一种0mm净空手机天线的制作方法

文档序号:19927641发布日期:2020-02-14 17:14阅读:800来源:国知局
一种0mm净空手机天线的制作方法

本实用新型涉及天线技术领域,具体涉及一种0mm净空手机天线。



背景技术:

随着手机行业的发展,全面屏、刘海屏、水滴屏、曲面屏等技术的出现,留给天线的使用空间越来越少,而且传统的单天线设计已经很难覆盖所要频段,随之出现了多天线的设计方案,在手机的不同位置安设不同的天线,来分别满足天线的低中高频段需求。由于手机终端的尺寸有限,不同天线之间的间距较小,不同天线间的相互影响,造成天线性能的严重下降,也让天线设计者非常的苦恼。



技术实现要素:

本实用新型解决的技术问题是针对背景技术中的不足,提供一种可以解决的0mm净空手机天线。

为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种0mm净空手机天线,包括第一辐射体、第二辐射体和接地板,所述第一辐射体和第二辐射体均安装在接地板上,所述第一辐射体和第二辐射体在接地板投影区域的有效净空大于等于0mm,所述第一辐射体与第二辐射体的间距大于0mm;所述第一辐射体上设置有第一电性连接点和第二电性连接点,所述第一电性连接点为天线馈电点,所述第二电性连接点为天线接地点或天线开关接入点;所述第二辐射体上设置有第三电性连接点和第四电性连接点,所述第三电性连接点和第四电性连接点为天线接地点或天线开关接入点。

进一步地,所述第一辐射体为ifa或pifa形式的走线,所述第二辐射体为ifa、pifa或monopole形式的走线。

进一步地,所述第一辐射体和第二辐射体的有效高度在4mm以上。

进一步地,所述第一辐射体和第二辐射体的长度之和在65mm以上。

进一步地,所述第一辐射体设置有l形的第一天线末端,所述第二辐射体设置有l形的第二天线末端。

进一步地,所述第一辐射体和第二辐射体均包括侧部结构和顶部结构。

进一步地,所述接地板为小板或整块大板,所述第一辐射体和第二辐射体安装在接地板上形成了一个天线结构。

本实用新型实现的有益效果主要有以下几点:第一辐射体和第二辐射体安装在接地板上形成了一个天线结构,第一辐射体和第二辐射体在接地板投影区域的有效净空大于等于0mm、第一辐射体与第二辐射体的间距大于0mm,可以实现0mm净空下的天线正常信号辐射和接收;第二辐射体作为第一辐射体的耦合路径来使用,因为这种天线结构两个辐射体本身就是一个天线的两部分,而不像现有的两个独立天线的结构,因而能够有效的避免了两个天线间的干扰,现有的两个天线独立距离较近时相互影响、隔离度较差的问题得到了有效的解决,即使第一辐射体和第二辐射体的净空距离极小,也不存在隔离度的问题;而且通过一个天线实现了两个天线的辐射功能;另外,本实用新型的天线结构还可以减少cable线或微带线的使用,可以简化天线的结构,降低天线的成本。

附图说明

图1为本实用新型实施例一中0mm净空手机天线的平面结构示意图;

图2为本实用新型实施例一中0mm净空手机天线的立体结构示意图;

图3为本实用新型实施例一中0mm净空手机天线与两组独立天线结构的驻波对比示意图;

图4为本实用新型实施例一中0mm净空手机天线与两组独立天线结构的效率对比示意图。

附图仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;为了更好说明本实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的;相同或相似的标号对应相同或相似的部件;附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员理解,下面将结合附图以及实施例对本实用新型进行进一步详细描述。

实施例一

参阅图1~4,一种0mm净空手机天线,可以设置在手机底部位置。0mm净空手机天线包括第一辐射体1、第二辐射体2和接地板3,所述第一辐射体1和第二辐射体2均固定在接地板3上,第一辐射体1和第二辐射体2在接地板3投影区域的有效净空大于等于0mm,可以设置为0mm,即第一辐射体1和第二辐射体2在接地板3投影区域布满金属层;也可以设置成一个大于0mm的净空区域,即第一辐射体1和第二辐射体2在接地板3投影区域预留一定宽度不设置金属层,例如设置1mm~2mm宽度的净空区,具体可以根据天线的高度来选择。所述第一辐射体1上设置有第一电性连接点11和第二电性连接点12,所述第一电性连接点11为天线馈电点11,与馈源连接;所述第二电性连接点12为天线接地点或天线开关接入点,具有多个信号通道时采用天线开关,只有一个信号通道时可以直接接地,天线开关采用现有技术中的天线开关即可。所述第二辐射体2上设置有第三电性连接点21和第四电性连接点22,所述第三电性连接点21和第四电性连接点22为天线接地点或天线开关接入点,第三电性连接点21和第四电性连接点22的种类具体可以根据信号通道的数量来选择,具有多个信号通道时采用天线开关,只有一个信号通道时可以直接接地。

第二电性连接点12、第三电性连接点21和第四电性连接点22可以视实际调试情况是否需要添加天线开关来满足更宽的天线带宽,增加开关后可以在不同的通路修改匹配,让天线谐振频偏,不同开关状态组合能够覆盖更宽的天线带宽。第三电性连接点21和第四电性连接点22最好采用一个接地,另一个接天线开关的形式。

本实施例的天线结构,相当于将现有的两个独立的天线结构改变为一个天线,第一辐射体1和第二辐射体2分别相当于一个独立天线的辐射体,但是把原本两个天线独立馈电改为一个馈电点馈电,同时设置三个馈地点或天线开关连接点,从而两部分形成了一个天线,第二辐射体2作为第一辐射体1的耦合路径来使用;因为这种天线结构两个辐射体本身就是一个天线的两部分,而不像现有的两个独立天线的结构,因而能够有效的避免了两个天线间的干扰问题,现有的两个天线独立距离较近时隔离度较差的问题得到了有效的解决,即使第一辐射体1和第二辐射体2的净空距离极小,也不存在隔离度的问题。

在天线的连接结构上,所述接地板3为小板或整块大板,接地板3如果采用pcb小板,第一辐射体1和第二辐射体2至连接pa(poweramplifier,功率放大器)只需要一条cable(同轴线),相比原来双天线结构可以节约一条cable和两个端子卡扣件,pa也不需要设计单独的分路;接地板3如果采用pcb整块大板,第一辐射体1和第二辐射体2连接pa用微带线连接,只需设计一条微带线来连接,相比现有的双天线可以减少一条微带线的空间或者减少一个分路器的成本,pa也不需要设计单独的分路。由此可以简化天线的结构,降低天线的成本。

参阅图1和2,所述第一辐射体1为pifa(planarinvertedf-shapedantenna,平面倒f型天线)或ifa(倒f天线)形式的走线,所述第二辐射体2为ifa或pifa、ifa或monopole(单极子天线)形式的走线。所述第一辐射体1和第二辐射体2均包括侧部结构和顶部结构,顶部结构为主要的辐射部分,侧部结构主要是连接作用,顶部结构通过侧部结构连接至接地板3上,实现与接地板3的电性和机械连接。本实施例的手机天线作为4g天线,第一辐射体1和第二辐射体2在接地板3投影区域的有效净空为0mm时,所述第一辐射体1和第二辐射体2的有效高度可以设置为4mm或4mm以上,在空间允许的情况下辐射体的顶部结构距离接地板3的距离在4mm以上。所述第一辐射体1和第二辐射体2的长度之和在65mm以上,天线安装在手机底部,手机的宽度也要在65mm以上,而且手机底部的侧边不能为金属结构。

第一辐射体1作为主路天线主要承担天线的低高频和部分中频,第二辐射体2作为耦合天线承担天线的中频,第一辐射体1低频的二次谐振落在中频区域组合第二辐射体2的中频,可以覆盖中频段更宽的频率范围。通常第一辐射体1和第二辐射体2的顶部结构设置在同一平面上,第一辐射体1具有一末端结构14与第二辐射体2并列,第一辐射体1和第二辐射体2之间的距离大于0mm,可以设为0.4mm~2mm之间会比较理想。第一辐射体1和第二辐射体2可以设置为“一”字形结构,也可以设置为“l”形结构,设置为“l”形结构时,所述第一辐射体1远离两个辐射体相邻部分的一侧设置l形的第一天线末端13,所述第二辐射体2设远离两个辐射体相邻部分的一侧置l形的第二天线末端23,第一天线末端13、第二天线末端23及末端结构14的长度可以根据天线的辐射频段来选择;本实施例中第一天线末端13长度的改变影响低频和中频的谐振变化,第二天线末端23长度的改变影响天线中频谐振的变化,末端结构14长度的改变影响天线高频谐振的变化,从而可以根据需要来调节第一天线末端13、第二天线末端23和末端结构14的长度。第一天线末端13和第二天线末端23设置为l形结构可以增加辐射体的长度,而且可以减少手机内部空间占用。

参阅图3,图3为两个独立天线结构与本实施例中天线结构的驻波图对比,采用的两个独立天线的走线形式分别与第一辐射体1和第二辐射体2的走线一致,天线频率范围为低频900-1000mhz、中频1750-2170mhz、高频2450-2650mhz,第一个独立天线结构覆盖频率主要包含低频和高频,第二个独立天线结构主要覆盖中频;本实施例的天线结构覆盖低中高频,从驻波对比图可以看出,两个独立的天线分别工作在覆盖低频、中频和高频,而本实施例的天线频率能够覆盖两个独立的天线的频段范围,能够替代两个独立的天线结构。

参阅图4,图4为两个独立天线结构与本实施例中天线结构的辐射效率对比,采用的两个独立天线的走线形式分别与第一辐射体1和第二辐射体2的走线一致,从图中可以看出,在低频和高频部分,本实施例的天线与两个独立天线结构数据接近;在中频段部分,本实施例的天线优势比较明显,多数频点效率要高1db以上,峰值频点效率高3db左右。

显然,本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例,而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1