1.一种利用二氧化铪钝化增强型低维纳米探测器，包括p型si衬底(1)、sio2氧化层(2)、源极(4)和漏极(5)，其特征在于：
所述的探测器的结构为：在p型si衬底(1)上有sio2氧化层(2)，在sio2氧化层上有cds纳米带(3)，在cds纳米带上左右两端制作源极(4)和漏极(5)，在源极和漏极中间cds纳米带上沉积钝化介质层(6)；
所述的p型si衬底(1)是硼重掺杂，电阻率小于0.05ω·cm；
所述的sio2氧化层(2)的厚度是280纳米；
所述的cds纳米带(3)的厚度是50～80纳米,长宽分别是10～20微米、2微米；
所述的源极(4)和漏极(5)为cr和au电极，下层cr厚度为15纳米，上层au厚度为45纳米；
所述的钝化介质层(6)是hfo2，厚度是20纳米。