一种高性能电容引线框架的制作方法

文档序号:20669367发布日期:2020-05-08 17:10阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种高性能电容引线框架,其特征在于:由以下原料按质量百分比计制得:银0.15~0.25%、铝0.20~0.30%、锰0.05~0.08%、锡0.15~0.25%、硅0.45~0.62%、铅0.90~1.50%、锑0.03~0.04%、稀土元素0.01~0.02%、余量为铜及不可避免的微量杂质。

2.根据权利要求1所述的一种高性能电容引线框架,其特征在于:由以下原料按质量百分比计制得:银0.2%、铝0.25%、锰0.07%、锡0.2%、硅0.55%、铅1.25%、锑0.03%、稀土元素0.015%、余量为铜及不可避免的微量杂质。

3.根据权利要求1所述的一种高性能电容引线框架,其特征在于:其制备方法包括以下步骤:

步骤一:按照百分比称取铜料,随后将铜料加入到加热炉中,溶解为铜液;

步骤二:按照百分比称取银、铝、锰、锡、硅、铅、锑及稀土元素添加到加热炉中;

步骤三:将得到的混合铜液注入到真空模具中,接着冷却得到高性能电容引线框架。


技术总结
本发明公开了一种高性能电容引线框架,由以下原料按质量百分比计制得:银0.15~0.25%、铝0.20~0.30%、锰0.05~0.08%、锡0.15~0.25%、硅0.45~0.62%、铅0.90~1.50%、锑0.03~0.04%、稀土元素0.01~0.02%、余量为铜及不可避免的微量杂质,本发明制得的电容引线框架的导电性较传统的电容引线框架的导电性大大提升。

技术研发人员:谭维升
受保护的技术使用者:南通南平电子科技有限公司
技术研发日:2019.12.30
技术公布日:2020.05.08
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