技术总结
本实用新型实施例公开了一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，包括基板和MOSFET芯片，基板的顶部设有用于安装MOSFET芯片的置入槽，基板的顶端向外侧延伸设有漏极板，置入槽的底部设有散热层，且散热层延伸至漏极板上，基板的槽壁上和漏极板的底部均安装有一端与散热层的散热片，通过设置的散热片充分利用了散热层的面积，大大增加了MOSFET芯片的散热面积和散热速度，有利于MOSFET芯片工作的稳定，且在散热层的表面安装有与MOSFET芯片的漏极电性连接的导电层，导电层延伸至漏极板上，使MOSFET芯片的漏极与MOSFET芯片上的源极和栅极均位于正面，减小了漏极和源极之间的距离，从而提高了MOSFET芯片的导电效果。
技术研发人员：高苗苗
受保护的技术使用者：深圳市冠禹半导体有限公司
技术研发日：2019.05.15
技术公布日：2019.12.31