封装结构及其封装方法，显示装置与流程

1.本发明属于显示器件封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及其封装方法，一种显示装置。


背景技术：

2.量子点发光二极管(quantumdot light emitting diode，qled)和有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)等基于有机或无机材料的电致发光显示器件，因其具有自发光、无需背光模组、视角宽、对比度以及清晰度高、全固化、适用于挠曲性面板、温度特性好、响应速度快和节能环保等一系列优异特性，已经成为新型显示技术的研究热点和重点发展方向。然而，显示器件容易受到空气中的氧气、水等成分的侵蚀，严重影响器件的使用寿命，因此，通常需要采用封装结构对显示器件进行封装，使显示器件与空气中的氧气、水等成分隔离，从而延长显示器件的使用寿命。随着消费者对轻薄显示、透明显示及柔性显示的需求，薄膜封装(thin-film encapsulation,tfe)逐渐成为显示技术领域重要的封装技术，典型的薄膜封装结构由无机阻隔层和有机封装层交叠重复组成。其中，无机阻隔层为水氧阻隔层，主要作用为阻隔水氧；有机封装层为平坦化层，主要作用为覆盖无机阻隔层表面的缺陷，为后续成膜提供一个平坦的表面，并且能减小无机阻隔层表面的应力，以及防止缺陷扩散。
3.但是，除水氧侵蚀对qled/oled显示器件造成严重影响外，长时间工作中产生的热量积聚也是导致器件发光效率和寿命退化过快的主要原因，然而现有封装技术下器件散热效果尚有待提高。随着qled/oled器件的应用领域越来越宽广，应用环境要求也越来越苛刻，如高亮度显示、大尺寸显示等，及时将器件产生的热量传导到外界变得日益迫切。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种封装结构，旨在一定程度上解决现有显示器件封装结构无法同时隔绝水氧侵蚀和及时疏散器件工作产生的热量等技术问题。
5.本发明的另一目的在于提供一种封装方法。
6.本发明的再一目的在于提供一种显示装置。
7.为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
8.一种封装结构，包括保护层、阻隔层以及设置在所述保护层和所述阻隔层之间的散热层；
9.其中，所述散热层包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片。
10.相应地，一种封装方法，包括以下步骤：
11.提供形成在基板上的待封装器件，在所述待封装器件远离所述基板的表面进行第一次沉积处理形成保护层，所述保护层包括第一非导体材料；
12.在所述保护层远离所述待封装器件的表面进行第二次沉积处理形成散热层，所述散热层包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片；
13.在所述散热层远离所述保护层的表面进行第三次沉积处理形成阻隔层，所述阻隔层包括至少一层无机阻隔层或有机阻隔层。
14.相应地，一种显示装置，所述显示装置包括：显示器件和封装在所述显示器件外表面的上述封装结构；或者，所述显示装置包括：显示器件和采用上述的方法封装在所述显示器件外表面的封装结构。
15.本发明提供的封装结构，保护层、阻隔层以及设置在所述保护层和所述阻隔层之间的散热层；其中，所述散热层包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片。本发明封装结构中，保护层既能够隔绝水氧对器件的侵蚀，又能够及时导通器件产生的热量，在一定程度上改善器件的散热性能，并且能为散热层提供衬底，使封装结构的性能和结构都更稳定。其中，阻隔层具有水氧阻隔能力，防止水氧对显示器件的侵蚀，同时对散热层起到封装的作用，使封装结构的各功能层稳定的发挥作用。其中，在保护层和阻隔层之间设置的散热层，利用垂直设置的石墨烯或氮化硼纳米片良好的导热性将器件工作产生的热量转移，起到良好的散热导热作用，避免传统薄膜封装结构导热性能不佳影响器件的发光效率和寿命的问题。
16.本发明提供的封装方法，在含有待封装器件的基板上，依次沉积形成保护层，包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片的散热层和阻隔层，通过在待封装器件表面依次沉积的保护层、散热层和阻隔层，对器件实现水氧阻隔的同时，石墨烯和/或氮化硼纳米片具有较好的导热性，能够及时将器件工作产生的热量转移，起到良好的散热导热作用，避免传统薄膜封装结构导热性能不佳影响器件的发光效率和寿命的问题。
17.本发明提供的显示装置，包括量子点发光二极管、有机发光二极等显示器件，以及封装在所述显示器件表面的封装结构，该封装结构不但能有效隔绝空气中的氧气、水等成分对显示器件的侵蚀，而且具有较好的散热性能，能够及时导通疏散显示器件在使用过程中产生的热量，防止热量积聚导致的显示器件发光效率低和寿命退化过快，从而使显示装置有更稳定的光电性能和更长久的使用寿命。
附图说明
18.图1是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
19.图2是本发明实施例提供的另一种显示装置的示意图。
20.图3是本发明实施例提供的封装方法的流程示意图。
具体实施方式
21.为使本发明实施例的目的、技术方案和技术效果更加清楚，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。结合本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
22.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
23.本发明实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体
含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本发明实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地，本发明实施例说明书中所述的重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
24.本发明实施例提供了一种封装结构，包括保护层、阻隔层以及设置在所述保护层和所述阻隔层之间的散热层；其中，所述散热层包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片。
25.本发明实施例提供的封装结构，包括保护层、阻隔层以及设置在所述保护层和所述阻隔层之间的散热层；其中，所述散热层包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片。本发明实施例封装结构中，保护层既能够隔绝水氧对器件的侵蚀，又能够及时导通器件产生的热量，在一定程度上改善器件的散热性能，并且能为散热层提供衬底，使封装结构的性能和结构都更稳定。其中，阻隔层具有水氧阻隔能力，防止水氧对显示器件的侵蚀，同时对散热层起到封装的作用，使封装结构的各功能层稳定的发挥作用。其中，在保护层和阻隔层之间设置的散热层，利用石墨烯或氮化硼纳米片良好的导热性将器件工作产生的热量转移，起到良好的散热导热作用，避免传统薄膜封装结构导热性能不佳影响器件的发光效率和寿命的问题。
26.在一些实施例中，所述石墨烯纳米片或氮化硼纳米片均为垂直结构，所述石墨烯纳米片或氮化硼纳米片的取向近似垂直于所述保护层。石墨烯与氮化硼的晶体结构相似，同属二维片层材料，具有优异的导热性能，结构稳定性以及化学稳定性，是优良的绝缘介电材料。水平结构的石墨烯和氮化硼二维片层材料层与层之间结合依靠微弱的范德华力作用，导致这些材料的导热性能具有各向异性，即在同一纳米片层上具有优异的导热性能，但相邻纳米片层之间导热性能则较大差。因此，对于层数不多的石墨烯和氮化硼材料，热量主要通过与热源直接或紧密接触的界面层传递，远离热源的材料层对热量传递贡献很少。本发明实施例散热层中垂直于所述保护层设置的石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片，一方面，垂直设置的石墨烯和氮化硼纳米片对热量有更好的导通疏散作用，并且除了具有水平石墨烯、氮化硼纳米片优异的导热特性之外，还具有大的比表面积、丰富的活性边缘缺陷、非堆叠的三维几何形貌和一定的自支撑性等特性，使得在水平和垂直方向均展现出优良的热传导性能；另一方面，由于垂直设置的石墨烯和氮化硼纳米片有很多边缘缺陷，可以为后续沉积相邻阻隔层提供丰富的成核位点，能够显著增加成核密度，从而促进膜层的快速融合、均匀沉积，并提高散热层与保护层和阻隔层之间的结合紧密性。另外，垂直设置的石墨烯和氮化硼纳米片，同时能够作为保护层和阻隔层之间的缓冲层，有利于得到平整、无应力的薄膜层，实现更好的散热效果。
27.在一些实施例中，所述石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片的高度为10～100纳米，密度为50～300个/微米2。本发明实施例散热层中垂直于所述保护层设置的石墨烯或氮化硼纳米片的高度为10～100纳米，小片径的纳米片层对器件产生的热量有更好的导通疏散作用，加快了对热量的导通速率，发挥更好的散热效果，另外，垂直设置的石墨烯和氮化硼纳米片的密度为50～300个/微米2，该密度大小进一步有效确保了散热层的散热效果，能够及时快速的导通疏散器件产生的热量，若密度太低，则对热量的导通疏散效果不佳。
28.在一些实施例中，所述保护层包括第一非导体材料。在一些具体实施例中，所述保护层中第一非导体材料选自氧化物、氮化物中的至少一种，这些材料均具有较好的绝缘效果，能够避免封装结构对显示器件光电性能的干扰，隔绝空气中水氧等成分对器件的侵蚀，
同时这些绝缘材料具有一定的导热性能，能有及时将显示器件产生的热量传递到散热层中，使热量经过散热层被导通耗散，进一步确保封装结构的散热性能，并且保护层为散热层的设置提供了衬底，使封装结构的性能和结构更加稳定。在一些具体实施例中，所述保护层同时包括氮化物和金属氧化物材料，氮化物和金属氧化物具有更好的导热性能，对显示器件产生的热量有更好的导通效果，从而能够发挥出更好的散热性能。
29.在一些具体实施例中，所述氧化物包括非金属氧化物，非金属氧化物包括：氧化硅、氧化硼、氧化砷中的至少一种。在一些具体实施例中，所述氮化物包含：氮化铝、氮化硼、氮化钛、氮化硅中的至少一种。在一些具体实施例中，所述氧化物包括金属氧化物，所述金属氧化物包括：al2o3、tio2、zro2中的至少一种。本发明实施例提供的这些非金属氧化物、氮化物以及金属氧化物，既具有较好的绝缘效果，能够避免封装结构对显示器件光电性能的干扰，同时这些绝缘材料具有一定的导热性能，能有及时将显示器件产生的热量传递到散热层中，使热量经过散热层被导通耗散，进一步确保封装结构的散热性能。
30.在一些实施例中，所述保护层的厚度为10～1000纳米。本发明实施例厚度为10～1000纳米的保护层，既有效为封装结构起到较好的衬底作用，确保了保护层对显示器件的绝缘保护效果，又对器件产生的热量起到了较好的导通疏散作用，若保护层厚度太薄，则对显示器件的保护作用效果不佳；若保护层厚度太厚，则将导致封装结构整体厚度太厚，无法满足器件轻薄化的应用需求，也不利于显示器件在柔性曲面领域的应用，限制了显示器件的应用。在一些具体实施例中，所述保护层的厚度为10纳米、100纳米、200纳米、500纳米、800纳米或1000纳米。
31.在一些实施例中，所述阻隔层包括至少一层无机阻隔层或有机阻隔层。本发明实施例阻隔层可以是采用由一层无机阻隔层组成，也可以是由多层无机阻隔层组成，也可以是由一层有机阻隔层组成，也可以是由多层有机阻隔层组成，还可以是由一层无机阻隔层和一层有机阻隔层组成，还可以是由多层无机阻隔层与多层有机阻隔层的有序叠层设置或无序叠层设置组成，如在垂直于所述保护层的方向上，所述阻隔层包括交替设置的所述无机阻隔层和所述有机阻隔层。阻隔层的具体组成结构可根据实际应用需求灵活选择，适用于不同的应用场景，其中，无机阻隔层主要起到阻隔水氧的功能，防止水氧对显示器件的侵蚀，有机阻隔层能够覆盖无机阻隔层表面的缺陷，为后续成膜提供一个平坦的表面，并且能减小无机阻隔层表面的应力，以及防止缺陷扩散。在一些实施例中，阻隔层通过无机阻隔层与有机阻隔层的配合作用，在实现更好的水氧阻隔效果的同时，能够强封装结构的表面应力，提高封装稳定性。
32.在一些实施例中，所述阻隔层包括至少一层无机阻隔层和/或有机阻隔层，所述无机阻隔层的厚度为50～1000纳米，所述有机阻隔层的厚度为100～2000纳米。如附图1和2所示，本发明实施例阻隔层可以是采用由一层无机阻隔层组成，也可以是由多层无机阻隔层组成，也可以是由一层有机阻隔层组成，也可以是由多层有机阻隔层组成，还可以是由一层无机阻隔层和一层有机阻隔层组成，还可以是由多层无机阻隔层与多层有机阻隔层的有序叠层设置或无序叠层设置组成。本发明实施例所述无机阻隔层的厚度为50～1000纳米，所述有机阻隔层的厚度为100～2000纳米，阻隔层的具体组成结构可根据实际应用需求灵活选择有无阻隔层和无机阻隔层的层数及层叠关系，其中，无机阻隔层主要起到阻隔水氧的功能，防止水氧对显示器件的侵蚀；有机阻隔层能够覆盖无机阻隔层表面的缺陷，为后续成
膜提供一个平坦的表面，并且能减小无机阻隔层表面的应力，以及防止缺陷扩散。在一些实施例中，阻隔层设置有多层厚度为50～1000纳米的无机组合成和多层厚度为100～1000纳米的有机阻隔层，通过多层无机阻隔层与多层有机阻隔层的配合作用，在实现更好的水氧阻隔效果的同时，能够强封装结构的表面应力，提高封装稳定性。
33.在一些实施例中，所述无机阻隔层包括：第二非导体材料、金属材料中的至少一种，且所述阻隔层远离所述保护层的一侧不采用金属材料。在一些具体实施例中，所述第二非导体材料选自：氧化物、氮化物中的至少一种。在一些具体实施例中，所述金属材料选自：银、镁、铜、铝中的至少一种。在一些具体实施例中，所述氧化物包括非金属氧化物，非金属氧化物包括：氧化硅、氧化硼、氧化砷中的至少一种。在一些具体实施例中，所述氧化物包括金属氧化物，所述金属氧化物包括：al2o3、tio2、zro2中的至少一种。本发明各实施例中提供的无机阻隔层材料均能够实现较好的水氧隔绝效果，确保显示器件不受水氧侵蚀，提高器件的光电稳定性，延长显示器件的使用寿命，而且这些无机阻隔层材料具有一定的导热性，能够在一定程度上进一步改善封装结构对显示器件的散热效果。当阻隔层远离所述保护层的一侧为无机阻隔层时不建议不采用金属材料，可以采用非导体材料，能够避免金属材料在空气中被氧化破坏，更好的确保封装结构的稳定性。
34.在一些实施例中，所述有机阻隔层包括高分子聚合物。在一些具体实施例中，所述高分子聚合物选自：环氧树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。本发明各实施例提供的这些高分子聚合物的有机阻挡层，对水氧均具有较好的阻隔效果，防止显示器件被水氧侵蚀，并且均能够渗透到散热层中，或者覆盖无机阻隔层表面的缺陷，为后续成膜提供一个平坦的表面，减小阻隔层表面的应力，以及防止缺陷扩散。
35.在一些实施例中，本发明实施例所述阻隔层的厚度为0.15～20微米，该厚度区间的阻隔层均能对器件实现较好的保护作用，同时在一定程度上增强封装层的散热效果。阻隔层的厚度取值区间较大，阻隔层既可以采用较低的厚度，使器件在柔性曲面有更好的应用，又能够采用较高的厚度，应用灵活方便，可满足不同的应用需求。
36.相应地，如附图3所示，本发明实施例还提供了一种封装方法，包括以下步骤：
37.s10.提供形成在基板上的待封装器件，在所述待封装器件远离所述基板的表面进行第一次沉积处理形成保护层；
38.s20.在所述保护层远离所述待封装器件的表面进行第二次沉积处理形成散热层，所述散热层包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片；
39.s30.在所述散热层远离所述保护层的表面进行第三次沉积处理形成阻隔层。
40.本发明实施例提供的封装方法，在含有待封装器件的基板上，依次沉积形成保护层，包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片的散热层和阻隔层，通过在待封装器件表面依次沉积的保护层、散热层和阻隔层，对器件实现水氧阻隔的同时，石墨烯和/或氮化硼纳米片具有较好的导热性，能够及时将器件工作产生的热量转移，起到良好的散热导热作用，避免传统薄膜封装结构导热性能不佳影响器件的发光效率和寿命的问题。
41.具体地，上述步骤s10中，提供形成在基板上的待封装器件，在所述待封装器件远离所述基板的表面进行第一次沉积处理形成保护层。本发明实施例在待封装器件的表面直接沉积保护层，通过保护层既能够防止水氧对器件的侵蚀，又能够对器件产生的热量起到导通作用，且不会对器件的光电性能产生影响，同时能为散热层提供衬底，使封装结构的性
能和结构都更稳定。
42.在一些实施例中，提供形成在基板上的待封装器件，在所述待封装器件远离所述基板的表面通过原子层沉积(ald)、等离子体气相化学沉积(pecvd)或直流溅射(dc sputtering)等方式进行沉积处理，在待封装器件表面形成保护层。本发明实施例采用的这些沉积方法均能够在器件表面膜层均一性好的保护层，对器件起到较好的保护作用。
43.在一些实施例中，所述基板包括：玻璃材料、金属材料、工程塑料中的至少一种。在一些具体实施例中，所述金属材料选自：银、镁、铜、铝中的至少一种。在一些具体实施例中，所述工程塑料选自：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的至少一种。本发明各实施例采用的这些材料作为基板，均能够为显示器件的封装起到较好的承载作用，且不会影响保护层、散热层和阻隔层的沉积制备。
44.在一些实施例中，所述保护层包括第一非导体材料，选自：氧化物、氮化物中的至少一种，这些材料均具有较好的绝缘效果，能够避免对显示器件光电性能的干扰，隔绝空气中水氧等成分对器件的侵蚀，同时这些绝缘材料具有一定的导热性能，能有及时将显示器件产生的热量传递到散热层中，使热量经过散热层被导通耗散，进一步确保封装结构的散热性能。在一些具体实施例中，所述保护层同时包括氮化物和金属氧化物材料，氮化物和金属氧化物具有更好的导热性能，对显示器件产生的热量有更好的导通效果，从而能够发挥出更好的散热性能。
45.在一些具体实施例中，所述氧化物包括非金属氧化物，所述非金属氧化物包括：氧化硅、氧化硼、氧化砷中的至少一种。在一些具体实施例中，所述氮化物包含：氮化铝、氮化硼、氮化钛、氮化硅中的至少一种。在一些具体实施例中，所述氧化物包括金属氧化物，所述金属氧化物包括：al2o3、tio2、zro2中的至少一种。本发明实施例提供的这些非金属氧化物、氮化物以及金属氧化物，既具有较好的绝缘效果，能够避免对显示器件光电性能的干扰，同时这些绝缘材料具有一定的导热性能，能有及时将显示器件产生的热量传递到散热层中，使热量经过散热层被导通耗散，进一步确保封装结构的散热性能。
46.在一些实施例中，所述保护层的厚度为10～1000纳米。本发明实施例厚度为10～1000纳米的保护层，既有效确保了保护层对显示器件的绝缘保护效果，又对器件产生的热量起到了较好的导通疏散作用，若保护层厚度太薄，则对显示器件的保护作用效果不佳；若保护层厚度太厚，则将导致封装结构整体厚度太厚，无法满足器件轻薄化的应用需求，也不利于显示器件在柔性曲面领域的应用，限制了显示器件的应用。在一些具体实施例中，所述保护层的厚度为10纳米、100纳米、200纳米、500纳米、800纳米或1000纳米。
47.具体地，上述步骤s20中，在所述保护层远离所述待封装器件的表面进行第二次沉积处理形成散热层，所述散热层包括石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片。本发明实施例在保护层表面沉积形成石墨烯和/或氮化硼纳米片的散热层，石墨烯与氮化硼的晶体结构相似，同属二维片层材料，具有优异的导热性能，结构稳定性以及化学稳定性，是优良的绝缘介电材料。
48.在一些实施例中，所述石墨烯纳米片或氮化硼纳米片均为垂直结构，所述石墨烯纳米片或氮化硼纳米片的取向近似垂直于所述保护层。由于水平结构的石墨烯和氮化硼二维片层材料层与层之间结合依靠微弱的范德华力作用，导致这些材料的导热性能具有各向异性，即在同一纳米片层上具有优异的导热性能，但相邻纳米片层之间导热性能则较大差。
因此，对于层数不多的石墨烯和氮化硼材料，热量主要通过与热源直接或紧密接触的界面层传递，远离热源的材料层对热量传递贡献很少。本发明实施例散热层中垂直于所述保护层设置的石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片具有大的比表面积、丰富的活性边缘缺陷、非堆叠的三维几何形貌和一定的自支撑性等特性，使得在水平和垂直方向均展现出优良的热传导性能；另外，由于垂直设置的石墨烯和氮化硼纳米片有很多边缘缺陷，可以为后续沉积相邻阻隔层提供丰富的成核位点，能够显著增加成核密度，从而促进膜层的快速融合、均匀沉积，并提高散热层与保护层和阻隔层之间的结合紧密性。
49.在一些实施例中，所述散热层中垂直于所述保护层设置的石墨烯纳米片和/或氮化硼纳米片的高度为10～100纳米，密度为50～300个/微米2。本发明实施例散热层中垂直于所述保护层设置的石墨烯或氮化硼纳米片的高度为10～100纳米，小片径的纳米片层对器件产生的热量有更好的导通疏散作用，加快了对热量的导通速率，发挥更好的散热效果，另外，垂直设置的石墨烯和氮化硼纳米片的密度为50～300个/微米2，该密度大小进一步有效确保了散热层的散热效果，能够及时快速的导通疏散器件产生的热量，若密度太低，则对热量的导通疏散效果不佳。
50.在一些具体实施例中，在所述保护层远离所述待封装器件的表面采用直流等离子体增强化学气相沉积(dc-pecvd)、射频等离子体增强化学气相沉积(rf-pecvd)或微波等离子体增强化学气相沉积(mw-pecvd)等离子体气相化学沉积、原子层沉积(ald)或直流溅射(dc sputtering)等方式进行第二次沉积处理，这些沉积方式均能够实现使石墨烯或氮化硼纳米片垂直于所述保护层设置，在保护层表面形成散热层。
51.具体地，上述步骤s30中，在所述散热层远离所述保护层的表面进行第三次沉积处理形成阻隔层。本发明实施例在散热层表面沉积形成阻隔层，有效隔绝空气中水氧对器件的侵蚀作用，较好的保护器件。
52.在一些实施例中，所述阻隔层包括至少一层无机阻隔层或有机阻隔层。在一些实施例中，所述无机阻隔层的厚度为50～1000纳米，所述有机阻隔层的厚度为100～2000纳米。本发明实施例阻隔层可以是采用由一层无机阻隔层组成，也可以是由多层无机阻隔层组成，也可以是由一层有机阻隔层组成，也可以是由多层有机阻隔层组成，还可以是由一层无机阻隔层和一层有机阻隔层组成，还可以是由多层无机阻隔层与多层有机阻隔层的有序叠层设置或无序叠层设置组成，如：在垂直于所述保护层的方向上，所述阻隔层包括交替设置的所述无机阻隔层和所述有机阻隔层。本发明实施例所述无机阻隔层的厚度为50～1000纳米，所述有机阻隔层的厚度为100～2000纳米，阻隔层的具体组成结构可根据实际应用需求灵活选择有无阻隔层和无机阻隔层的层数及层叠关系，其中，无机阻隔层主要起到阻隔水氧的功能，防止水氧对显示器件的侵蚀；有机阻隔层能够覆盖无机阻隔层表面的缺陷，为后续成膜提供一个平坦的表面，并且能减小无机阻隔层表面的应力，以及防止缺陷扩散。在一些实施例中，阻隔层设置有多层厚度为50～1000纳米的无机组合成和多层厚度为100～1000纳米的有机阻隔层，通过多层无机阻隔层与多层有机阻隔层的配合作用，在实现更好的水氧阻隔效果的同时，能够强封装结构的表面应力，提高封装稳定性。
53.在一些实施例中，所述无机阻隔层包括：第二非导体材料、金属材料中的至少一种，且所述阻隔层远离所述保护层的一侧不采用金属材料。在一些具体实施例中，所述第二非导体材料选自：氧化物、氮化物中的至少一种。在一些具体实施例中，所述金属材料选自：
银、镁、铜、铝中的至少一种。在一些具体实施例中，所述氧化物包括非金属氧化物，非金属氧化物包括：氧化硅、氧化硼、氧化砷中的至少一种。在一些具体实施例中，所述氧化物包括金属氧化物，所述金属氧化物包括：al2o3、tio2、zro2中的至少一种。本发明各实施例中提供的无机阻隔层材料均能够实现较好的水氧隔绝效果，确保显示器件不受水氧侵蚀，提高器件的光电稳定性，延长显示器件的使用寿命，而且这些无机阻隔层材料具有一定的导热性，能够在一定程度上进一步改善封装结构对显示器件的散热效果。当阻隔层远离所述保护层的一侧为无机阻隔层时不建议不采用金属材料，可以采用非导体材料，能够避免金属材料在空气中被氧化破坏，更好的确保封装结构的稳定性。
54.在一些实施例中，所述有机阻隔层包括高分子聚合物。在一些具体实施例中，所述高分子聚合物选自：环氧树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。本发明各实施例提供的这些高分子聚合物的有机阻挡层，对水氧均具有较好的阻隔效果，防止显示器件被水氧侵蚀，并且均能够渗透到散热层中，或者覆盖无机阻隔层表面的缺陷，为后续成膜提供一个平坦的表面，减小阻隔层表面的应力，以及防止缺陷扩散。
55.在一些实施例中，本发明实施例所述阻隔层的厚度为0.15～20微米，该厚度区间的阻隔层均能对器件实现较好的保护作用，同时在一定程度上增强封装层的散热效果。阻隔层的厚度取值区间较大，阻隔层既可以采用较低的厚度，使器件在柔性曲面有更好的应用，又能够采用较高的厚度，应用灵活方便，可满足不同的应用需求。
56.相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示器件和封装在所述显示器件外表面的上述封装结构；或者，所述显示装置包括：显示器件和采用上述的方法封装在所述显示器件外表面的封装结构。
57.本发明实施例提供的显示装置，包括量子点发光二极管、有机发光二极等显示器件，以及封装在所述显示器件表面的封装结构，该封装结构不但能有效隔绝空气中的氧气、水等成分对显示器件的侵蚀，而且具有较好的散热性能，能够及时导通疏散显示器件在使用过程中产生的热量，防止热量积聚导致的显示器件发光效率低和寿命退化过快，从而使显示装置有更稳定的光电性能和更长久的使用寿命。
58.在一些实施例中，如附图1所示，显示装置包括：显示器件和封装在所述显示器件外表面的上述封装结构；其中，封装结构包括依次叠层设置的保护层，散热层和阻隔层，所述保护层设置在靠近显示器件一侧。
59.在一些实施例中，如附图2所示，显示装置包括：显示器件和封装在所述显示器件外表面的上述封装结构；其中，封装结构包括依次叠层设置的保护层，散热层，无机阻隔层和有机阻隔层，所述保护层设置在靠近显示器件一侧。
60.为使本发明上述实施细节和操作能清楚地被本领域技术人员理解，以及本发明实施例封装结构及封装方法和显示装置的进步性能显著的体现，以下通过多个实施例来举例说明上述技术方案。
61.实施例1
62.一种显示装置，包括步骤：
63.①
提供形成在基板上的待封装器件，在所述待封装器件远离所述基板的表面沉积氮化铝薄膜层，形成厚度为100～500纳米的保护层；
64.②
在所述保护层远离所述待封装器件的表面沉积高度为10～50纳米的石墨烯纳
米片，使石墨烯纳米片垂直于所述保护层设置，形成密度为50～300个/微米2的散热层；
65.③
在所述散热层远离所述保护层的表面先沉积al2o3薄膜层，形成厚度为100～200纳米的第一无机阻隔层，然后在第一无机阻隔层表面沉积聚对苯二甲酸乙二醇酯，形成厚度为200～400纳米的有机阻隔层，得到复合阻隔层。
66.实施例2
67.一种显示装置，包括步骤：
68.①
提供含有与实施例1相同的待封装器件的基板，在所述待封装器件远离所述基板的表面沉积氮化铝薄膜层，形成厚度为100～500纳米的保护层；
69.②
在所述保护层远离所述待封装器件的表面沉积高度为10～50纳米的氮化硼纳米片，使氮化硼纳米片垂直于所述保护层设置，形成密度为50～300个/微米2的散热层；
70.③
在所述散热层远离所述保护层的表面先沉积al2o3薄膜层，形成厚度为100～200纳米的第一无机阻隔层，然后在第一无机阻隔层表面沉积聚对苯二甲酸乙二醇酯，形成厚度为200～400纳米的有机阻隔层，得到复合阻隔层。
71.实施例3
72.一种显示装置，包括步骤：
73.①
提供含有与实施例1相同的待封装器件的基板，在所述待封装器件远离所述基板的表面沉积氮化铝薄膜层，形成厚度为100～500纳米的保护层；
74.②
在所述保护层远离所述待封装器件的表面沉积高度为10～50纳米的石墨烯纳米片和氮化硼纳米片，使石墨烯纳米片和氮化硼纳米片垂直于所述保护层设置，形成密度为50～300个/微米2的散热层；
75.③
在所述散热层远离所述保护层的表面先沉积al2o3薄膜层，形成厚度为100～200纳米的第一无机阻隔层，然后在第一无机阻隔层表面沉积聚对苯二甲酸乙二醇酯，形成厚度为200～400纳米的有机阻隔层，得到复合阻隔层。
76.对比例1
77.一种显示装置，包括步骤：
78.①
提供含有与实施例1相同的待封装器件的基板，在所述待封装器件远离所述基板的表面沉积氮化铝薄膜层，形成厚度为100～500纳米的保护层；
79.②
在所述保护层表面沉积al2o3薄膜层，形成厚度为100～200纳米的第一无机阻隔层，然后在第一无机阻隔层表面沉积聚对苯二甲酸乙二醇酯，形成厚度为200～400纳米的有机阻隔层，得到复合阻隔层。
80.对比例2
81.一种显示装置，包括步骤：
82.提供含有与实施例1相同的待封装器件的基板，在所述待封装器件远离所述基板的表面沉积al2o3薄膜层，形成厚度为100～200纳米的第一无机阻隔层，然后在第一无机阻隔层表面沉积聚对苯二甲酸乙二醇酯，形成厚度为200～400纳米的有机阻隔层，得到复合阻隔层。
83.进一步的，为了验证本发明实施例制备的显示装置的进步性，本发明对实施例1～3以及对比例1～2制备的显示器件的性能的测试，测试结果如下所示：
84.测试例1
85.将实施例1～3以及对比例1～2制备的显示装置在相同条件下通电工作，使用flir e75高精度热成像仪测试显示装置通电前和工作60分钟后的温度，测试结果如下表1所示：
86.表1
87.实施例温度/℃(通电前)温度/℃(工作60分钟)实施例123.5537.28实施例223.5038.62实施例323.4335.16对比例123.8971.33对比例223.2775.76
88.由上述测试结果可知，本发明实施例1～3制备的显示装置的散热效果，远优于对比例1～2的显示装置，工作60分钟后显示装置温度能够控制在39℃以内，而对比例1和2显示装置的温度高达75.76℃，显示装置热量积聚，严重影响显示器件的安全性能，发光效率及使用寿命等。
89.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。