1.一种高分辨率显示的tft结构，包括tft区域结构，其特征在于，所述tft区域结构包括玻璃层，在所述tft区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述tft区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔，所述tft区域结构的第三绝缘层上设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且连通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二金属层，所述第二金属层与所述第一半导体层接触，所述tft区域结构的第五绝缘层上设有第三过孔，所述tft区域结构的第一有机层上设有第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且连通，所述第三过孔和所述第四过孔中均填充有第四金属层，所述第四金属层与所述tft区域结构的第三金属层远离tft区域结构的玻璃层的一侧面接触。
2.根据权利要求1所述的高分辨率显示的tft结构，其特征在于，所述tft区域结构还包括第六绝缘层，所述第六绝缘层设置在所述tft区域结构的第四绝缘层和第三金属层之间，且分别与所述tft区域结构的第四绝缘层远离tft区域结构的玻璃层的一侧面和tft区域结构的第三金属层靠近tft区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述第六绝缘层上设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第三金属层，所述第三金属层与所述第二半导体层接触。
3.根据权利要求1所述的高分辨率显示的tft结构，其特征在于，还包括电容区域结构，所述电容区域结构包括玻璃层，在所述电容区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述电容区域结构的第三绝缘层上设有第六过孔，所述电容区域结构的第四绝缘层上设有第七过孔，所述第六过孔和第七过孔相对设置且连通，所述第六过孔和第七过孔中均填充有第三金属层，所述第三金属层与所述电容区域结构的第一金属层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面接触。
4.根据权利要求3所述的高分辨率显示的tft结构，其特征在于，所述电容区域结构还包括第六绝缘层，所述第六绝缘层设置在所述电容区域结构的第四绝缘层和第三金属层之间，且分别与所述电容区域结构的第四绝缘层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面和电容区域结构的第三金属层靠近电容区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述第六绝缘层上设有第八过孔，所述第八过孔中填充有第三金属层。
5.根据权利要求3-4任意一项所述的高分辨率显示的tft结构，其特征在于，所述电容区域结构的第一金属层、第二金属层和第三金属层构成电容器的三个极板。
6.根据权利要求1所述的高分辨率显示的tft结构，其特征在于，所述tft区域结构的第二有机层设有第九过孔，所述第九过孔填充有有机发光材料层，所述有机发光材料层与所述tft区域结构的第四金属层远离tft区域结构的玻璃层的一侧面接触。