一种发光二极管的制作方法

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种使电流扩展更均匀的发光二极管。

背景技术：

目前正装LED的常规工艺制程，是通过刻蚀外延层至N型层，将N型层露出，并在露出的N型层表面制作N电极，在P型层的表面制作P电极。当LED注入电流时，在P、N电极连线的弧形区域电流密度显著高于其他区域，并且随着电流的增大、点亮时间的增加，高电流密度区域温度会明显升高，器件的半导体电阻也会明显增大，从而降低了内量子效率；同时温度上升，会降低高电流密度区域的LED的工作特性和可靠性。

同时，常规结构的LED中，需在外延层表面预留区域制作P、N电极，当芯粒尺寸进一步缩小时，由于P、N电极过于接近,从而限制了芯粒尺寸的缩小。

技术实现要素：

为解决以上问题，本实用新型提供了一种发光二极管，可以提高电流扩展均匀性，缩小芯粒尺寸。具体技术方案如下：

一种发光二极管,至少包括从下至上依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层，以及与N型半导体层电性连接的N电极、与P型半导体层电性连接的P电极，所述P电极包括位于P型半导体层表面的P焊盘和P扩展条，其特征在于：所述N电极包括位于N型半导体层侧面的N焊盘以及位于N型半导体层表面并环绕所述发光层和P型半导体层的N扩展条，所述P扩展条末端与N扩展条距离相同。

优选的，所述P焊盘位于P型半导体层表面的中心位置。

优选的，所述N焊盘为复数个均匀分布的块状。

优选的，所述N焊盘的数量为2个以上。

优选的，所述N焊盘为绕N型半导体层侧面的环状。

优选的，所述P扩展条为复数个均匀分布的条状。

优选的，所述P扩展条的数量为2个以上。

优选的，所述发光层和P型半导体层侧面设置电流阻挡层。

优选的，所述P电极和P型半导体之间还设置有透明导电层。

本实用新型通过在P型半导体层表面设置具有P焊盘和P扩展条的P电极，在N型半导体层的侧面设置N焊盘以及在N型半导体层的表面设置环绕发光层和P型半导体层的环状N扩展条，并使P扩展条末端与N扩展条距离相同，从而促进电流扩展，提高电流扩展的均匀性。另外，由于N焊盘位于N型半导体层的侧面，芯粒尺寸则可以进一步缩小。

附图说明

图1为本实用新型之发光二极管俯视图。

图2为沿图1线A-A的截面图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型LED芯片进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

实施例1

参看附图1和2，本实用新型提供的一种发光二极管,至少包括从下至上依次层叠的衬底10、N型半导体层20、发光层30、P型半导体层40，以及与N型半导体层电性连接的N电极70、与P型半导体层电性连接的P电极60，发光层30和P型半导体层40侧面设置电流阻挡层80。

本实施例还包括于P电极60和P型半导体层40之间设置的透明导电层50，电流阻挡层80则覆盖发光层30、P型半导体层40和电流阻挡层80的侧面。

如附图1所示，P电极60包括位于P型半导体层40表面的P焊盘61和P扩展条62，P焊盘61位于P型半导体层40表面的中心位置，P扩展条62与P焊盘61连接并沿P型半导体层40表面从中心向边缘延伸，P扩展条62为复数个均匀分布的条状，数量为2个以上，本实施例中设置对称分布的8个P扩展条62。

如附图1所示，N电极70包括位于N型半导体层20侧面的N焊盘71以及位于N型半导体层20表面并环绕发光层30和P型半导体层40的N扩展条72。N焊盘71为复数个均匀分布的块状，数量为2个以上。

如附图1所示，P扩展条62末端与N扩展条72距离相同,例如图中所示的L1=L2。点亮LED时，点亮由P焊盘61注入LED，电流沿P扩展条62扩展至其末端，同时由透明导电层50、P型半导体层40、发光层30、N型半导体层20流至环形的N扩展条62和N焊盘61，此过程中，由于P扩展条62末端与N扩展条72距离相同，从而使促进电流扩展，提高电流扩展的均匀性。

本实用新型通过在P型半导体层表面设置具有P焊盘和P扩展条的P电极，在N型半导体层的侧面设置N焊盘以及在N型半导体层的表面设置环绕发光层和P型半导体层的环状N扩展条，并使P扩展条末端与N扩展条距离相同，从而促进电流扩展，提高电流扩展的均匀性。另外，由于N焊盘位于N型半导体层的侧面，芯粒尺寸则可以进一步缩小。

实施例2

本实施例的发光二极管，与实施一的区别在于，N焊盘为绕N型半导体层侧面的环状。环状N焊盘可以将原本从侧面射出的光反射回来，增加正面的出光量，从而提升亮度；同时较大的焊盘面积，可以降低焊线难度。

应当理解的是，上述具体实施方案为本实用新型的优选实施例，本实用新型的范围不限于该实施例，凡依本实用新型所做的任何变更，皆属本实用新型的保护范围之内。