技术总结
本发明公开了一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构及其制备方法，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、低掺杂n型GaN漂移层A、多周期GaN/AlxGa1‑xN隧穿层，其中0<x<0.3、低掺杂n型GaN漂移层B、导通孔径层、GaN沟道层；并且在所述导通孔径层的两侧还分别设有电流阻挡层；通过在漂移区内插入多周期GaN/AlxGa1‑xN隧穿层，通过调控多周期的周期数、多周期内的GaN与AlXGa1‑XN的厚度及Al组分，提高器件的耐压特性，通过隧穿效应显著缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾，改善器件的稳定性和可靠性。
技术研发人员：左万胜;钮应喜;程海英;钟敏;郗修臻;张晓洪;刘锦锦;刘洋;史田超
受保护的技术使用者：启迪新材料(芜湖)有限公司;芜湖启迪半导体有限公司
技术研发日：2019.12.10
技术公布日：2020.02.14