扇出型指纹识别芯片的封装结构的制作方法

本实用新型属于半导体封装领域，特别是涉及一种扇出型指纹识别芯片的封装结构及封装方法。

背景技术：

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。

由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。

指纹识别技术是目前最成熟且价格便宜的生物特征识别技术。目前来说，指纹识别的技术应用最为广泛，不仅在门禁、考勤系统中可以看到指纹识别技术的身影，市场上有了更多指纹识别的应用：如笔记本电脑、手机、汽车、银行支付都可应用指纹识别的技术。

现有的一种指纹识别芯片的封装方法是将指纹采集芯片及指纹处理芯片分别焊接到pcb线路板上，而且这种封装方式需要占用较大的封装面积，pcb线路板的厚度较大，且封装线路较长，会导致封装结构具体体积大、响应速度慢等缺点。

基于以上所述，提供一种低成本、低体积以及高响应速度的指纹识别芯片的封装结构及封装方法实属必要。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种扇出型指纹识别芯片的封装结构及封装方法，用于解决现有技术中指纹识别芯片的封装成本高、体积大及响应速度慢等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种扇出型指纹识别芯片的封装结构，所述封装结构包括：线路层，所述线路层包括电性连接的第一面及第二面；指纹处理芯片，所述指纹处理芯片的第一面具有重新布线层，所述重新布线层用于指纹处理芯片的电性引出，所述指纹芯片的第二面粘附于所述线路层的第一面；指纹采集芯片，所述指纹采集芯片电性接合于所述重新布线层的第二面；金属连线，连接于所述重新布线层的第二面及所述线路层的第一面；封装层，覆盖于所述指纹处理芯片及所述指纹采集芯片；金属凸块，形成于所述线路层的第二面。

可选地，所述指纹采集芯片及所述指纹处理芯片为垂直堆叠设置。

可选地，所述封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

可选地，所述指纹采集芯片显露于所述封装层的顶面。

可选地，所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

可选地，所述金属连线包括金线及银线中的一种。

本实用新型还提供一种扇出型指纹识别芯片的封装方法，包括步骤：1)提供一指纹处理芯片晶圆，于所述指纹处理芯片晶圆上形成重新布线层，所述重新布线层的第一面与所述指纹处理芯片晶圆连接，所述重新布线层用于指纹处理芯片的电性引出；2)切割所述指纹处理芯片晶圆及所述重新布线层，获得独立的指纹处理芯片；3)提供一线路层，将所述指纹处理芯片粘附于所述线路层的第一面，所述重新布线层背向所述线路层；4)提供一指纹采集芯片，将所述指纹采集芯片电性接合于所述重新布线层的第二面，所述指纹采集芯片及所述指纹处理芯片为垂直堆叠设置；5)采用金属连线连接所述重新布线层的第二面及所述线路层的第一面；6)采用封装层封装所述指纹处理芯片及所述指纹采集芯片；7)于所述线路层的第二面形成金属凸块；8)对所述线路层进行切割，获得独立的扇出型指纹识别芯片的封装结构。

可选地，步骤3)提供所述线路层包括步骤：3-1)提供一支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；3-2)于所述分离层上形成所述线路层；步骤7)形成所述金属凸块之前，还包括基于所述分离层剥离所述支撑基底及所述线路层，以显露所述线路层的第二面的步骤。

可选地，所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。

可选地，所述分离层包括光热转换层；步骤7)采用激光照射所述光热转换层，以使所述光热转换层与所述封装层及所述支撑基底分离，进而剥离所述封装层及所述支撑基底。

可选地，采用封装层封装所述指纹处理芯片及所述指纹采集芯片的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，所述封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

可选地，步骤6)采用封装层封装所述指纹处理芯片及所述指纹采集芯片后，所述指纹采集芯片显露于所述封装层的顶面。

可选地，步骤5)采用焊线工艺于所述重新布线层的第二面及所述线路层的第一面之间形成所述金属连线。

可选地，所述金属连线包括金线及银线中的一种。

可选地，所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

如上所述，本实用新型的扇出型指纹识别芯片的封装结构及封装方法，具有以下有益效果：

1)本实用新型采用扇出型封装(fanout)指纹识别芯片，可将指纹采集芯片及指纹处理芯片集成在同一封装结构中，且指纹采集芯片及指纹处理芯片为垂直堆叠设置，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点。

2)本实用新型的指纹采集芯片及指纹处理芯片垂直堆叠设置，可有效提高封装结构的响应速度。

附图说明

图1～图11显示为本实用新型的扇出型指纹识别芯片的封装方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图11显示为扇出型指纹识别芯片的封装结构的结构示意图。

元件标号说明

201指纹处理芯片晶圆

202重新布线层

20指纹处理芯片

203贴膜

301线路层

401指纹采集芯片

402金属连线

403封装层

501金属凸块

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

如在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1～图11所示，本实施例提供一种扇出型指纹识别芯片的封装方法，所述封装方法包括以下步骤：

如图1～图2所示，首先进行步骤1)，提供一指纹处理芯片晶圆201，于所述指纹处理芯片晶圆201上形成重新布线层202，所述重新布线层202的第一面与所述指纹处理芯片晶圆201连接，所述重新布线层202用于指纹处理芯片20的电性引出，所述指纹处理芯片20用于对指纹采集芯片401所采集的指纹信号进行特征提取及特征比对等处理，实现指纹识别功能。

所述指纹处理芯片晶圆201中具有多个阵列排布的指纹处理芯片20，每个指纹处理芯片20设置有相应的电极，首先在所述指纹处理芯片晶圆201上形成种子层，如cu/ti叠层等，然后刻蚀所述种子层，形成图形化的种子层，该图形化的种子层与指纹处理芯片20的电极连接，然后基于所述图形化的种子层，在所述指纹处理芯片晶圆201上形成重新布线层202。所述重新布线层202可以包括若干介质层及若干依据图形需求排布的金属布线层，相邻两金属布线层之间通过导电栓塞连接。所述介质层可以采用如涂覆或沉积等方法形成，其材料可以为环氧树脂、硅胶、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合。在本实施例中，所述介质层的材料可以为pi(聚酰亚胺)，以进一步降低工艺难度以及工艺成本。所述金属布线层可以采用如电镀或溅射的方法以及刻蚀工艺形成，也可以采用如金属剥离工艺形成，其材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。在本实施例中，所述金属布线层的材料为铜。

如图3～图5所示，然后进行步骤2)，切割所述指纹处理芯片晶圆201及所述重新布线层202，获得独立的指纹处理芯片20。

具体地，先将所述指纹处理芯片晶圆201背面粘附于一贴膜203，如蓝膜等，然后采用机械切割刀或激光切割刀对所述指纹处理芯片晶圆201进行切割，获得独立的指纹处理芯片20。

如图6及图7所示，接着进行步骤3)，提供一线路层301，将所述指纹处理芯片20粘附于所述线路层301的第一面，所述重新布线层202背向所述线路层301。

例如，步骤3)提供所述线路层301包括步骤：

3-1)提供一支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层。

例如，所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。在本实施例中，所述支撑基底选用为玻璃衬底，所述玻璃衬底成本较低，容易在其表面形成分离层，且能降低后续的剥离工艺的难度。所述分离层包括光热转换层，通过旋涂工艺形成于所述支撑基底上后，通过固化工艺使其固化成型。光热转换层(lthc)性能稳定，表面较光滑，有利于后续获得平坦的，在后续的剥离工艺中，剥离的难度较低。

3-2)于所述分离层上形成所述线路层301。所述线路层301可以包括若干介质层及若干依据图形需求排布的金属布线层，相邻两金属布线层之间通过导电栓塞连接。所述介质层可以采用如涂覆或沉积等方法形成，其材料可以为环氧树脂、硅胶、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合。在本实施例中，所述介质层的材料可以为pi(聚酰亚胺)，以进一步降低工艺难度以及工艺成本。所述金属布线层可以采用如电镀或溅射的方法以及刻蚀工艺形成，也可以采用如金属剥离工艺形成，其材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。在本实施例中，所述金属布线层的材料为铜。

在形成所述线路层301后，可以采用粘附胶水将所述指纹处理芯片20粘附于所述线路层301的第一面，所述指纹处理芯片20具有重新布线层202的一面朝上放置，即背向所述线路层301，所述重新布线层202表面显露有金属布线层。

如图8所示，接着进行步骤4)，提供一指纹采集芯片401，将所述指纹采集芯片401电性接合于所述重新布线层202的第二面，所述指纹采集芯片401及所述指纹处理芯片20为垂直堆叠设置。所述指纹采集芯片401用于采用人体指纹，并将采集信号传送至指纹处理芯片20进行处理。

例如，可以采用焊接工艺将所述指纹采集芯片401接合于所述重新布线层202的第二面，所述指纹采集芯片401及所述指纹处理芯片20为垂直堆叠设置。

如图9所示，接着进行步骤5)，采用金属连线402连接所述重新布线层202的第二面及所述线路层301的第一面。

例如，可以采用焊线工艺于所述重新布线层202的第二面及所述线路层301的第一面之间形成所述金属连线402。所述金属连线402可以为金线及银线中的一种。

如图10所示，接着进行步骤6)，采用封装层403封装所述指纹处理芯片20及所述指纹采集芯片401。

例如，可以采用封装层403封装所述指纹处理芯片20及所述指纹采集芯片401的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，所述封装层403的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。采用封装层403封装所述指纹处理芯片20及所述指纹采集芯片401后，所述指纹采集芯片401显露于所述封装层403的顶面，以提高所述指纹采集芯片401的采集精度。

如图11所示，接着进行步骤7)，于所述线路层301的第二面形成金属凸块501。

步骤7)形成所述金属凸块501之前，还包括基于所述分离层剥离所述支撑基底及所述线路层301，以显露所述线路层301的第二面的步骤。在本实施例中，采用激光照射所述光热转换层，以使所述光热转换层与所述封装层403及所述支撑基底分离，进而剥离所述封装层403及所述支撑基底。

所述金属凸块501可以为锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

最后进行步骤8)，对所述线路层301进行切割，获得独立的扇出型指纹识别芯片的封装结构。

如图11所示，本实施例还提供一种扇出型指纹识别芯片的封装结构，所述封装结构包括：线路层301，所述线路层301包括电性连接的第一面及第二面；指纹处理芯片20，所述指纹处理芯片20的第一面具有重新布线层202，所述重新布线层202用于指纹处理芯片20的电性引出，所述指纹芯片的第二面粘附于所述线路层301的第一面；指纹采集芯片401，所述指纹采集芯片401电性接合于所述重新布线层202的第二面；金属连线402，连接于所述重新布线层202的第二面及所述线路层301的第一面；封装层403，覆盖于所述指纹处理芯片20及所述指纹采集芯片401；金属凸块501，形成于所述线路层301的第二面。

可选地，所述指纹采集芯片401及所述指纹处理芯片20为垂直堆叠设置。本实用新型采用扇出型封装(fanout)指纹识别芯片，可将指纹采集芯片401及指纹处理芯片20集成在同一封装结构中，且指纹采集芯片401及指纹处理芯片20为垂直堆叠设置，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点，同时，可有效提高封装结构的响应速度。

所述封装层403的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。所述金属凸块501包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。所述金属连线402包括金线及银线中的一种。

所述指纹采集芯片401显露于所述封装层403的顶面，以提高所述指纹采集芯片401的采集精度。

如上所述，本实用新型的扇出型指纹识别芯片的封装结构及封装方法，具有以下有益效果：

1)本实用新型采用扇出型封装(fanout)指纹识别芯片，可将指纹采集芯片401及指纹处理芯片20集成在同一封装结构中，且指纹采集芯片401及指纹处理芯片20为垂直堆叠设置，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点。

2)本实用新型的指纹采集芯片401及指纹处理芯片20垂直堆叠设置，可有效提高封装结构的响应速度。

所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。