1.一种静电吸盘组件，其设置在等离子体处理室，其特征在于，包括：
静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；
接地挂环，所述接地挂环套设在所述静电吸盘的外侧；
基座，所述静电吸盘和接地挂环设置在所述基座上；
其中，所述接地挂环包括外壁，所述基座和静电吸盘暴露出所述外壁，所述外壁上形成有倾斜角，所述倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。
2.如权利要求1所述的静电吸盘组件，其特征在于，所述静电吸盘包括侧壁、上壁和下壁，所述静电吸盘的下壁朝向所述基座，所述静电吸盘的上壁上安装待蚀刻的晶圆，所述静电吸盘的侧壁朝向所述接地挂环的套设方向。
3.如权利要求2所述的静电吸盘组件，其特征在于，所述接地挂环呈环状，所述接地挂环还包括内壁和下壁，所述接地挂环的下壁朝向所述基座，所述接地挂环的内壁朝向所述静电吸盘的侧壁。
4.如权利要求3所述的静电吸盘组件，其特征在于，所述接地挂环的外壁至少包括所述倾斜角的倾斜面。
5.如权利要求4所述的静电吸盘组件，其特征在于，所述接地挂环的外壁包括所述倾斜面。
6.如权利要求5所述的静电吸盘组件，其特征在于，所述倾斜面包括平面倾斜面。
7.如权利要求1-6中任一项所述的静电吸盘组件，其特征在于，还包括静电吸盘保护环，所述静电吸盘保护环套设在所述静电吸盘的外侧，且位于所述静电吸盘和接地挂环之间。
8.如权利要求1-6中任一项所述的静电吸盘组件，其特征在于，还包括接地环盖，其覆盖所述接地挂环的外壁。
9.一种等离子体蚀刻设备，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的静电吸盘组件。
10.如权利要求9所述的等离子体蚀刻设备，其特征在于，还包括等离子体处理室、喷头和排气口，所述静电吸盘组件、喷头和排气口设置在所述等离子体处理室中，所述静电吸盘组件设置在所述喷头和排气口之间。