显示基板母板及其制备方法、显示基板和显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板母板及其制备方法、显示基板和显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示装置是目前较为前沿的显示技术，主要利用薄膜晶体管(thinfilmtransistorliquid，tft)形成多级的驱动电路，将驱动电流加载到发光单元的阴极、阳极上实现发光。

tft通常包括依次形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏电极层。然而，在刻蚀源漏材料层形成源漏电极层的过程中，容易出现源漏材料残留，进而容易导致后续形成的发光单元的阴极和阳极之间发生短路，影响显示基板的产品良率。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板母板及其制备方法、显示基板和显示装置。

为了实现上述目的，本发明提供一种显示基板母板，其中，包括：衬底基板，所述衬底基板包括：多个基板区域和待切割区域，多个所述基板区域被所述待切割区域彼此间隔开，所述基板区域上设置有：支撑层、位于所述支撑层背离所述衬底基板一侧的源漏电极层，所述支撑层具有侧壁，所述侧壁朝向相邻的所述基板区域，所述基板区域还设置有间隔层，所述间隔层包括第一间隔部和第二间隔部，所述第一间隔部位于所述源漏电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第二间隔部至少覆盖所述支撑层侧壁的底部区域。

可选地，所述第二间隔部覆盖所述支撑层的整个侧壁。

可选地，所述第二间隔部与所述第一间隔部连接为一体结构。

可选地，所述第二间隔部的厚度在至之间。

可选地，所述基板区域还设置有第一电极层，所述基板区域设置有多层所述源漏电极层，多层所述源漏电极层沿远离所述衬底基板的方向依次设置，多层所述源漏电极层均位于所述第一电极层与所述衬底基板之间；

所述第一间隔部设置在多层所述源漏电极层中最远离所述衬底基板的一者与所述第一电极层之间。

本发明还提供一种显示基板，其中，包括：子衬底基板，所述子衬底基板上设置有：支撑层、位于所述支撑层背离所述子衬底基板一侧的源漏电极层，所述支撑层具有侧壁，所述子衬底基板上还设置有间隔层，所述间隔层包括第一间隔部和第二间隔部，所述第一间隔部位于所述源漏电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第二间隔部至少覆盖所述支撑层侧壁的底部区域。

可选地，所述第二间隔部覆盖所述支撑层的整个侧壁；

所述第二间隔部与所述第一间隔部连接为一体结构。

本发明还提供一种显示装置，其中，包括如上述的显示基板。

本发明还提供一种显示基板母板的制备方法，其中，所述制备方法包括：

提供衬底基板，所述衬底基板包括：多个基板区域和待切割区域，多个所述基板区域被所述待切割区域彼此间隔开；

在所述基板区域上形成支撑层，所述支撑层具有侧壁，所述侧壁朝向相邻的基板区域；

在所述支撑层背离所述衬底基板的一侧形成源漏电极层；

形成间隔层；所述间隔层包括第一间隔部和第二间隔部，所述第一间隔部位于所述源漏电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第二间隔部至少覆盖所述支撑层侧壁的底部区域。

可选地，所述第一间隔部和所述第二间隔部采用同一次构图工艺形成。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明实施例提供的显示基板母板局部的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的图1沿剖线aa’的纵剖图之一；

图3为本发明实施例提供的图1沿剖线aa’的纵剖图之二；

图4为本发明实施例提供的显示基板的局部示意图；

图5为本发明实施例提供的制备方法的流程图。

其中，附图标记包括：

1、衬底基板；11、基板区域；12、待切割区域；21、支撑层；211、第一缓冲层；212、第二缓冲层；213、第一栅极绝缘层；214、第二栅极绝缘层；215、层间介质层；22、源漏电极层；22a、第一源漏电极层；22b、第二源漏电极层；23、间隔层；231、第一间隔部；232、第二间隔部；24、保护层；25、平坦层；3、第一电极层；4、凹槽；5、源漏材料残留；6、子衬底基板。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

本发明实施例提供一种显示基板母板，图1为本发明实施例提供的显示基板母板局部的结构示意图，如图1所示，该显示基板母板包括：衬底基板1，衬底基板1包括：多个基板区域11和待切割区域12，多个基板区域11被待切割区域12彼此间隔开，基板区域11上设置有显示功能层，图2为本发明实施例提供的图1沿剖线aa’的纵剖图之一，如图2所示，显示功能层包括：支撑层21以及位于支撑层21背离衬底基板1一侧的源漏电极层22，支撑层21具有侧壁，侧壁朝向相邻的基板区域11，显示功能层还包括间隔层23，间隔层23包括第一间隔部231和第二间隔部232，第一间隔部231位于源漏电极层22背离衬底基板1的一侧，第二间隔部232至少覆盖支撑层21侧壁的底部区域。

具体地，衬底基板1上的多个基板区域11可以呈阵列排布，每个基板区域11上均设置有显示功能层，显示功能层可以由用于实现显示功能的多个膜层组成，在本发明实施例中，显示功能层可以包括支撑层21、源漏电极层22以及间隔层23，其中，支撑层21可以包括缓冲层和栅极绝缘层等设置在源漏电极层22与衬底基板1之间的多个膜层。衬底基板1上的待切割区域12将多个基板区域11彼此间隔开，从而使相邻两个基板区域1上的显示功能层之间形成如图2所示的凹槽4，支撑层21的侧壁即为凹槽4的两侧侧壁除去源漏电极层22和间隔层23的部分，衬底基板1对应于待切割区域12位置的部分即为凹槽4的底壁。在本发明实施例中，凹槽4可以为用于将显示基板母板切割成多个显示基板时所需的待切割凹槽。

第一间隔部231和第二间隔部232可以为间隔的两个部分，也可以为连接的一体结构。第一间隔部231位于源漏电极层22背离衬底基板1的一侧，第二间隔部232至少设置在支撑层21的侧壁底部区域，也即图2所示的凹槽4中的拐角位置b。需要说明的是，在本发明实施例中，支撑层21侧壁的底部区域是指：支撑层21侧壁上靠近衬底基板1的区域，该区域的高度可以根据实际需要确定，具体可以为大于位置b处源漏材料残留5的高度，从而较好地覆盖住位置b处的源漏材料残留5。例如，支撑层21侧壁的底部区域的高度约为支撑层21侧壁的高度的1/3。

由于在对源漏材料层刻蚀形成源漏电极层的过程中，位于位置b附近的源漏材料层较难被刻蚀干净，因此，在位置b容易出现源漏材料残留5。现有技术中，位置b的源漏材料残留5未被覆盖，从而在后续工艺过程中与用于刻蚀阳极(其材料包括金属材料，例如银ag)的刻蚀液接触，将刻蚀液中的金属离子(例如，ag离子)置换出来，形成金属颗粒，金属颗粒会随着刻蚀液的冲刷被带到显示区，并吸附在显示区的阳极表面，造成发光单元的阳极与阴极之间短路，形成暗点，影响显示基板的产品良率。

采用本发明实施例提供的显示基板母板，其中设置有间隔层23，且间隔层23至少覆盖位置b的源漏材料残留5，防止该部分源漏材料残留5与用于刻蚀阳极的刻蚀液接触，从而改善了由于源漏材料残留5导致的金属颗粒吸附在显示区的阳极表面的问题，进而减少了暗点的产生，提高了显示基板的产品良率。

需要说明的是，虽然图2所示的凹槽4的底壁为衬底基板1，但是，在本发明实施例中，凹槽4的底部还可以设置有其他膜层，在此不做限制，例如，当位于待切割区域12中的衬底基板1上设置有信号线时，凹槽4的底壁可以为设置在信号线背离衬底基板1一侧的绝缘层。

在一些具体实施例中，基板区域还设置有第一电极层3，显示功能层包括多层源漏电极层22，多层源漏电极层22沿远离衬底基板1的方向依次设置，多层源漏电极层22设置在第一电极层3与衬底基板1之间。第一间隔部231设置在多层源漏电极层22中最远离衬底基板1的一者与第一电极层3之间。可选地，第一电极层3为阳极层。

其中，第一电极层3可以为复合型透明导电层，如ito-ag-ito的复合层，衬底基板1可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)基板，源漏电极层22可以由铝等金属材料制成。

图3为本发明实施例提供的图1沿剖线aa’的纵剖图之二，下面结合图3对本发明实施例的具有多层源漏电极层22的显示基板母板的结构进行详细介绍，其中，显示功能层可以包括多层源漏电极层22，第一间隔部231设置在多层源漏电极层22中最远离衬底基板1的一者与第一电极层3之间。

具体地，源漏电极层22可以为双栅薄膜晶体管的源漏电极层22，这种情况下，如图4所示，支撑层21包括沿远离衬底1方向依次设置的：第一缓冲层211、第二缓冲层212、有源层、第一栅极绝缘层213、第一栅极、第二栅极绝缘层214、第二栅极和层间介质层215，其中，第一栅极、第二栅极和有源层均未在附图中示出。在层间介质层215背离衬底基板1的一侧，依次设置有第一源漏电极层22a、保护层24、平坦层25、第二源漏电极层22b以及间隔层23，第一源漏电极层22a设置在层间介质层215的表面。间隔层23包括第一间隔部231和第二间隔部232，第一间隔部231位于第二源漏电极层22b和第一电极层3之间。

其中，第一缓冲层211的厚度为第二缓冲层212的厚度为第一栅极绝缘层213的厚度为第二栅极绝缘层214的厚度为平坦层25和第一间隔部231的厚度为在本发明实施例中，上述各个膜层的厚度是指，沿上述各个膜层靠近衬底基板一侧到其背离衬底基板一侧的方向上的尺寸，即沿图3中上下方向的尺寸。

在一些具体实施例中，第二间隔部232覆盖支撑层21的整个侧壁。进一步地，为简化制备工艺，可以使第二间隔部232与第一间隔部231连接为一体结构。

在本发明实施例中，由于随着源漏电极层22的层数的逐渐增加，在凹槽4的位置b附近出现的源漏材料残留5逐渐增多，因此，当设置的源漏电极层22层数越多时，可以将第二间隔部22的厚度设置的越厚，例如，当源漏电极层22为两层时，第二间隔部232的厚度可以设置为当源漏电极层22为三层时，第二间隔部232的厚度可以设置为其中，第二间隔部22的厚度是指，第二间隔部22沿靠近显示功能层一侧到其背离显示功能层一侧的方向的尺寸，即沿图3中左右方向的尺寸。需要说明的是，上述第二间隔部22厚度的数值仅为示例性说明，本发明实施例并不局限于上述数值范围，第二间隔部232的实际厚度可以根据需要确定。

本发明实施例还提供一种显示基板，该显示基板可以为有机电致发光(organiclight-emittingdiode，oled)显示基板。其中，该显示基板由上述显示基板母板沿待切割区域切割后得到。显示基板包括：子衬底基板6和设置在子衬底基板6上的显示功能层。图4为本发明实施例提供的显示基板的局部示意图，如图4所示，显示功能层包括：支撑层21以及位于支撑层21背离子衬底基板6一侧的源漏电极层22和间隔层23，支撑层21具有侧壁，间隔层23包括第一间隔部231和第二间隔部232，第一间隔部231位于源漏电极层22背离子衬底基板6的一侧，第二间隔部232至少覆盖支撑层21侧壁的底部区域。

采用本发明实施例提供的显示基板，其上设置有间隔层23，间隔层23可以覆盖住该显示基板在制备过程中产生的至少一部分源漏材料残留5，减少了由于源漏材料残留5引起的显示暗点现象，提高了显示基板的产品良率。

在一些具体实施例中，第二间隔部232覆盖支撑层21的整个侧壁。第二间隔部232与第一间隔部231连接为一体结构。在本发明实施例中，第一间隔部231和第二间隔部232的结构与上述的任一基板区域12上设置的显示功能层中的第一间隔部231和第二间隔部232的结构相同，在此不再赘述。

本发明实施例还提供一种显示装置，其中，包括上述的显示基板。该显示装置可以为电视、手机、电脑、平板电脑、掌上终端等电子设备。

采用本发明实施例提供的显示装置，该显示装置中的显示基板上设置有间隔层，间隔层可以覆盖住该显示基板在制备过程中产生的至少一部分源漏材料残留，减少了由于源漏材料残留引起的显示暗点现象，提高了显示装置的产品良率。

本发明实施例还提供一种显示基板母板的制备方法，图5为本发明实施例提供的制备方法的流程图，如图1至图3、图5所示，该制备方法包括以下步骤：

s1、提供衬底基板1，衬底基板1包括：多个基板区域11和待切割区域12，多个基板区域11被待切割区域12彼此间隔开。

s2、在基板区域11上形成支撑层21。支撑层21具有侧壁，侧壁朝向相邻的基板区域11。

s3、在支撑层21背离衬底基板1的一侧形成源漏电极层22。

s4、形成间隔层23。间隔层23包括第一间隔部231和第二间隔部232，第一间隔部231位于源漏电极层22背离衬底基板1的一侧，第二间隔部232至少覆盖支撑层21侧壁的底部区域。

采用本发明实施例的制备方法制备的显示基板母板，间隔层23至少覆盖支撑层21的侧壁的底部区域，从而使间隔层23可以覆盖位于支撑层21侧壁拐角处的源漏材料残留5，防止该部分源漏材料残留5与用于刻蚀阳极的刻蚀液接触，改善了由于源漏材料残留5导致的金属颗粒吸附在显示区的阳极表面的现象，进而减少了显示暗点的问题，提高了显示基板的产品良率。

在一些具体实施例中，为简化制备工艺，第一间隔部231和第二间隔部232可以采用同一次构图工艺形成。其中，间隔层23可以为平坦层，形成间隔层23的具体步骤可以为：先沉积一整层平坦层薄膜，之后，对平坦层薄膜进行光刻构图工艺，保留支撑层21上方和支撑层21的整个侧壁表面的平坦层薄膜，去除其余部分的平坦层薄膜，保留部分即为间隔层23。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。