uv阻挡层可以具有
辅助uv阻挡层可以包括无机阻挡膜。
辅助uv阻挡层的无机阻挡膜可以包含选自由znox、tiox、sixny和taxoy组成的组中的至少一种。
一种有机发光显示装置，包括：至少一个薄膜晶体管(tft)，至少一个薄膜晶体管(tft)在基板上；电极，电极电连接到至少一个tft；堤，堤暴露电极的发光部分；介电层，介电层在堤上，并且用于反射紫外光范围内的光和/或吸收紫外光范围内的光；以及有机发光层，有机发光层与发光部分重叠，并且有机发光层在发光部分周围的介电层上。
应当理解的是，本发明的上述综合描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在对所要求的发明提供进一步的解释。
附图说明
附图用于提供对本发明的进一步理解，并且包含在本申请中，构成本申请的一部分，附图示出本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在图中：
图1是根据本发明第一实施例的有机发光显示装置的横截面图；
图2是根据本发明第二实施例的有机发光显示装置的横截面图；
图3是根据本发明第三实施例的有机发光显示装置的横截面图；
图4是根据比较例的有机发光显示装置的横截面图；
图5是示出根据是否由于对平坦化膜进行uv光照射发生变白(bleaching)的化学反应的视图；
图6是示出用作堤和间隔体的主要成分的聚酰胺酸的化学式的视图；
图7是示出uv可靠性测试后减小了的发光部分的平面图；
图8是示出根据本发明第四实施例的uv阻挡层的横截面图；
图9是示出根据本发明第五实施例的uv阻挡层的横截面图；
图10是示出根据本发明第六实施例的uv阻挡层的横截面图；
图11a至图11c是表示根据是否存在uv阻挡层的红色、绿色和蓝色发光层中的效率变化的曲线图；
图12是表示在根据各种成分的发光区域中的释气的散点图矩阵(scatterplotmatric)的曲线图；
图13是表示各种材料的uv光波段中的光的透射率的曲线图；
图14是表示根据tio2厚度的光波长的透射率变化的曲线图；
图15是根据uv阻挡层的厚度的太阳光谱重叠区域的曲线图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的优选实施例，附图中示出了优选实施例的示例。然而，本发明可以多种可替代的方式来体现且不应理解为限于本文阐述的实施例，并且本发明提供的实施例仅用于完整公开本发明，并且用于使本领域技术人员完整地知悉本发明的范围。因此，应理解为无意将本发明限定于所公开的特定形式，而相反，本发明将涵盖权利要求所限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同和替代。
在图中公开的用来描述本发明实施例的形状、尺寸、速率、角度、数字等仅为示例性的，并不限制本发明。在对实施例和图的以下描述中，相同或相似的元件用相同的附图标记进行表示，即使它们在不同的图中得以描述。在对本发明实施例的以下描述中，对本文所包含的已知功能和结构的详细描述在可使本发明的主题相当不清楚时将被省略。在对实施例的以下描述中，术语“包括”、“具有”、“由......组成”等将被解释为表明在说明书中存在所述一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件或部分或它们的组合，并且不排除特征、数字、步骤、操作、元件、部分和它们的组合的存在，或添加该特征、数字、步骤、操作、元件、部分和它们的组合的可能性，除非使用术语“仅”。除非另有说明，否则应理解为单数表达包括复数表达。
在对本发明各个实施例中包括的元件进行解释时，即使没有明确的说明，也应解释为这些元件包括误差范围。
在对实施例的以下描述中，应理解为，当表达位置关系时，例如，当一个元件在另一个元件“上”、“上方”、“下方”、“旁边”等时，这两个元件可以彼此直接接触，或者可以在这两个元件之间插入一个或多个其他元件，除非使用术语“只”或“直接”。
在对实施例的以下描述中，应理解为，当表示时间关系时，例如，表示事件顺序的诸如“之后”、“随后”、“接下来”或“之前”的术语可以包含事件之间的连续关系或事件之间的不连续关系，除非使用术语“只”或“直接”。
在对实施例的以下描述中，应理解为，当术语“第一”、“第二”等用于描述各种元件时，这些术语仅用于区分相同或相似的元件。因此，在本发明的技术范围内，由术语“第一”修饰的元件可以与由术语“第二”修饰的元件相同，除非另有说明。
本发明的各个实施例的特征可以部分或全部地相互连接或组合，并且在技术上以不同的方式驱动和相互结合，并且各个实施例可以单独地实施或相互结合地实施。
图1是根据本发明第一实施例的有机发光显示装置的横截面图。
如图1所示例性地示出，根据本发明第一实施例的有机发光显示装置包括：薄膜晶体管tft，薄膜晶体管tft设置在基板上；平坦化膜117，平坦化膜117覆盖除了各个薄膜晶体管的一部分之外的薄膜晶体管tft；第一电极118，第一电极118连接到薄膜晶体管tft的暴露部分；堤120，堤120被配置为暴露第一电极118的一部分以限定发光部分；间隔体121，间隔体121设置在堤120上；uv阻挡层122，uv阻挡层122设置在堤120和间隔体121的表面上而没有设置在第一电极118的与发光部分对应的上表面上；以及有机发光层130，有机发光层130与发光部分和发光部分周围的uv阻挡层122重叠。根据本公开所有实施例的有机发光显示装置的所有组件都可选地进行结合和配置。
基板100可以是玻璃基板、塑料基板或金属基板。近来，为了实现有机发光显示装置的柔性，优选塑料基板。塑料基板可以由聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯(pc)、聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚砜(psf)、环烯烃共聚物(coc)等形成。
图1示例性示出基板100包括由具有柔性的聚酰亚胺形成的第一基材103，并且由塑料(例如聚酰亚胺)形成的膜通常在阵列工艺中存在被卷曲或破坏的危险，因此，在玻璃基板上形成牺牲层，由塑料形成的膜沉积在牺牲层上，完成阵列工艺，然后去除玻璃基板，从而既确保了显示装置的纤薄性，又确保了工艺的便利性。
此外，基板100包括作为主基材的第一基材103，阵列形成在第一基材103上，并且可以通过粘合层102在第一基材103的下表面上进一步粘附保护性基材101，以防止从外部刮伤或直接破坏第一基材103的下表面。保护性基材101可以是塑料膜，并且可以根据实际情况的需要进行着色。
下文将描述在基板100上形成的薄膜晶体管阵列。基板100包括布置在其上的矩阵中的多个像素，每个像素包括薄膜晶体管tft和存储电容cst。图示的横截面图是示出薄膜晶体管tft和存储电容cst的纵向截面图，每个像素还可以根据需要包括其他薄膜晶体管tft和存储电容cst，并且本发明中的薄膜晶体管阵列包括诸如薄膜晶体管、存储电容等元件以及与这些元件在同一层中形成的布线。
在第一基材103的上表面上形成阵列之前，设置通过层叠多个无机绝缘层形成的多个缓冲层104，并且缓冲层104防止来自第一基材103的杂质被引入阵列，并且起到保护阵列的作用。缓冲层104可以包含氧化物(siox)膜、氮化物(sinx)膜和氮氧化物(sinxoy)膜。
在缓冲层104上的指定区域设置下遮光金属105。
此后，在下遮光金属105上设置半导体缓冲层106。半导体缓冲层106可以是与上述缓冲层104相同种类的有机绝缘膜。
半导体缓冲层106用于确保在其上形成的半导体层107和107a的平坦性，并防止将杂质从其下提供的层转移到半导体层107和107a。根据实际情况的需要，半导体缓冲层106防止将氢气引入半导体层107和107a，从而使包括半导体层107和107a的薄膜晶体管的驱动特性稳定，而不改变其特性。
半导体层107和107a形成于半导体缓冲层106上的指定区域。尽管上述横截面图示出的第一半导体层107和第二半导体层107a彼此分离，但在平面图中，第一半导体层107和第二半导体层107a可以具有连接部分。
第一半导体层107可以用作薄膜晶体管tft的半导体层，并且包括未掺杂的沟道区107c以及掺杂了杂质并且布置在沟道区107c的两侧的源极区域107s和漏极区域107d。第二半导体层107a被定义为与源极区域107s和漏极区域107d相同的掺杂区。第一半导体层107和第二半导体层107a的掺杂工艺是通过图案化第一半导体层107和第二半导体层107a，并且使用杂质掺杂通过选择性地遮蔽沟道区107c而暴露的区域来进行的。例如，第一半导体层107和第二半导体层107a可以由选自由非晶硅、晶体硅和氧化物半导体组成的组中的至少一种来形成，或者通过层叠由前述材料形成的两个以上的层来形成。
在半导体缓冲层106上形成覆盖半导体层107和107a的栅极绝缘膜108。
通过选择性地去除栅极绝缘膜108和半导体缓冲层106来形成暴露下遮光金属105的一部分的连接孔，并且通过在包括该连接孔的栅极绝缘膜108上沉积金属，然后选择性地去除所沉积的金属，来形成与第一半导体层107的沟道区107c重叠的栅极110以及与栅极110间隔开且使下遮光金属105的电信号稳定的第一连接布线109。
在设置有栅极110的栅极绝缘膜108和栅极绝缘膜108上所形成的第一连接布线109上设置第一层间绝缘膜111。
在第一层间绝缘膜111上设置与第一连接布线109重叠的第一存储电极112。
在包括第一存储电极112的第一层间绝缘膜111上设置第二层间绝缘膜113。这里，第一层间绝缘膜111和第二层间绝缘膜113可以是无机绝缘膜，例如氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜等。
通过选择性地去除第二层间绝缘膜113和第一层间绝缘膜111来形成暴露第一半导体层107的两侧(即源极区域107s和漏极区域107d)的连接孔。
源极114和漏极115通过连接孔与第一半导体层107的源极区域107s和漏极区域107d连接，并且通过在包括连接孔的第二层间绝缘膜113上沉积金属并且选择性地去除所沉积的金属，来形成与源极114和漏极115位于同一层中的第二存储电极116。
这里，与源极114或漏极115电连接的第二存储电极116连接到与源极114或漏极115在同一层中形成的数据线或单独的布线，从而接收电信号，并且第一存储电极112连接到与栅极110形成在同一层中的单独的布线，从而接收电信号。存储电容cst包括第一存储电极112和第二存储电极116。
薄膜晶体管tft和存储电容cst的上述配置可以根据需要进行改变，并且根据实际情况的需要，可以省略第一存储电极112，并且第一存储电极112下方设置的连接布线109可以代替第一存储电极112的功能。
为了在形成与薄膜晶体管tft连接的有机发光二极管的情况下提高平坦表面上的发光效率，进一步设置了覆盖薄膜晶体管tft和存储电容cst的平坦化膜117。平坦化膜117是包含光敏化合物(pac)的有机膜，并且具有足以均匀地覆盖较低的元件的1μm到5μm的厚度。例如，光敏化合物(pac)可以包含重氮萘醌(dnq)磺酸盐，并且，由于光固化后在光敏化合物(pac)中发生交联，因此dnq磺酸盐可以具有优异的膜质量(即高密度)和良好的平坦性。
平坦化膜117设置有暴露薄膜晶体管(tft)的漏极115的连接孔，并且有机发光二极管(oled)的第一电极118通过连接孔连接到漏极115。
由堤120暴露的区域被定义为发光部分，因此，堤120被称为发光部分限定膜。
在堤120上设置间隔体121以防止堤120与精细金属掩模之间的直接接触，从而防止当精细金属掩模因自身的重量而处于下垂状态导致堤120与精细金属掩模接触时使堤120塌陷。精细金属掩膜设置有精细开口，用于在每个像素中形成有机发光层130。在这种情况下，间隔体121的宽度可以比堤120窄，并且可以在堤120的一些区域中设置间隔体121。可以使用相同的材料通过一个工艺同时形成堤120和间隔体121。
堤120和间隔体121由聚酰胺或聚酰亚胺形成。在各个实施例中，除矩形以外，间隔体120还可以具有其他各种截面形状。例如，间隔体121可以具有诸如半圆形、三角形、菱形、底切(undercut)形、t形截面以及其他的截面形状。
上述平坦化膜117包含光敏化合物，并且堤120和间隔体121包含聚酰胺酸。平坦化膜117、堤120和间隔体121共同包含羧基(-cooh)，作为各自膜的化合物的端基，特别是当用紫外光照射时，作为化合物端基的羧基(-cooh)对紫外光反应并且被释放为二氧化碳(co2)，因此在显示装置中可能产生释气。
为了防止这种释气，根据本发明的有机发光显示装置包括设置在堤120和间隔体121的表面上的uv阻挡层122，以阻挡紫外光。在本发明的实施例中，堤120和间隔体121可以直接接触。
uv阻挡层122可以反射或吸收在约10nm至400nm的紫外光波段中的光。也就是说，当紫外光入射到uv阻挡层122上时，uv阻挡层122可以反射或吸收紫外光。即使uv阻挡层122透射一部分紫外光，透射的紫外光量也被限制在40％以下，因此，可以防止由堤120和间隔体121或设置在它们下方的层与紫外光反应而产生的释气。uv阻挡层122可以是介电层。介电层可以是无机层。在本发明的实施例中，uv阻挡层122可以是主要阻挡层、主要吸收层或两者兼具。并且，可以对uv阻挡层122的相对的表面进行纹理化或处理以增强光吸收或光反射。例如，uv阻挡层122的表面可以具有小的凹痕或突起，从而可以吸收光或反射光。在其他实施例中，uv阻挡层122的光入射表面可以具有光反射率，但uv阻挡层122的相对表面可以具有光透射率。在这种情况下，可以在第一电极118的发光部分上形成uv阻挡层122。
uv阻挡层122可具有恒定的厚度以充分且有效地吸收或反射紫外光，具体地，具有
uv阻挡层122可以包括一个无机阻挡膜(无机阻挡膜包含选自由上述材料组成的组中的至少一种，并且具有指定的厚度)，以便有效地反射和/或吸收紫外光，或者uv阻挡层122可以包括层叠的多个无机阻挡膜(无机阻挡膜包含选自由上述材料组成的组中的至少一种)，以便有效地阻挡紫外光波段中的光。
此外，在不与堤120重叠的第一电极118的一部分上不设置uv阻挡层122，因此可以减少该区域中的光损失。
有机发光二极管(oled)由第一电极118、有机发光层130和第二电极形成。第二电极被一体设置以覆盖基板100上所有像素，并且第二电极不仅均匀地形成在有机发光层130的上表面上，而且均匀地形成在uv阻挡层122的上表面上。第二电极是半透射或透明电极，因此透射来自有机发光层130的光。
尽管将有机发光层130图示为单个膜，但可以在有机发光层130下方进一步设置空穴传输层和空穴注入层，并且可以在有机发光层130上进一步设置电子传输层和电子注入层。此外，有机发光层130可以布置为层叠结构，该层叠结构包括布置有电荷产生层的多个有机发光层，该电荷产生层设置在多个有机发光层之间。
在根据本发明的有机发光显示装置中，可以在形成间隔体121后，通过物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)和原子层沉积(ald)中的一种方法在特定的开口中形成uv阻挡层122，或者光刻胶膜仅设置在非uv阻挡部分，即仅设置在第一电极118的不与堤120重叠的上表面上，uv阻挡层122通过一种上述沉积方法沉积在有机发光显示装置的整个表面上，然后从设置有光刻胶膜的部分剥离，以便在除了第一电极118的不与堤120重叠的上表面之外的其他区域中保留。
uv阻挡层122应具有紫外光阻挡特性，因此其致密性很重要。可使用脉冲型沉积方法来防止内部针孔(pinhole)的形成。当使用这种方法时，等离子体功率的强度得以均匀地调整。
在有机发光显示装置制造完成后，uv阻挡层122可以限制有机发光显示装置的uv可靠性测试中所应用的严格测试条件的紫外光的影响，或者uv阻挡层122可以限制在使用有机发光显示装置时，由于暴露在具有大量紫外光的阳光下而产生的影响。此外，根据本发明的有机发光显示装置防止了由紫外光或其他层上各个膜的释气(该释气通过与紫外光的反应而引起)作用所引起的堤120和间隔体121或设置在其下方的平坦化膜117的改性(denaturalization)，因此提高了可靠性。
图2是根据本发明第二实施例的有机发光显示装置的横截面图。
如图2所示例性地示出，除了根据第一实施例的有机发光显示装置的结构之外，根据本发明第二实施例的有机发光显示装置还包括位于平坦化膜117的上表面上的辅助uv阻挡层128。辅助uv阻挡层128可以包含与上述uv阻挡层122的材料相同系列的材料，即具有优异紫外光阻挡特性的无机阻挡膜，例如选自由znox、tiox、sixny和taxoy组成的组中的至少一种。在顶部发光型(第一电极118包括反射电极且第二电极为半透射或透射电极)的情况下，如果辅助uv阻挡层128具有约
辅助uv阻挡层128位于第一电极118下方的平坦化膜117的上表面上。在这种情况下，辅助uv阻挡层128可以防止通过第一电极118的上表面入射的一部分紫外光与设置在辅助uv阻挡层128下方的平坦化膜117中的成分反应。与上述第一实施例相比，位于平坦化膜117上且位于堤120和间隔体121下方的辅助uv阻挡层128可以加倍地阻挡紫外光，从而更加稳定地阻挡紫外光。
图3是根据本发明第三实施例的有机发光显示装置的横截面图。
如图3所示列性地示出，第三实施例是对本发明上述第一实施例的修改，并且根据本发明第三实施例的有机发光显示装置还可以包括仅在未安置第一电极118的区域中的辅助uv阻挡层138。由于第一电极118包括如上所述的反射电极，辅助uv阻挡层138设置在未设有第一电极118的区域中，因此，彼此共面的辅助uv阻挡层138和第一电极118防止来自顶部的紫外光穿过辅助uv阻挡层138和第一电极118，从而阻挡了紫外光。
图4是根据比较例的有机发光显示装置的横截面图。
与根据本发明的上述有机发光显示装置相比，根据图4所示比较例中的有机发光显示装置不包括uv阻挡层和辅助uv阻挡层，从顶部入射的紫外光沿垂直方向入射到间隔体21、堤20和平坦化膜117上，因此，在平坦化膜117、堤20和间隔体21中产生释气40、20a和21a。气体21a和20a移动穿过间隔体21和堤20的侧部，产生有机发光层30的侧劣化部分30a，从而可导致发光区域减小。
下文将描述平坦化膜、堤和间隔体的成分的化学式，以及uv可靠性测试中这些成分的变化，并且将描述uv可靠性测试中这些膜产生释气的原因。
图5是示出是否由于对平坦化膜进行uv光照射发生变白的化学反应的视图。
如图5所示例性地示出，平坦化膜包含光敏化合物(pac)，即重氮萘醌(dnq)磺酸盐。
也就是说，平坦化膜是通过在设置有薄膜晶体管的基板上形成重氮萘醌(dnq)磺酸盐的膜并对该膜进行光固化而形成的。
在光固化时，氮被除去，使化学式1的茚羧酸磺酸盐的端基(即羧基(-cooh))脱氢，茚羧酸磺酸盐具有羰基(-co)，分子中的羰基(-co)与相邻分子结合，从而形成交联。
平坦化膜的通常形成交联的区域在聚合物中具有紧密连接，但在平坦化膜的对固化不起反应的区域中，由于uv可靠性测试中的强紫外光照射而从作为化学式1中茚羧酸磺酸盐的端基的羧基(cooh)产生二氧化碳，即产生释气，从而导致周围层，特别是有机发光二极管中的有机发光层的劣化，以及聚合物中的茚羧酸磺酸盐中的一些交联键的破坏，从而连续产生释气。平坦化膜被释气改性，并且由于平坦化膜的改性而导致有机发光层边缘的劣化，即有机发光层的边缘变黑。因此，当产生二氧化碳以进行释气时，劣化为改性的平坦化膜以及包含二氧化碳或其他成分(例如水、氧气和/或氢气)的释气对发光部分和有机发光层产生了负面影响。
[化学式1]
图6是示出用作堤和间隔体的主要成分的聚酰胺酸的化学式的视图。
如图6所示例性地示出，堤和间隔体是由通过固化使聚酰胺酸聚合得到的聚酰胺形成的。
聚酰胺酸的组成中存在对称设置的羧基(-cooh)，并且可以通过uv可靠性测试中的强紫外光使聚酰胺中的羧基(-cooh)脱氢，从而释放出二氧化碳。
由紫外光照射产生的二氧化碳移动到相邻层，因此可以以与平坦化膜相同的方式引起有机发光层的劣化。
图7是示出uv可靠性测试后减小了的发光部分的平面图。
如图7所示例性地示出，由于在uv可靠性测试后，从平坦化膜或堤和间隔体释放的二氧化碳引起的释气的影响，使得限定为堤的开口的发光区域由于在发光部分的边缘处产生了劣化部分30a而减小，如图4和图5所示例性地示出，从而缩短了有机发光显示装置的寿命。
此外，设置在有机发光层上的电子注入层包含碱金属离子，例如锂，以便于从第二电极注入电子，并且在该层中设置的移动的二氧化碳和氢气与锂反应并形成金属化合物，例如lihco3，从而加速了上述发光区域的减小。
下文将描述上述uv阻挡层的其他类型。
图8是示出根据本发明第四实施例的uv阻挡层的横截面图。
上述实施例将uv阻挡层示例示出为包含由选自由znox、tiox、sixny和taxoy组成的组中的至少一种形成的无机阻挡膜。
然而，当沉积有机发光层时，间隔体231的上表面可以与精细金属掩模250接触，因此，如果间隔体231的表面上设置了具有硬度的无机阻挡膜，则无机阻挡膜中可能出现破裂。此外，在沉积有机发光层后，破裂的无机阻挡膜仍可能留在有机发光显示装置中，因此被视为缺陷。
因此，根据本发明第四实施例的uv阻挡层232具有与间隔体231的上表面对应的开口和与该上表面连接的侧表面的一部分，并且当沉积有机发光层时，间隔体231的具有柔性的上表面接触精细金属掩模250，从而可以防止对作为无机阻挡膜的uv阻挡层232的损坏。间隔体231仅形成于堤120(在图1中)的宽度的一部分上，并且被配置成使得其上部的宽度小于其下部的宽度。uv阻挡层232的开口具有较小宽度，该宽度不足以实际减弱紫外光阻挡功能。根据实际情况的需要，uv阻挡层232可以仅从间隔体231的上表面移除。
图9是示出根据本发明第五实施例的uv阻挡层的横截面图。
如图9所示例性地示出，根据本发明第五实施例的位于堤120(参照图1)和间隔体241上的uv阻挡层242具有双层结构，该双层结构包括由无机膜成分形成的第一uv阻挡膜242a和由具有弹性的有机膜成分形成的第二uv阻挡膜242b。第二uv阻挡膜242b位于第一uv阻挡膜242a上。
在这种情况下，即使第二uv阻挡膜242b(由具有良好弹性的有机膜成分形成)接触精细金属掩模250以形成有机发光层，也可以防止对第二uv阻挡膜242b的损坏。
这里，第一uv阻挡膜242a可以是包含选自由znox、tiox、sixny和taxoy组成的组中的至少一种的无机阻挡膜，并且第二uv阻挡膜242b可以包含选自由聚四氟乙烯(ptfe)、聚偏氟乙烯(pvdf)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、环烯烃聚合物(cop)和聚碳酸酯(pc)组成的组中的一种。
在这种情况下，uv阻挡层242可以具有恒定的厚度，具体地，具有
图10是示出根据本发明第六实施例的uv阻挡层的横截面图。
如10所示例性地示出，本发明的第六实施例是对上述第五实施例的修改，根据本发明第六实施例的uv阻挡层252包括由无机膜形成的第一uv阻挡膜252a、252c和252e以及由有机膜形成的第二uv阻挡膜252b、252d和252f。第一uv阻挡膜与第二uv阻挡膜以多对进行交替层叠。此外，在另一个实施例中，在uv阻挡层中，至少一个第二uv阻挡膜在多个第一紫外(uv)阻挡膜上。最上面的uv阻挡膜是有机阻挡膜，即使与精细金属掩模250接触，也可以防止uv阻挡层252受损。
图11a至图11c是表示根据是否存在uv阻挡层的红色、绿色和蓝色发光层中的效率变化的曲线图。
图11a是表示根据是否存在uv阻挡层的uv可靠性测试中的评估的红色光随时间变化的效率，并且，如果不设置uv阻挡层，则在240小时后，红色光的效率在初始阶段达到约10％的效率。相反，如果设置了本发明的uv阻挡层，则即使经过240小时，红色光的效率在初始阶段仍保持100％以上的效率。
图11b是表示根据是否存在uv阻挡层的uv可靠性测试中的评估的绿色光随时间变化的效率，并且，如果不设置uv阻挡层，则在240小时后，绿色光的效率在初始阶段达到约10％的效率。相反，如果设置了本发明的uv阻挡层，则即使经过240小时，绿色光的效率在初始阶段仍保持100％以上的效率。
图11c是表示根据是否存在uv阻挡层的uv可靠性测试中的评估的蓝色光随时间变化的效率，并且，如果不设置uv阻挡层，则在240小时后，蓝色光的效率在初始阶段达到约10％的效率。相反，如果设置了本发明的uv阻挡层，则即使经过240小时，蓝色光的效率在初始阶段仍保持100％以上的效率。
此外，如图11a至图11c所示例性地示出，如果设置了uv阻挡层，则红色光、绿色光和蓝色光的效率往往会增加直到约220小时。可以确认，即使设置了uv阻挡层，在uv可靠性测试要求的条件下也没有降低效率，这意味着产品中的有机发光层几乎不被uv照射改性。
图12是表示在根据各种成分的发光区域中的释气的散点图矩阵的曲线图。
图12的曲线图表示根据各种成分的发光区域中的变化，并且可以确认，二氧化碳的增加显著减小了发光区域。特别是，这意味着，如果二氧化碳的量比湿气的量使发光区域的减小更严重，则产品中二氧化碳的释气可以导致uv可靠性测试中的有机发光显示装置严重改性。
根据本发明的有机发光显示装置可以包括uv阻挡层，以防止这种问题。
图13是表示各种材料的uv光波段中的光的透射率的曲线图。
图13的曲线图表示分别使用si3n4、tio2、zro2、ta2o5和zno制造的厚度为
图14是表示根据tio2厚度的光波长的透射率变化的曲线图。
如图14所示例性地示出，当由tio2形成的薄膜具有
图15是根据uv阻挡层的厚度的太阳光谱重叠区域的曲线图。
如图15所示例性地示出，如果uv阻挡层的厚度为
下文将简要描述太阳辐射光谱。这是为了对由不同制造商和实验室制造的光电装置的效率进行比较而定义的标准之一。使用1985年韦赫里标准地外太阳辐射光谱(wehrlistandardextraterrestrialsolarirradiancespectrum)作为标准太阳光谱。在此，在光谱中，测量并定义了从199.50nm到10075nm的太阳能，其增量从1nm逐渐增加(单位：wm-2nm-1)。在图15中，与太阳光谱重叠被表示为与被看作是100％的被测太阳能电池相比。在本发明的显示装置中，与太阳光谱(即图15所示的太阳光谱)重叠表示在紫外光波段内(即200nm至450nm的波长内)的重叠，以判断紫外光波段的影响。
考虑到图14所示的tio2的透射率，当将tio2实施为uv阻挡层时，透射能量是通过将根据uv阻挡层厚度的标准太阳光谱的能量乘以根据厚度的透射率所得到的值。
在这种情况下，与未设置tio2膜的情况(与太阳光谱具有100％的重叠区域)相比，即使tio2膜具有
本发明的有机发光显示装置包括在堤和间隔体的表面上的对紫外光具有高反应性的uv阻挡层，从而使得当紫外光从顶部入射到有机发光显示装置上时uv阻挡层能够反射或吸收紫外光，因而防止在紫外光直接入射到有机材料上时，紫外光穿透到有机材料内而产生释气。
此外，uv阻挡层阻挡紫外光的透射，从而防止设置在uv阻挡层下方的层的释气，由此防止了有机叠层的发光区域的减小。因此，保持了有机发光二极管的稳定性，从而提高了有机发光显示装置的寿命。
根据实际情况的需要，在堤和间隔体的下方形成另一个uv阻挡层，从而还可以防止在堤和间隔体形成之前或之后通过一些未设置uv阻挡层的区域入射的紫外光对薄膜晶体管阵列中元件的特性的影响。
从上述描述中明显可见，根据本发明的有机发光显示装置具有如下效果。
第一，在紫外光入射到有机发光显示装置上时，有机发光显示装置中设置的uv阻挡层反射或吸收紫外光，从而防止在紫外光直接入射到有机材料上时，紫外光穿透到有机材料内而产生释气。
第二，uv阻挡层阻挡紫外光的透射，从而防止设置在uv阻挡层下方的且可导致释气的层释气，由此防止了有机叠层的发光区域的减小。因此，保持了有机发光二极管的稳定性，从而提高了有机发光显示装置的寿命。
在本公开的各个实施例中，uv阻挡层可以是介电层。在本公开的实施例中，uv阻挡层可以是主要阻挡层、主要吸收层或兼具两者。另外，可以对uv阻挡层的相对的表面进行纹理化或处理以增强光吸收或光反射。例如，uv阻挡层的表面可以有小的凹痕或突起，以实现光吸收或光反射。在其他实施例中，uv阻挡层的光入射表面可以具有光反射率，但uv阻挡层的相对表面可以具有光透射率。在这种情况下，可以在第一电极的发光部上形成uv阻挡层。
对于本领域技术人员来说显而易见的是，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明进行各种修改和变更。因此，本发明旨在涵盖本发明的修改和变化，只要它们在所附权利要求书及其等效物的范围内。
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