一种高集成的片式电阻器的制作方法

文档序号:18340859发布日期:2019-08-03 16:12阅读:175来源:国知局
一种高集成的片式电阻器的制作方法

本实用新型涉及电阻技术领域,更具体的说,涉及一种高集成的片式电阻器。



背景技术:

片式电阻是保护电路的电子元气组件之一,用于在电子电路中控制电流并降低电压,为一耗能元件;在一印刷电路板上常需采用多个片式电阻,占用过多线路面积,导致电路板线路复杂化,但现有市场上也有出现在一电阻排上集成多个片式电阻,且电阻排侧端面设有多对与内部片式电阻对应的电极连接端,缩小产品焊接时的整体体积,但存在原本电子器件比较小型化,电阻排侧端多个电极连接端较为靠近,在用锡焊焊接时可能会出现接触而破坏原本设想的RC回路,另外电阻为耗能元件,变电能为热能,而高集成的电阻排可能会出现散热功能变差,影响使用寿命,针对上述问题需提出新的方案进行改进。



技术实现要素:

针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的是提供一种高集成的片式电阻器,设置容焊槽用于容置焊锡,避免相邻焊锡出现接触,另外设置多个散热组件,散热性能好。

为了解决上述存在的技术问题,本实用新型采用下述技术方案:

一种高集成的片式电阻器,包括绝缘壳体,所述绝缘壳体内部包覆有多对平行侧向放置的片式电阻,所述片式电阻包括依次排列的陶瓷基片、厚膜电阻薄片和包封层以及两侧端面的一对端电极,所述包封层包括玻璃釉防护层以及树脂密封层,每对所述片式电阻相向设置且每对相向设置的片式电阻之间留有容置空间,所述容置空间的两侧设置有一对与包封层贴合的导热硅胶膜,所述容置空间内设置有一对与导热硅胶膜贴合的导热金属片以及连接在一对导热金属片之间设置有散热片组,所述片式电阻的端电极延伸至绝缘壳体侧端面的外侧,所述端电极在端面处设置有内凹的容焊槽。

更具体的,所述绝缘壳体内部包覆四对侧放且相向放置的片式电阻。

更具体的,所述容焊槽的横截面为半圆状或矩形状。

更具体的,所述容焊槽的横截面的半径或边长为2mm-5mm。

更具体的,所述散热片组包括多个平行分布且间隔均匀的金属散热片。

更具体的,所述导热金属片和散热片组为铝合金材质构件。

更具体的,所述绝缘壳体顶部在散热片组对应位置开设有多个散热通孔。

本实用新型存在优点及积极效果:本实用新型为一种高集成的片式电阻器,将多个片式电阻整合成一体,可减少整体面积,提高电路板的利用率;再者在两侧的端电极设置内凹的容焊槽,可将焊接时的焊锡收容在容焊槽内,避免距离较近的端电极出现焊锡相接触而破坏电路的情况;另外在片式电阻包封层的一侧设置有导热硅胶膜、导热金属片以及散热片组,在绝缘壳体开设散热通孔,有利于提高整体的散热性能,解决集成式电阻器热量集中不易散去的缺陷。

附图说明

图1为实施例一片式电阻器的内部结构示意图。

图2为实施例一片式电阻器的俯视剖视图。

图3为实施例二片式电阻器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述,但本实用新型的实施方式不局限于此。

如图1、图2所示,图1中顶面还包括一板块将整体密封,图中未示出;实施例一为一种高集成的片式电阻器,包括绝缘壳体1,所述绝缘壳体1内部包覆有多对平行侧向放置的片式电阻2,实施例一中以四对片式电阻2为例,所述片式电阻2包括依次排列的陶瓷基片21、厚膜电阻薄片22和包封层23以及两侧端面的一对端电极24,所述包封层23包括玻璃釉防护层231以及树脂密封层232,其中厚膜电阻薄片22印制在陶瓷基片21上,并通过玻璃釉防护层231以及树脂密封层232对厚膜电阻薄片22进行防护以及密封,再者厚膜电阻薄片22通过两端的端电极24与电路板上的相应焊接点电性连接;另外相对于传统采用多个片式电阻2焊接在电路板上,占用过多线路面积,本实用新型将多个片式电阻2整合成一体,有利于可减少整体面积,提高电路板的利用率。

更具体的,实施例一中,每对所述片式电阻2相向设置且每对相向设置的片式电阻2之间留有容置空间3,所述容置空间3的两侧设置有一对与包封层23贴合的导热硅胶膜4,所述容置空间3内设置有一对与导热硅胶膜4贴合的导热金属片5以及连接在一对导热金属片5之间设置有散热片组6,所述散热片组6包括多个平行分布且间隔均匀的金属散热片61,其中所述导热金属片5和散热片组6为铝合金材质构件,铝合金具有较好的散热性能;另外导热硅胶膜4为有机硅粘接密封胶,电绝缘性高,用于导热金属片5和包封层23之间的粘接,也可减少导热金属片5对片式电阻2的影响,具有较好的导热作用;在片式电阻2包封层23一侧设置导热硅胶膜4、导热金属片5以及散热片组6,有利于提高整体的散热性,解决集成式电阻器散热性能不好的缺陷,延长使用寿命。

更具体的,实施例一中,所述片式电阻2的端电极24延伸至绝缘壳体1侧端面的外侧,即在高集成的片式电阻器侧端面设有多个端电极24,所述端电极24在端面处设置有内凹的容焊槽241,而容焊槽241的横截面为半圆状,其直径为4mm;由于电子元件原本比较小型化,高集成的片式电阻器侧端多个端电极24较为靠近,在用锡焊焊接时可能会出现接触,而设置容焊槽241可将焊接时的焊锡收容在容焊槽241内,避免距离较近的端电极24出现焊锡相接触而破坏电路的情况。

如图3所示,实施例二为另一种高集成的片式电阻器,与实施例一不同的是,所述绝缘壳体1内部包覆有两对片式电阻2,其端电极24的容焊槽241横截面为矩形状,其边长均为3mm,另外所述绝缘壳体1顶部在散热片组6对应位置开设有多个散热通孔7,增加整体的散热性能。

虽然上述描述了本实用新型的具体实施方式,但对于本领域的技术人员应当理解上述仅是举例说明,本实用新型的保护范围是由所附权利要求书限定。本领域的技术人员在不背离本实用新型的原理和实质前提下,依然可以对上述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,而这些修改或替换均落入本实用新型的保护范围。

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