1.一种soi横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，其特征在于，所述元胞包括衬底(0)、埋氧层(1)、第一导电类型轻掺杂硅(2)、第二导电类型扩散阱区(3)、第一导电类型沟道注入区(4)、第二导电类型重掺杂区(5)、第一重掺杂区(6)、第二重掺杂区(7)、氧化介质层(8)、金属阳极(9)和金属阴极(10)，所述第一重掺杂区(6)和所述第二重掺杂区(7)均为第一导电类型；
所述埋氧层(1)位于衬底(0)上，所述第一导电类型轻掺杂硅(2)位于埋氧层(1)上；
所述第二导电类型扩散阱区(3)和第二重掺杂区(7)间隔的位于第一导电类型轻掺杂硅(2)中，所述第二导电类型重掺杂区(5)和第一重掺杂区(6)侧面相互接触的位于第二导电类型扩散阱区(3)内；
所述第一导电类型沟道注入区(4)位于第一重掺杂区(6)和第一导电类型轻掺杂硅(2)之间的所述第二导电类型扩散阱区(3)的上层；
所述第二导电类型重掺杂区(5)和第一重掺杂区(6)与金属阴极(10)欧姆接触，所述第二重掺杂区(7)与金属阳极(9)欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的一种soi横向恒流二极管，其特征在于，所述金属阳极(9)和所述金属阴极(10)沿氧化介质层(8)上表面延伸形成场板。
3.根据权利要求1所述的一种soi横向恒流二极管，其特征在于，所述第二导电类型重掺杂区(5)的掺杂浓度小于第一重掺杂区(6)的掺杂浓度。
4.一种soi横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，其特征在于，所述元胞包括衬底(0)、埋氧层(1)、第一导电类型轻掺杂硅(2)、第二导电类型扩散阱区(3)、第二导电类型重掺杂区(5)、第一重掺杂区(6)、第二重掺杂区(7)、氧化介质层(8)、金属阳极(9)和金属阴极(10)，所述第一重掺杂区(6)和所述第二重掺杂区(7)均为第一导电类型；
所述埋氧层(1)位于衬底(0)上，所述第一导电类型轻掺杂硅(2)位于埋氧层(1)上；
所述第一重掺杂区(6)位于所述第一导电类型轻掺杂硅(2)中，所述第二重掺杂区(7)位于所述第一重掺杂区(6)的两侧，且位于所述第一导电类型轻掺杂硅(2)中，所述第二导电类型扩散阱区(3)位于第一重掺杂区(6)和第二重掺杂区(7)之间；所述第二导电类型重掺杂区(5)位于第二导电类型扩散阱区(3)中，且与金属阴极(10)欧姆接触，所述第二重掺杂区(7)与金属阳极(9)欧姆接触。
5.根据权利要求1或权利要求4所述的soi横向恒流二极管，其特征在于：所述横向恒流二极管所采用的半导体材料为硅或碳化硅。
6.根据权利要求1或权利要求4所述的soi横向恒流二极管，其特征在于：所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型；或者第一导电类型为p型，第二导电类型为n型。