多缺口频带超宽带平面天线的制作方法

本实用新型涉及一种天线，尤其涉及多缺口频带超宽带平面天线。

背景技术：

在uwb通信系统中，将考虑在3.1至10.6ghz的频率范围内进行通信。到目前为止，为了实现超宽带天线，人们对各种结构进行了研究。然而，在实际应用中，超宽带天线的设计仍然面临着许多挑战。其中一个挑战是避免干扰其他已经占用uwb频段的现有窄带业务。近年来，许多超宽带天线试图利用频带拒绝功能设计来克服干扰问题。最流行的具有频带拒绝功能的天线设计方法是嵌入槽(c槽，u槽，方形槽，弧形槽)，附加杆，u形杆，以及散热器或地板平面上的狭缝。然而，大多数设计只能对应的产生单缺口频带。

2013年rezaulazim，mohammadtariqulislam和ahmedtoahamobashsher所发表的“designofadualband－notchuwbslotantennabymeansofsimpleparasiticslits”，通过嵌入一个角形寄生缝和两个对称寄生缝，分别对应实现3.35－3.8ghz和5.12－5.84ghz的双缺口频带。

2016年nikithapreme.k和rkarthikeyan所发表的“triplebandnotchuwbantennaarraywithebgstructure”，通过蚀刻在贴片中部的倒u形槽在卫星业务频段[8－8.4ghz]引入一个缺口，嵌入在馈电边缘附近地面结构中的互补分裂环谐振器抑制特定频带的频率[5.1－5.8ghz]，与倒u形槽紧密放置的c形槽则对wimax[3.3－3.7ghz]进行了抑制。

2017年wengyiksam，z.zakaria所发表的“designofadual－notchedultra－wideband(uwb)planarantennausingl－shapedbandstopresonator”，通过嵌入两对l形谐振器分别实现5.15－5.35ghz和5.725－5.875ghz的双缺口频带。

2018年wasanh.althubitatalamro，mohamedk.abdelazeez所发表的“monopoletri－bandnotchedcharacteristicsuwbantennaforwimax，c－band，wlanandx－bandapplications”，在天线结构中嵌入三个插槽以创建三个缺口带，一个矩形条创建了第一个拒绝wimax的缺口和c波段应用频率。另外两个嵌套u槽被刻蚀在贴片中，以拒绝wlan频带。蚀刻在馈电线的u槽，则拒绝x波段(航空无线电导航频率)。

上述现有技术当中的这些天线中的每个结构只能分别对应地产生一个缺口频带。因此，需要n个谐振器才能实现具有n个缺口频带的超宽带天线。而使用多个谐振器将增加天线结构的复杂性。这给天线设计带来了额外的限制。

故急需一种可解决上述问题的新型天线。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供多缺口频带超宽带平面天线，可通过一个谐振寄生器产生两个缺口频率可以调整的缺口频带，简化天线结构。

为了实现上有目的，本实用新型公开了一种多缺口频带超宽带平面天线，包括超宽带单极子天线和谐振寄生器，所述超宽带单极子天线包括辐射体、金属地和与辐射体相连的馈线，所述谐振寄生器设于所述馈线侧部并与所述馈线耦合，所述寄生谐振器具有影响第一缺口频带的第一部分和影响第二缺口频带且不影响第一缺口频带的第二部分。

与现有技术相比，本实用新型通过在超宽带单极子天线的馈线侧方插入一个谐振寄生器，且谐振寄生器包括位于馈线侧方且与馈线直接耦合，谐振寄生器的第一部分影响第一缺口频带，第二部分影响第二缺口频带且不影响第一缺口频带，由于第二部分仅影响第二缺口频带的位置，不影响第一缺口频带的位置，故可通过第一部分来调节第一缺口频带，通过第二部分来调节第二缺口频带，使用一个谐振寄生器产生两个缺口频率可以调整的缺口频带，相比现有技术需要具有相同个数缺口频带的天线，本实用新型的天线结构有着更简单的结构和更易于制造的优点。

较佳地，所述第一频带为频率高于第二频带的高频频带，所述第二频带为低频频带，所述谐振寄生器包括设于所述馈线侧部并与所述馈线耦合的第一纵向谐振条、沿所述第一纵向谐振条的下端弯折延伸形成的公有横向谐振条、从所述公有横向谐振条的中间位置向上弯折延伸形成的第二纵向谐振条，所述第一纵向谐振条形成影响天线高频频带和低频频带的第一部分，所述第二纵向谐振条形成影响天线低频频带且不影响天线高频频带的第二部分。本方案中，第一纵向谐振条设于所述馈线侧部并与所述馈线直接耦合，使得第一纵向谐振条可直接影响馈线，无论低频频带还是高频频带，天线的表面电流都将分布于第一纵向谐振条上，使得第一纵向谐振条形成影响超宽带单极子天线的所有缺口频带，即所述第一纵向谐振条形成影响天线高频频带和低频频带的第一部分；而第二纵向谐振条由公有横向谐振条的中间分支而成，相对于第一纵向谐振条远离馈线且未设于第二纵向谐振条末端，在高频频带部分，天线的表面电流在第二纵向谐振条上分布很少，只有在低频频带处，电流才会分布于第二纵向谐振条上，使得第二纵向谐振条主要影响低频频带处的频带，对高频频带处的频带影响极小(可忽略其对高频的影响)，即第二纵向谐振条形成影响低频频带不影响高频频带的第二部分，可使用一个谐振寄生器分别控制两个缺口频率，相比现有技术需要具有相同个数缺口频带的天线，本实用新型的天线结构有着更简单的结构和更易于制造的优点。

更佳地，所述第一纵向谐振条与所述馈线以一定间距平行相邻，使得第二纵向谐振条相对于第一纵向谐振条远离馈线，进一步降低高频频带时电流对第二纵向谐振条的影响。

更佳地，所述第二纵向谐振条且与所述第一纵向谐振条以一定间距平行相对。

更佳地，所述第二纵向谐振条将所述公有横向谐振条分为临近所述第一纵向谐振条的第一横向谐振条和远离所述第一纵向谐振条的第二横向谐振条，且所述第二纵向谐振条的上端向外弯折延伸有一与所述第二横向谐振条平行相对的第三横向谐振条。第三横向谐振条用于调节天线的波长。

具体地，所述谐振寄生器还包括沿所述第二横向谐振条和第三横向谐振条的末端相对弯折延伸形成的两第三纵向谐振条，以及分别沿两所述第三纵向谐振条的末端向所述第二纵向谐振条方向分别弯折延伸形成两第四横向谐振条，两所述第三纵向谐振条之间具有第一预设距离的间隙，并使得所述第四横向谐振条和间隙形成所述谐振寄生器的电容部分。第三横向谐振条、第三纵向谐振条、第四横向谐振条可用于调节天线的波长，且使得谐振寄生器所占体积比较小；电容部分可在高频时，使得电流相对于低频部分向第三纵向谐振条集中，使得电流向第二纵向谐振条处的分布减小，抑制第二纵向谐振条影响高频部分，本方案中还可通过电容部分的调整可调整高频部分和低频部分的频带，使得电容部分形成第一部分。

更佳地，所述第一纵向谐振条和公有横向谐振条的宽度小于所述第二纵向谐振条的宽度。

更具体地，所述第一纵向谐振条的长度l1＝7mm，所述第一横向谐振条的长度l2＝1.5mm，所述第二纵向谐振条的长度l3＝6.2mm，所述第二横向谐振条和第三横向谐振条的长度l4＝4mm，所述第一预设距离的长度l5＝0.9mm，第四横向谐振条的长度l6＝1mm，第三纵向谐振条的长度l7＝2.8mm，所述第一纵向谐振条、第一横向谐振条、第二横向谐振条的宽度为3mm，所述第二纵向谐振条、第三横向谐振条、第三纵向谐振条和第四横向谐振条的宽度为5mm。

较佳地，所述超宽带单极子天线还包括介质基板，所述辐射体和馈线设于所述介质基板的正面，且所述馈线的末端延伸至所述介质基板的底线处，所述金属地设于所述介质基板的背面。

具体地，所述金属地由两块呈方形金属贴片组成，两所述方形金属贴片分别与所述馈线两侧的位置相对。

其中，所述辐射体呈圆形且其半径为10mm，其圆心距介质基板的底线25mm，所述介质基板的厚度为1.55mm，介质常数为4.3，面积为40mm×36mm，所述馈线的阻抗为50欧姆。所述方形金属贴片的长为16.5mm，宽为14mm。

所述第一纵向谐振条与所述馈线平行且与所述馈线相距0.3mm。

为了实现上述目的，本实用新型还公开了一种多缺口频带超宽带平面天线，包括超宽带单极子天线和谐振寄生器，所述超宽带单极子天线包括辐射体、金属地和与辐射体相连的馈线，所述谐振寄生器包括设于所述馈线侧部并与所述馈线耦合的第一纵向谐振条、沿所述第一纵向谐振条的下端弯折延伸形成的公有横向谐振条、从所述公有横向谐振条的中间位置向上弯折延伸形成的第二纵向谐振条。

与现有技术相比，第一纵向谐振条设于所述馈线侧部并与所述馈线直接耦合，使得第一纵向谐振条可直接影响馈线，对天线频带的影响宽度广，可影响天线上的多个频带，将其中两个频带称为低频频带和高频频带，调节第一纵向谐振条将会影响天线上低频频带和高频频带两个缺口的位置。第二纵向谐振条由公有横向谐振条的中间分支而成，相对于第一纵向谐振条远离馈线且未设于第二纵向谐振条末端，对频带影响的范围小且频带位置偏低，调节第二纵向谐振条将主要影响低频频带处的频带，对高频频带处的频带影响极小(可忽略其对高频的影响)，故通过第二纵向谐振条来单独调节低频频带的缺口位置，可使用一个谐振寄生器分别控制两个缺口频带的缺口频率，相比现有技术需要具有相同个数缺口频带的天线，本实用新型的天线结构有着更简单的结构和更易于制造的优点。

较佳地，所述第一纵向谐振条与所述馈线以一定间距平行相邻。

较佳地，所述第二纵向谐振条且与所述第一纵向谐振条以一定间距平行相对。

较佳地，所述第二纵向谐振条将所述公有横向谐振条分为临近所述第一纵向谐振条的第一横向谐振条和远离所述第一纵向谐振条的第二横向谐振条，且所述第二纵向谐振条的上端向外弯折延伸有与所述第二横向谐振条平行相对的第三横向谐振条。

更佳地，所述谐振寄生器还包括沿所述第二横向谐振条和第三横向谐振条的末端相对弯折延伸形成的两第三纵向谐振条，以及分别沿两所述第三纵向谐振条的末端向所述第二纵向谐振条方向分别弯折延伸形成两第四横向谐振条，两所述第三纵向谐振条之间具有第一预设距离的间隙，并使得所述第四横向谐振条和间隙形成所述谐振寄生器的电容部分。其中，第三横向谐振条、第三纵向谐振条、第四横向谐振条可用于调节天线的波长，且使得谐振寄生器所占体积比较小；电容部分可在高频时，使得电流相对于低频部分向第三纵向谐振条集中，使得电流向第二纵向谐振条处的分布减小，抑制第二纵向谐振条影响高频部分，本方案中还可通过电容部分的调整可调整高频部分和低频部分的频带。

较佳地，所述第一纵向谐振条和公有横向谐振条的宽度小于所述第二纵向谐振条的宽度。

较佳地，所述第一纵向谐振条与所述馈线平行且与所述馈线相距0.3mm。

附图说明

图1a是本实用新型第一实施例中超宽带平面天线的正面结构示意图。

图1b是本实用新型第一实施例中超宽带平面天线的背面结构示意图。

图1c是本实用新型第一实施例中寄生谐振器的结构示意图。

图1d是区别于第一实施例的另一实施例。

图2a是本实用新型第二实施例中超宽带平面天线的正面结构示意图。

图2b是本实用新型第二实施例中寄生谐振器的结构示意图。

图3a是本实用新型第三实施例中超宽带平面天线的正面结构示意图。

图3b是本实用新型第三实施例中寄生谐振器的结构示意图。

图4是本实用新型第四实施例中超宽带平面天线的正面结构示意图。

图5是本实用新型第四实施例中超宽带平面天线的背面结构示意图。

图6是本实用新型第四实施例中寄生谐振器的结构示意图。

图7是第四实施例中没有加载寄生谐振器的情况下天线反射系数随频率变化的曲线。

图8是第四实施例中加载寄生谐振器的情况下天线反射系数随频率变化的曲线。

图9是第四实施例中优化l1长度时，天线的仿真反射系数随频率变化的曲线。

图10是第四实施例中优化l6长度时，天线的仿真反射系数随频率变化的曲线。

图11是第四实施例中优化l3长度时，天线的仿真反射系数随频率变化的曲线。

图12是本实用新型区别于第四实施例的另一实施例。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

参考图1a至图1c，本实用新型公开了一种具有多缺口频带的超宽带平面天线100a，包括超宽带单极子天线10和谐振寄生器20a，所述超宽带单极子天线10包括辐射体11、金属地12和与辐射体11相连的馈线13，所述谐振寄生器20a设于所述馈线13侧部并与所述馈线13耦合，所述寄生谐振器20a具有影响第一缺口频带的第一部分和影响第二缺口频带且不影响第一缺口频带的第二部分。其中，第一频带和第二频带均为超宽带平面天线100a的两个缺口频带。本实用新型通过设置一个影响第二缺口频带且不影响第一缺口频带的特有部分(第二部分)，和影响第一缺口频带的第一部分来分别调节第一缺口频带和第二缺口频带的位置，实现一个谐振寄生器20a调节两个缺口频带的效果。以下将第二部分称为特有部分。

其中，通过寄生谐振器20a的结构以及寄生谐振器20a上谐振条相对于馈线13的位置距离来确定寄生谐振器20a上影响不同缺口频带的部分，从而设计出需要的第一部分和第二部分。

在本实施例中，第一缺口频带为高频频带，第二缺口频带为低频频带。

继续参考图1a至图1c，所述谐振寄生器20a包括设于所述馈线13侧部并与所述馈线13耦合的第一纵向谐振条211、沿所述第一纵向谐振条211的下端弯折延伸形成的公有横向谐振条、从所述公有横向谐振条的中间位置向上弯折延伸形成的第二纵向谐振条221。第一纵向谐振条211与馈线13耦合并形成影响低频频带且影响高频频带的第一部分，第二纵向谐振条221为从公有横向谐振条的中间伸出的分支并形成影响低频频带且不影响高频频带的特有部分。由于本实施例中，第一部分影响高频频带和低频频带两个缺口，故将第一部分称为公共部分。

参考图1c，第二纵向谐振条221将公有横向谐振条分为第一横向谐振条212和第二横向谐振条213。本实施例中，第二纵向谐振条221在公有横向谐振条的结点相对于公有横向谐振条的末端临近所述第一纵向谐振条211。其中，公有横向谐振条与第一纵向谐振条211的末端相接也形成影响低频频带且影响高频频带的公共部分。

其中，第二纵向谐振条221与所述第一纵向谐振条211以一定间距平行相对。

其中，本实施例中，所述第二纵向谐振条221的宽度宽于所述第一纵向谐振条211的宽度。具体地，第二纵向谐振条221的宽度还宽于公有横向谐振条212的宽度。第一纵向谐振条211和公有横向谐振条的宽度为3mm，所述第二纵向谐振条221的宽度为5mm。当然，谐振条宽度可由技术人员依据实际需要进行设置，并不限制在上述数值。

继续参考图1a和图1b，所述超宽带单极子天线100还包括介质基板30，所述辐射体11、馈线13和谐振寄生器20a设于所述介质基板30的正面，且所述馈线13的末端延伸至所述介质基板30的底线处，所述金属地12设于所述介质基板30的背面。其中，所述辐射体11呈圆形且其半径为10mm，其圆心距介质基板30的底线25mm，所述介质基板30的厚度为1.55mm，介质常数为4.3，所述馈线的阻抗为50欧姆。本实施例中，介质基板30为fr4材料板，介质基板30为面积40mm×36mm的长方形。所述金属地12由两块呈方形金属贴片组成，两所述方形金属贴片分别与所述馈线13两侧的位置相对。所述方形金属贴片的长为16.5mm，宽为14mm。当然，天线的具体尺寸厚度可由本领域技术人员依据实际需要进行设置，并不限制在本方案。

本实施例中，谐振寄生器20a与所述馈线13平行且与所述馈线13相距0.3mm。具体地，第一纵向谐振条211与所述馈线13平行且与所述馈线13相距0.3mm。该距离可由本领域技术人员依据实际需要进行设置，并不限制在该数值。

其中，本实施例中，谐振寄生器20a设于馈线13的右侧，当然，谐振寄生器20a也可以设置于馈线13的左侧(如图1d所示)。具体地，谐振寄生器20a正向设置于馈线13侧部(第一纵向谐振条211上端朝上设置)，当然谐振寄生器20a也可以倒立设于馈线13侧部(第一纵向谐振条211上端朝下设置)。

本实施例中，谐振寄生器20a位于辐射体11的下方并未超出辐射体11左右侧的边沿。

参考图2a和图2b，为本实用新型第二实施例，基于第一实施例，在该实施例中，所述超宽带单极子天线10b的寄生谐振器20b还包括沿所述第二纵向谐振条221上端向远离所述馈线13一侧弯折延伸并与第二横向谐振条213位置相对的第三横向谐振条222，所述公共部分还包括所述第三横向谐振条222。第三横向谐振条222的长度为4mm，第三横向谐振条222为公共部分。在本实施例中，第三横向谐振条222的长度等于第二横向谐振条213的长度。

参考图3a和图3b，为本实用新型第三实施例，基于第二实施例，在该实施例中，所述超宽带单极子天线10c的寄生谐振器20c还沿所述第二横向谐振条213和第三横向谐振条222的末端相对弯折延伸形成的两第三纵向谐振条223，两个第三纵向谐振条223之间具有第一预设距离的间隙225。第三横向谐振条222的长度l4＝4mm，所述间隙225的宽度l5＝0.9mm，第三纵向谐振条223的长度l7＝2.8mm。所述第三横向谐振条222、间隙225、第三纵向谐振条223为公共部分。

参考图4至图6，为本实用新型的第四实施例，基于第三实施例，所述超宽带单极子天线100的谐振寄生器20还包括分别沿两所述第三纵向谐振条223的末端向所述第二纵向谐振条213方向分别弯折延伸形成两个第四横向谐振条224，两个第三纵向谐振条223之间具有第一预设距离的间隙225，并使得所述第四横向谐振条224和间隙225形成所述谐振寄生器22的电容部分。具体来说：

参考图4至图6，所述超宽带单极子天线100包括辐射体11、金属地12和馈线13，所述谐振寄生器20包括设于所述馈线13侧部并与所述馈线13耦合的第一纵向谐振条211、沿所述第一纵向谐振条211的下端弯折延伸形成的公有横向谐振条212、从所述公有横向谐振条212的中间位置向上弯折延伸形成的第二纵向谐振条22、沿所述第二纵向谐振条221上端向远离所述馈线13一侧弯折延伸的第三横向谐振条222、沿公有横向谐振条212和和第三横向谐振条222的末端相对弯折延伸形成的两第三纵向谐振条223，以及分别沿两所述第三纵向谐振条223的末端向所述第二纵向谐振条213方向分别弯折延伸形成两个第四横向谐振条224，两个第三纵向谐振条223之间具有第一预设距离的间隙225，并使得所述第四横向谐振条224和间隙225形成所述谐振寄生器22的电容部分。在本实施例中，第二纵向谐振条221的上下两端分别向外延伸形成两个具有一定间距的勾状体。第二纵向谐振条221将公有横向谐振条分为第一横向谐振条212和第二横向谐振条213，第三横向谐振条222和第二横向谐振条213平行相对。

其中，本实施例中，所述第二纵向谐振条221的宽度宽于所述第一纵向谐振条211的宽度。具体地，第二纵向谐振条221的宽度还宽于公有横向谐振条212的宽度。第一纵向谐振条211和公有横向谐振条的宽度为3mm，所述第二纵向谐振条221的宽度为5mm。

本实施例中，第一纵向谐振条211与所述馈线13平行相邻且与所述馈线13相距0.3mm。本实施例中，谐振寄生器20设于馈线13的右侧。第一纵向谐振条211的左侧与馈线13以一定间隙平行设置，右侧与第二纵向谐振条221以一定间隙平行设置。第二纵向谐振条221的右侧与电容部分以一定间距相对设置。当然，谐振寄生器20也可以设置于馈线的右侧。在本实施例中，谐振寄生器20正向设置于馈线13侧部(第一纵向谐振条211上端朝上设置)，当然谐振寄生器20也可以倒立设于馈线13侧部(如图12所示)。

参考图4，谐振寄生器20位于辐射体11的下方并未超出辐射体11左右侧的边沿。

继续参考图6，所述第一纵向谐振条211的长度l1＝7mm，所述第一横向谐振条212的长度l2＝1.5mm，所述第二纵向谐振条221的长度l3＝6.2mm，所述第二横向谐振条213、第三横向谐振条222的长度l4＝4mm，所述间隙225的宽度l5＝0.9mm，第四横向谐振条224的长度l6＝1mm，第三纵向谐振条223的长度l7＝2.8mm。

在本实施例中，所述第二纵向谐振条221形成特有部分，所述第一纵向谐振条211、第一横向谐振条212、第二横向谐振条213、第三横向谐振条222、间隙225、第四横向谐振条224、第三纵向谐振条223形成公共部分。

以本实施例距离，超宽带单极子天线10可满足3.1至10.6ghz的超宽带单极子天线。图7展示了本实施中没有寄生谐振器20的情况下天线的反射系数随频率变化的曲线。图8展示了本实施中加载寄生谐振器20的情况下天线100的反射系数随频率变化的曲线。由图8可以看出，天线100的仿真回波损耗在3.68－4.22ghz、5.03－6.03ghz频率范围内都高于－10db，满足c波段卫星下行频率的3.7－4.2ghz和无线局域网络wlan的5.15－5.825ghz。因此，在加载了寄生谐振器20的情况下，天线100得到完整覆盖c波段卫星下行频率和无线局域网络wlan的双缺口频带天线。本实施例中，天线100为双缺口频带天线。

当电流集中在寄生谐振器20上时，就会发生对所提议天线的激发态电流的破坏性干扰，这使得天线在缺口频率上变得不灵敏。本实用新型天线100在4ghz时，4ghz处电流相当一部分集中在所述寄生谐振器20的第二纵向谐振条221，受控于特有部分。本实施例中，电流集中在第一纵向谐振条211、第一横向谐振条212、第二纵向谐振条221、第三横向谐振条222、第二横向谐振条213、第三纵向谐振条223上，尤其是上端的第三纵向谐振条223上。5.5ghz处电流主要集中公共部分，特有部分对其影响不大。其中，电流集中在第一纵向谐振条211、第一横向谐振条212、第三横向谐振条222、第二横向谐振条213、第三纵向谐振条223上，尤其是下端的第三纵向谐振条223上。所以本实用新型可通过改变公共部分实现两个缺口频带的共同移动，改变特有部分实现低频处缺口频带的单独移动。

由于所述寄生谐振器20的公共部分对天线产生的双缺口频带均有影响，增加公共部分长度将使天线的两个频率中心往低频方向平移。特有部分主要对天线产生的双频带中的低频部分产生影响，增加特有部分的长度将使天线产生的双频带中的低频部分往低频部分移动，而对高频部分的频带影响很小。

具体参考图9至图11，分别展示了优化第一纵向谐振条211的长度l1、第四横向谐振条224的长度l6、第二纵向谐振条221的长度l3时，天线100的仿真反射系数随频率变化的曲线。从图9和图10可以看出，当第一纵向谐振条211的长度l1、第四横向谐振条224的长度l6逐渐增大时，天线的两个缺口频带同时往低频处移动，展示了寄生谐振器20中第一纵向谐振条211的长度l1和第四横向谐振条224的长度l6对调节两个缺口频带的移动起到关键作用。

图11中，当第二纵向谐振条221的长度l3逐渐增大时，天线的两个缺口频带中的低频部分往低频处移动，而高频部分的缺口频带基本不变，展示了寄生谐振器20中第二纵向谐振条221的长度l3对调节两个缺口频带中的低频处缺口频带移动起到关键作用。

以上公开了使用一个寄生谐振器调节天线两个缺口频带的实施例，当然可以使用多个寄生谐振器调节天线的频带，只要其中一个寄生谐振器位于馈线侧部且具有公共部分和特有部分，从而可以调节两个缺口频带均属于本实用新型所要保护的范围。例如，设置两个寄生谐振器，一个寄生谐振器为本实用新型所公开的寄生谐振器，可调节3.68－4.22ghz、5.03－6.03ghz两个频带，第二个寄生谐振器可为普通寄生谐振器，用于调整另一频带。当然，也可以设置两个本实用新型所公开的寄生谐振器，分别调节四个频带。

本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“正面”、“背面”、“上端”、“下端”、“左端”、“右端”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不能认定为所指示的元件或者装置是特定的方位。

以上所揭露的仅为本实用新型的优选实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。