1.8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，用以物理再生所述零部件上部电极，所述零部件上部电极至少部分区域为表面al2o3材质的保护层区域，其特征在于：包括以下步骤：
s10、备料：准备干冰制粒机，制备粒度3mm以下、温度-78℃以下的常压干冰颗粒；准备喷射装置，喷射装置具有至少两个进料口和至少一个出料口，所述喷射装置的一个进料口接驳干冰制粒机的出料端，另一个进料口接驳充有保护气体的气体罐；准备六轴机械手，六轴机械手的末端连接喷射装置；
s20、喷射：将零部件上部电极放置于工装上，使用六轴机械手操纵喷射装置，使所述出料口射出方向与零部件上部电极所在切面成斜角α，出料口总压力不小于6.5bar，控制六轴机械手，保持以α角喷射零部件上部电极任一处表面，保护层区域每cm2的喷射时间不少于5s；
s30、洗净：零部件上部电极缓慢回温至室温后，使用超纯水或保护气体冲洗零部件上部电极，带走残余杂质。
2.根据权利要求1所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述保护气体为氮气或氩气。
3.根据权利要求2所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述保护气体的在进料口处的压力不小于5bar。
4.根据权利要求1所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述出料口总压力在6.5～8bar。
5.根据权利要求1所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述干冰颗粒的粒度在0.25～0.5mm。
6.根据权利要求1所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述出料口的横截面呈狭长的“一”字形，所述横截面的狭长边的长度在0.25～3mm，宽度不大于0.5mm。
7.根据权利要求6所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述出料口的横截面的狭长边开设有波浪纹。
8.根据权利要求1所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述斜角α的范围为arctan0.18～37°。
9.根据权利要求1所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述六轴机械手采用fanuc、kuka、kawasaki、abb、史陶比尔、epson品牌之一。
10.根据权利要求1所述的8寸晶圆制造蚀刻机台unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法，其特征在于，所述零部件放置于工装后所述保护层所在面竖直排布。