技术总结
本实用新型提供了一种微型LED器件及微型LED阵列，涉及半导体发光器件技术领域。具体地，通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能，形成两个高电阻区，该区域具有较高的电阻，以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本实用新型保留了LED外延层的平面结构，避免了在LED发光区域外围形成台阶结构，有利于器件的微缩，有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。
技术研发人员：黎子兰;李成果;张树昕
受保护的技术使用者：广东省半导体产业技术研究院
技术研发日：2019.04.18
技术公布日：2019.10.29