1.一种气体传送管路，用于向一半导体设备的反应腔室输送气体，其特征在于，所述气体传送管路包括至少两个支管路以及至少一个135°弯头，相邻的两个所述支管路通过至少一个所述135°弯头连通，所述气体在所述气体传送管路中的雷诺数小于1000。
2.如权利要求1所述的气体传送管路，其特征在于，包括：
两个所述支管路，其分别为第一支管路和第二支管路，所述第一支管路和第二支管路垂直设置；
两个所述135°弯头，两个所述135°弯头相互连接，连接后的两个所述135°弯头具有第一端口和第二端口；
其中，所述第一端口连接所述第一支管路的一个端口，所述第二端口连接所述第二支管路的一个端口。
3.如权利要求2所述的气体传送管路，其特征在于，所述气体传送管路的内径大于等于0.4英寸。
4.如权利要求3所述的气体传送管路，其特征在于，所述气体传送管路的总长度小于10米。
5.如权利要求4所述的气体传送管路，其特征在于，所述气体传送管路的外壁上缠绕有隔热材料。
6.如权利要求5所述的气体传送管路，其特征在于，所述气体传送管路上还设置有若干温控结构，所述温控结构用于对所述气体传送管路输送的气体进行温度控制，以使所述气体传送管路输送的气体自入口至出口处温度逐步升高。
7.如权利要求1-6中任一项所述的气体传送管路，其特征在于，所述气体传送管路是三氯氢硅输送管路。
8.一种半导体设备，所述半导体设备包括一反应腔室，其特征在于，还包括如权利要求1-7中任一项所述的气体传送管路，所述气体传送管路与所述反应腔室连接，并用于向所述反应腔室输送气体。
9.如权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为外延设备，所述外延设备还包括汽化器，所述汽化器通过所述气体传送管路向所述反应腔室提供气体。
10.如权利要求9所述的半导体设备，其特征在于，所述汽化器包括：
化学容器桶，用于提供气相外延工艺所需的液态三氯氢硅；
汽液分离器，所述汽液分离器与所述化学容器桶连通；以及，
控制阀，所述控制阀设置在所述化学容器桶和汽液分离器之间，用于控制液态三氯氢硅流入所述汽液分离器的流量以及调节所述汽液分离器中的液位。
11.如权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，所述控制阀将汽液分离器中液位控制在所述汽液分离器总容量的65％-75％。