1.一种高功率小型封装的可控硅，包括塑封体(1)、引线框架散热片(2)、引脚线(3)和芯片(4)，其特征在于：所述引线框架散热片(2)上贯穿设有紧锁孔(21)，所述引线框架散热片(2)的厚度为0.85mm，所述芯片(4)设置于引线框架散热片(2)上且所述芯片(4)与引线框架散热片(2)之间通过焊料(6)连接，所述引线框架散热片(2)连接有管脚(32)，所述芯片(4)连接有两根引脚线(3)，所述引脚线(3)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(4)连接，所述管脚(32)上端封装在塑封体(1)内并与引线框架散热片(2)连接，所述芯片(4)封装在塑封体(1)内，所述引线框架散热片(2)部分封装在塑封体(1)上且塑封体(1)向外水平延伸形成填充满紧锁孔(21)的塑封体凸起(11)。
2.如权利要求1所述一种高功率小型封装的可控硅，其特征在于：所述管脚(32)位于塑封体(1)外端面的中间位置，两根所述引脚线(3)分别位于管脚(32)的两侧。
3.如权利要求1所述一种高功率小型封装的可控硅，其特征在于：所述塑封体(1)为树脂材料。
4.如权利要求1所述一种高功率小型封装的可控硅，其特征在于：所述芯片(4)为阳极面朝下置于引线框架散热片(2)上，所述芯片(4)阴极区上分为g极(41)和t1极(42)，两根所述引脚线(3)上靠近芯片(4)的一端分别连接有焊丝部(33)，所述焊丝部(33)通过连接线(5)分别与g极(41)和t1极(42)连接。
5.如权利要求1所述一种高功率小型封装的可控硅，其特征在于：所述引脚线(3)上开设有若干引脚线凹槽(31)且引脚线凹槽(31)封装在塑封体(1)内，所述塑封体(1)将引脚线凹槽(31)填充满。
6.如权利要求1所述一种高功率小型封装的可控硅，其特征在于：所述引线框架散热片(2)上位于紧锁孔(21)的两侧开设有凹槽(22),所述塑封体(1)上向外水平延伸形成填充满凹槽(22)的塑封体凸缘(12)。