光学挡墙结构的制作方法

本实用新型是有关于一种光电机构的结构，特别是关于一种在光电机构上形成挡墙的结构。

背景技术：

现有的光传感器包括一发光单元及一感光单元，发光单元所发射的光线被侦测物反射后，可由感光单元接收并输出一感测信号。为了避免发光单元所发出的光线直接传递到感光单元，现有的光传感器会在发光单元与感光单元之间设置挡墙，让发光单元只在预定的方向发出光线，并让感光单元只感测来自预定方向的光线，因此增加光传感器的可靠度。

现有光传感器的挡墙多是通过射出成型(injectionmolding)等模塑方式来形成，但此制程有其不足在于：(1)易有溢胶问题，因而降低良率；(2)易因模塑偏移(moldshift)而影响精度，且不利小型化；(3)需针对不同挡墙造型分别制作模具，因而增加成本。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种可提高精度并降低成本的光电机构制程。

为了达成上述及其他目的，本实用新型提供一种光学挡墙结构，其包括一基板、一第一挡墙层及一第二挡墙层，基板具有一工作面，第一挡墙层形成于工作面上，且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗；第二挡墙层形成于第一挡墙层上，且第二挡墙层围构一第二开窗，第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层，且第二开窗的轮廓大于第一开窗。

经由上述方法所形成的挡墙精度高，加工成本得以下降，且光电机构的电路设计自由度得以提高，即便修改开窗位置或形状，也不须如先前技术般重新制作或修改模具。并且，通过多次光固化一次蚀刻的方法，能够使多层挡墙层具有不同的轮廓，也能提升整体挡墙层的厚度，因此大幅提高设计自由度。

有关本实用新型的其它功效及实施例的详细内容，配合附图说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1至图12为本实用新型第一实施例的制作方法示意图；

图13为本实用新型光学挡墙结构的另一实施例。

符号说明

10基板11工作面

20第一挡墙膜20a第一挡墙层

21第一挡墙区22第一非挡墙区

30第一光罩40第二挡墙膜

40a第二挡墙层41第二挡墙区

42第二非挡墙区50第二光罩

60开窗601第一开窗

602第二开窗603第三开窗

70光电单元80胶体

90a第三挡墙层

具体实施方式

本实用新型是一种以多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法及其光学挡墙结构，所述光学挡墙结构可应用于发光设备、感光设备或同时具有发光与感光功能的设备，例如先前技术所述的光传感器，所述光传感器可应用于但不限于遥控器、侧距仪。

以下通过图1至图12说明以多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法的其中一实施方式。

请参考图1，首先提供一基板10，其具有一工作面11，该基板10可以是预制有电路的电路板或led用的导线架，举例而言，基板10具有绝缘基材及形成于绝缘基材的电路结构及电接点，所述绝缘基材例如是环氧树脂、玻璃布(wovenglass)、聚酯或其他常用于制作电路板基材的材质。

接着，请参考图2，利用层合机将一光可固化的第一挡墙膜20层合于工作面11，图式中所绘示的虚线表现第一挡墙膜20一第一挡墙区21及一第一非挡墙区22之间的边界，第一挡墙区21例如成环状，第一非挡墙区22至少一部分被包围在第一挡墙区21之间。在第1图所绘示的状态中，第一挡墙膜20处于尚未完全固化的状态，此时第一挡墙区21及第一非挡墙区22在化学结构上尚无实质差异。在层合于工作面11前，所述第一挡墙膜20例如是预先形成于一乘载膜上，乘载膜在第一挡墙膜20层合于工作面11后被移除，所述承载膜可为聚乙烯对苯二甲酸酯(pet)或其他聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺酰亚胺薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜。在可能的实施方式中，第一挡墙膜20为黑色而可吸收大部分的光线。

如图3所示，将一第一光罩30形成于第一挡墙膜20上，第一光罩30覆盖第一非挡墙区22但裸露第一挡墙区21。

如图4所示，对第一挡墙膜20照光，使第一挡墙区21的高分子交联固化；第一非挡墙区22因为被第一光罩30覆盖，因此未进行光固化反应。

如图5所示，固化完成后，移除第一光罩30。

接着，如图6所示，在第一挡墙膜20进行蚀刻前，再利用层合机将一光可固化的第二挡墙膜40层合于第一挡墙膜20上。与第一挡墙膜20相似，第二挡墙膜40同样具有一第二挡墙区41及一第二非挡墙区42，第二挡墙区41位于第一挡墙区21上，且第二挡墙区41的横截面积不大于第一挡墙区21，亦即，第二挡墙区41的轮廓相当于或小于第一挡墙区21。相似地，在层合于第二挡墙膜20前，所述第二挡墙膜40也例如是预先形成于一乘载膜上，乘载膜在第二挡墙膜40层合于第一挡墙膜20后被移除，所述承载膜可为聚乙烯对苯二甲酸酯(pet)或其他聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺酰亚胺薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜。在可能的实施方式中，第二挡墙膜40同样为黑色而可吸收大部分的光线。

如图7所示，将一第二光罩50形成于第二挡墙膜40上，第二光罩50覆盖第二非挡墙区42但裸露第二挡墙区41。

如图8所示，对第二挡墙膜40照光，使第二挡墙区41的高分子交联固化；第二非挡墙区42因为被第二光罩50覆盖，因此未进行光固化反应。

如图9所示，固化完成后，移除第二光罩50。

接着，如图10所示，利用蚀刻液将未被固化的第一、第二非挡墙区移除，保留被固化的第一、第二挡墙区21、41，留下来的第一、第二挡墙区21、41分别作为第一、第二挡墙层20a、40a，第一挡墙层20a围构一第一开窗601，第二挡墙层40a围构一第二开窗602，第一、第二开窗601、602的组合为一个可裸露工作面11的开窗60。本实施例中，第二挡墙层40a的横截面积小于第一挡墙层20a，且第二开窗602的轮廓大于第一开窗601，这样的渐扩型开窗有助于机械手臂作业。

接着，如图11所示，在开窗60内的工作面11上形成光电单元70，光电单元70的数量可视需求而定，且光电单元70为发光单元及感光单元其中一者，且第一、第二挡墙层20a、40a的组合所形成的挡墙高于光电单元70，而用以阻挡光线。光电单元70可与基板10上的电路结构或电接点形成电性连接，所述电性连接例如是通过打线接合(wirebonding)实现；在光电单元为覆晶led的场合或其他适当的情形中，可以省略打线接合步骤。发光单元例如为led，感光单元例如为ccd或cmos，发光单元用以发射光线，感光单元用以感测光线，所述光线可为可见光或不可见光，例如红外线。

接着，如图12所示，于开窗60内点胶，所点的胶体80为可透光胶体，例如透明胶或荧光胶，用以保护所述光电单元70及/或用以发出预选波长的光线，亦即，所制得的光学挡墙结构具有一基板10、一具有第一开窗601的第一挡墙层20a、一具有第二开窗602的第二挡墙层40a、一形成于工作面11上且位于开窗60内的光电单元70、以及一形成于开窗60内的胶体80。

需说明的是，前述实施例仅以两层挡墙层为例进行说明，在本实用新型其他可能的实施方式中，也可以通过类似的多次光固化一次蚀刻方法形成更多层的挡墙层，例如在图13所示的实施例中，所制得的光学挡墙结构具有一基板10、一具有第一开窗601的第一挡墙层20a、一具有第二开窗602的第二挡墙层40a、一具有第三开窗603的第三挡墙层90a、一形成于工作面11上且位于开窗60内的光电单元70、以及一形成于开窗60内的胶体80。

综合上述，本实用新型通过多次光固化一次蚀刻的方法，能够使多层挡墙层具有不同的轮廓及厚度，也能提升挡墙层的整体厚度，避免因为挡墙层太厚而无法一次光固化的问题，并能大幅提高设计自由度。

以上所述的实施例及/或实施方式，仅是用以说明实现本实用新型技术的较佳实施例及/或实施方式，并非对本实用新型技术的实施方式作任何形式上的限制，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型内容所公开的技术手段的范围，当可作些许的更动或修改为其它等效的实施例，但仍应视为与本实用新型实质相同的技术或实施例。