一种LED显示结构的制作方法

本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，特别是涉及一种led显示结构。

背景技术：

随着led的应用场景的不断丰富，人们对led的性能尺寸要求越来越高，led显示器件，正朝着高密度、高分辨率的方向不断发展。芯片尺寸是解决尺寸小型化的关键技术问题。使用现有芯片，在灯珠或显示器件设计时，需预留线三个芯片的位置和避免固晶机台精度问题预留的芯片间距，尺寸很难继续大幅度减小。

技术实现要素：

本实用新型通过使用集成式的led芯片，可以极大减少芯片尺寸，只需一个芯片，其具有多个独立控制的发光点，可有效的降低led显示的间距，提高显示密度，提升显示质量。

本实用新型的技术方案为：

一种led显示结构，包括基板，所述基板设有焊盘，所述焊盘上设有led集成芯片，所述led集成芯片包含有若干个独立控制的发光点，所述led集成芯片的电极通过键合线与所述基板的电路导通，所述发光点的顶部设有量子点层，所述量子点层的顶部设有滤光层，利用封装胶将所述发光点、量子点层和滤光层组成的发光单元进行封装。

基板上包含有多个发光单元，每个发光单元内均放置led集成芯片，一个led集成芯片包含多个发光点，降低了led显示的间距，同时在芯片上的发光点上分别喷涂量子点形成量子点层，以获取不同颜色的光，在量子点层的外部设置滤光层，用于吸收激发光源波段的光，提升光源质量和显示质量，最后在外部模造有封装胶，为芯片、量子点和内部线路提供隔离水氧的应用环境，实现led高密度显示。

进一步，所述led集成芯片包括正装芯片、倒装芯片或垂直芯片。

进一步，所述led集成芯片为共极或非共极结构。

进一步，若干个所述发光点之间的间距为2-50um。

优选地，若干个所述发光点之间的间距为26um。

对同一led集成芯片上的多个发光点之间的间距合理设置，设置间距为2-50um，间距非常小，而现有的led发光是采用单个芯片单个发光点，其相比led集成芯片，不仅多了两个芯片，还需预留出解决固晶误差的间距,所以本设计大大缩小了led之间的显示间距，使其发光更密集，同时，间距进行最优设置为26um，避免邻近的两个发光点之间的发光范围相互覆盖，保证在最大程度上充分利用发光范围的同时保持间距极小的紧密接触，节省设计成本，优化发光效果。

进一步，所述基板包括杯碗型基板、平板型阵列发光单元基板、多层线路基板和带驱动ic的多层线路阵列发光单元基板。

进一步，所述滤光层包括滤光膜。量子点层外部覆盖上市售的滤光膜，不同颜色的发光点覆盖不同颜色的滤光膜。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是共极式正装芯片应用在本实用新型的俯视示意图；

图3是非共极式正装芯片应用在本实用新型的俯视示意图；

图4是垂直芯片应用在本实用新型的俯视示意图；

图5是倒装芯片应用在本实用新型的俯视示意图；

图中：1-基板、2-led集成芯片、3-发光点、4-量子点层、5-滤光层、6-封装胶、7-共极式正装芯片、8-非共极式正装芯片、9-垂直芯片、10-倒装芯片。

具体实施方式

附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。

实施例1：

如图1所示，一种led显示结构，包括带电路的基板1，基板1设有焊盘，焊盘上通过固晶胶固定有led集成芯片2，led集成芯片2包含有3个独立控制的发光点3，分别为红、绿、蓝三种颜色的发光点3，led集成芯片2的电极通过键合线与基板1的电路导通，每个发光点3的顶部分别喷涂不同颜色的量子点形成对应的红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层，以获取不同颜色的光，每个量子点层4的顶部均覆盖有对应颜色的滤光层5，滤光层5包括市售的滤光膜，最后利用封装胶6将发光点3、量子点层4和滤光层5组成的发光单元进行封装，为芯片、量子点和内部线路提供隔离水氧的应用环境，实现led高密度显示。

基板1上包含有多个发光单元，每个发光单元内均放置led集成芯片2，一个led集成芯片2包含多个发光点3，同时在芯片上的发光点3上分别喷涂量子点形成量子点层4，以获取不同颜色的光，在量子点层4的外部设置滤光层5，用于吸收激发光源波段的光，提升光源质量和显示质量，最后在外部模造有封装胶6，为芯片、量子点和内部线路提供隔离水氧的应用环境，实现led高密度显示。

在本实施例中，对同一led集成芯片2上的多个发光点3之间的间距合理设置，设置间距为2-50um，间距非常小，而现有的led发光是采用单个芯片单个发光点，其相比led集成芯片，不仅多了两个芯片，还需预留出解决固晶误差的间距,所以本设计大大缩小了led之间的显示间距，使其发光更密集，同时，间距进行最优设置为26um，避免邻近的两个发光点3之间的发光范围相互覆盖，保证在最大程度上充分利用发光范围的同时保持间距极小的紧密接触，节省设计成本，优化发光效果。

在本实施例中，量子点层4分为红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层，红光量子点层为混合有能受led集成芯片发出的光激发产生波长在615-680nm红光的红光量子点材料的硅胶或环氧胶，绿光量子点层为混合有能受led集成芯片发出的光激发产生波长在518-580nm绿光的绿光量子点材料的硅胶或环氧胶，蓝光量子点层为混合有能受led集成芯片发出的光激发产生波长在420-480nm蓝光的蓝光量子点材料的硅胶或环氧胶。

在本实施例中，基板1包括杯碗型基板、平板型基板、多层线路阵列发光单元基板和带驱动ic的多层线路阵列发光单元基板。

在本实施例中，led集成芯片2包括正装芯片、倒装芯片或垂直芯片，led集成芯片为共极或非共极结构。

实施例2：

如图2所示，本实施例与实施例1相似，所不同之处在于，以led集成芯片采用共极式正装芯片7进行显示应用，可看到，共极式正装芯片7的三个发光点上均设有一个阴电极，共用一个阳电极，三个阴电极和一个阳电极均通过键合线与基板1的电路引脚进行连接导通。

实施例3：

如图3所示，本实施例与实施例1相似，所不同之处在于，以led集成芯片采用非共极式正装芯片8进行显示应用，可看到，非共极式正装芯片8的三个发光点上均设有一个阴电极和一个阳电极，三个阴电极和三个阳电极均通过键合线与基板1的电路引脚进行连接导通。

实施例4：

如图4所示，本实施例与实施例1相似，所不同之处在于，以led集成芯片采用垂直芯片9进行显示应用，可看到，垂直芯片9的三个发光点上均设有一个阴电极，其底部采用金属材质作为阳电极之间与电路焊盘进焊接，阴电极通过键合线与基板1的电路引脚进行连接导通。

实施例5：

如图5所示，以led集成芯片采用倒装芯片10进行显示应用，倒装芯片10包括共极式和非共极式，其中，共极式倒装芯片与实施例2中的共极式正装芯片7的结构顺序相反，非共极式倒装芯片与实施例3中的非共极式正装芯片8的结构顺序相反，在安装共极式倒装芯片或非共极式倒装芯片时，均是将阴电极与阳电极通过与基板1的焊盘进行焊接连接，使电极与基板1的电路连接导通，由于安装共极式倒装芯片或非共极式倒装芯片均为电极与基板1直接焊接接触，其顶面的结构相同，所以安装共极式倒装芯片或非共极式倒装芯片安装在基板1上时，其俯视图相同，即如图5所示，既可表示共极式倒装芯片应用在基板1上的俯视图，也可以表示非共极式倒装芯片应用在基板1上的俯视图。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。