本实用新型涉及承片托盘技术领域,尤其是涉及一种电子束扫描测量仪的承片托盘。
背景技术:
电子束扫描测量仪是一种在半导体制程中用于测量晶片上图案及其关键尺寸的仪器,其工作原理为:从电子枪照射出的高能电子束,通过线圈偏转和汇聚后,照射到试样表面,通过探测激发出的二次电子获得试样表面的图像,以清晰的表面图像为基础,高精度的测量关键尺寸。
承片托盘用于在电子束扫描测量仪中将晶片从大气压环境运送到真空环境,等待交换手臂抓取,电子束扫描测量仪中的普通承片托盘由于在运送过程中的气压变化,普通承片托盘存在吸附不牢,晶片容易移位的问题。
技术实现要素:
针对上述情况,为克服现有技术的缺陷,本实用新型提供一种电子束扫描测量仪的承片托盘,有效的解决了普通承片托盘由于在运送过程中的气压变化,普通承片托盘存在吸附不牢,晶片容易移位的问题的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:本实用新型包括承片托盘本体,所述承片托盘本体的一侧设有底面,承片托盘本体上等距开设有三个沉头螺孔,底面上开设有真空通道,真空通道的一侧设有交换手臂摆动通道,承片托盘本体的中部开设有中心挖空部,真空通道的另一侧设有圆形突起,承片托盘本体两侧设有斜面,承片托盘本体的另一侧设有端面,端面的一侧开设有第一在位凹槽,端面的另一侧开设有第二在位凹槽,第一在位凹槽的一侧开设有第三在位凹槽,端面的中部开设有晶片凹槽,第二在位凹槽的一侧开设有第四在位凹槽,晶片凹槽的表面设有保护层,保护层的一侧设有吸水层,吸水层的一侧设有金属层,金属层的一侧设有耐腐蚀层,耐腐蚀层的一侧设有防静电层。
优选的,所述保护层为一种特氟龙涂层材质的构件。
优选的,所述防静电层为一种聚氨酯材质的构件。
优选的,所述第一在位凹槽和第二在位凹槽处于同一水平面。
优选的,所述第三在位凹槽和第四在位凹槽处于同一水平面。
本实用新型结构新颖,构思巧妙,成本低,结构简单,吸附牢固,耐用性强,同时预留有传感器通道,满足较多使用要求。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。
在附图中:
图1是本实用新型仰视图;
图2是本实用新型侧视图;
图3是本实用新型俯视图;
图4为本实用新型晶片凹槽剖视图;
图中标记为:1、承片托盘本体;2、底面;3、沉头螺孔;4、真空通道;5、交换手臂摆动通道;6、中心挖空部;7、圆形突起;8、斜面;9、端面;10、第一在位凹槽;11、第二在位凹槽;12、第三在位凹槽;13、晶片凹槽;14、第四在位凹槽;15、保护层;16、吸水层;17、金属层;18、耐腐蚀层;19、防静电层。
具体实施方式
下面结合附图1-4对本实用新型的具体实施方式做进一步详细说明。
实施例一,由图1、图2、图3和图4给出,本实用新型包括承片托盘本体1,承片托盘本体1的一侧设有底面2,承片托盘本体1上等距开设有三个沉头螺孔3,沉头螺孔3用于精确固定承片托盘位置,并使螺帽低于顶部平面,防止影响晶片放置和移送,底面2上开设有真空通道4,真空通道4用于吸附晶片,防止移送过程中晶片移位,真空通道4的一侧设有交换手臂摆动通道5,交换手臂摆动通道5,保证交换手臂能够顺畅摆动至中心挖空部6,承片托盘本体1的中部开设有中心挖空部6,真空通道4的另一侧设有圆形突起7,圆形突起7用于放置承片托盘时辅助限位,承片托盘本体1两侧设有斜面8,斜面8用于放置承片托盘时辅助限位,承片托盘本体1的另一侧设有端面9,端面9的一侧开设有第一在位凹槽10,端面9的另一侧开设有第二在位凹槽11,第一在位凹槽10的一侧开设有第三在位凹槽12,端面9的中部开设有晶片凹槽13,第二在位凹槽11的一侧开设有第四在位凹槽14,晶片凹槽13的表面设有保护层15,保护层15的一侧设有吸水层16,吸水层16的一侧设有金属层17,金属层17的一侧设有耐腐蚀层18,耐腐蚀层18的一侧设有防静电层19。
实施例二,在实施例一的基础上,保护层15为一种特氟龙涂层材质的构件,设置的特氟龙涂层可减小颗粒间隙,提高真空吸附紧固程度,防止晶片移位。
实施例三,在实施例一的基础上,防静电层19为一种聚氨酯材质的构件,可防止晶片凹槽13的底面发生静电吸附,避免底面聚集较多灰尘。
实施例四,在实施例一的基础上,由图1、图2和图3给出,第一在位凹槽10和第二在位凹槽11处于同一水平面,可为光传感器检测晶片在位情况提供光通路。
实施例五,在实施例一的基础上,由图1、图2和图3给出,第三在位凹槽12和第四在位凹槽14处于同一水平面,可为传感器检测晶片水平程度提供通路。
工作原理:本实用新型使用时,将晶片放置在晶片凹槽13上,设置的真空通道4用于吸附晶片,防止移送过程中晶片移位,吸附稳固,吸附完成后,即等待将晶片从大气压环境移送到真空环境中,交换手臂由中心挖空部6抬起晶片,从而将晶片移送到真空环境中,设置的第一在位凹槽10和第二在位凹槽11处于同一水平面,可为光传感器检测晶片在位情况提供光通路,设置的第三在位凹槽12和第四在位凹槽14处于同一水平面,可为传感器检测晶片水平程度提供通路,保护层15为特氟龙涂层,可减小颗粒间隙,提高真空吸附紧固程度,防止晶片移位,防静电层19可防止晶片凹槽13的底面发生静电吸附,避免底面聚集灰尘。
本实用新型结构新颖,构思巧妙,成本低,结构简单,吸附牢固,耐用性强,同时预留有传感器通道,满足较多使用要求。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。