一种提高离子源气体解离效率的起弧室及离子植入机的制作方法

技术总结
本实用新型公开了一种提高离子源气体解离效率的起弧室，其特征在于，包括：设置在起弧室一端的发射极；覆盖发射极的阴极；设置在起弧室另一端的发射极；以及设置在所述起弧室外壁上的加热装置。

技术研发人员：唐瑞龙;廖宜专;吴宗祐;林宗贤
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2019.08.15
技术公布日：2020.03.31