1.一种半导体器件的接触垫版图，其特征在于，所述接触垫版图包括：
主版图区，所述主版图区中设有多个主接触垫图案，各个所述主接触垫图案的形状和尺寸相似，且所有的主接触垫图案呈棋盘状交错排布，所述主接触垫图案彼此之间具有第四间距；
第一边缘版图区，分布在所述主版图区的一边外侧，所述第一边缘版图区中设有至少一个第一边缘接触垫图案，且每个所述第一边缘接触垫图案的面积大于每个所述主接触垫图案的面积，所述第一边缘版图区与所述主版图区之间具有第一边缘间距；
其中，所述第一边缘接触垫图案不同于所述主接触垫图案，所述第一边缘间距不同于所述第四间距。
2.如权利要求1所述的接触垫版图，其特征在于，所述第一边缘版图区中设有一个具有锯齿状边缘的长条，以作为所述第一边缘接触垫图案。
3.如权利要求2所述的接触垫版图，其特征在于，所述锯齿状边缘面向所述主版图区，所述锯齿状边缘中的各个锯齿与所述主版图区中相应的主接触垫图案对准排布。
4.如权利要求1所述的接触垫版图，其特征在于，所述第一边缘版图区中设有多个沿所述主版图区的所述一边的方向排列为两行的第一边缘接触垫图案，且各个所述第一边缘接触垫图案与所述主版图区中相应的主接触垫图案对准排布，最靠近所述主版图区的一行第一边缘接触垫图案与最近邻的一行主接触垫图案之间的间距为所述第一边缘间距。
5.如权利要求1所述的接触垫版图，其特征在于，所述接触垫版图还包括第二边缘版图区，所述第二边缘版图区分布在所述主版图区的所述一边的邻边外侧，所述第二边缘版图区中设有多个第二边缘接触垫图案，且每个所述第二边缘接触垫图案的面积大于每个所述主接触垫图案的面积，所述第二边缘版图区和所述主版图区之间具有第二边缘间距；
其中，所述第二边缘接触垫图案不同于所述第一边缘接触垫图案，所述第二边缘间距不同于所述第四间距。
6.如权利要求5所述的接触垫版图，其特征在于，所述第二边缘间距不同于所述第一边缘间距。
7.如权利要求5所述的接触垫版图，其特征在于，所述第二边缘版图区中的各个所述第二边缘接触垫图案不完全相同。
8.如权利要求5所述的接触垫版图，其特征在于，所述第二边缘版图区中的各个所述第二边缘接触垫图案与所述主版图区中相应的主接触垫图案对准排布。
9.如权利要求8所述的接触垫版图，其特征在于，所述第二边缘版图区中包括沿所述邻边的方向排列为两列的第二边缘接触垫图案，且与所述主版图区最近邻的一列所述第二边缘接触垫图案与最近邻的一列主接触垫图案之间的间距为所述第二边缘间距，两列所述第二边缘接触垫图案之间具有第三间距，所述第三间距大于所述第二边缘间距。
10.如权利要求9所述的接触垫版图，其特征在于，所述第二边缘版图区中，远离所述主版图区的一列中的第二边缘接触垫图案的形状包括长条形、向左放倒的u形、向右放倒的u形、向左放倒的l形、向右放倒的l形以及具有至少两个梳齿的梳子形中的至少两种。
11.一种利用权利要求1～10中任一项所述的半导体器件的接触垫版图形成的接触垫结构，其特征在于，包括：
多个主接触垫，呈棋盘状交错排布，各个所述主接触垫的形状和尺寸相似，且所述主接触垫彼此之间具有第四间距；
至少一个第一边缘接触垫，分布在所有的主接触垫排布区域的一边外侧，且每个所述第一边缘接触垫的顶面面积大于每个所述主接触垫的顶面面积，紧挨所述主接触垫的所述第一边缘接触垫与所述主接触垫之间具有第一边缘间距；
其中，所述第一边缘接触垫的尺寸不同于所述主接触垫的尺寸，所述第一边缘间距不同于所述第四间距。
12.如权利要求11所述的接触垫结构，其特征在于，所述第一边缘接触垫为一个具有锯齿状边缘的长条。
13.如权利要求12所述的接触垫结构，其特征在于，所述锯齿状边缘面向所述主接触垫设置，所述锯齿状边缘中的各个锯齿与相应的主接触垫对准排布。
14.如权利要求11所述的接触垫结构，其特征在于，所述第一边缘接触垫的数量为多个，并沿所述主接触垫排布区域的所述一边的方向排列为两行，各个所述第一边缘接触垫与相应的主接触垫对准排布，最靠近所述主接触垫排布区域的一行第一边缘接触垫与最近邻的一行主接触垫之间的间距为所述第一边缘间距。
15.如权利要求11所述的接触垫结构，其特征在于，所述接触垫结构还包括：多个第二边缘接触垫，分布在所有的主接触垫排布区域的所述一边的邻边外侧，且每个所述第二边缘接触垫的顶面面积大于每个所述主接触垫的顶面面积，紧挨所述主接触垫的所述第二边缘接触垫与所述主接触垫之间具有第二边缘间距；
其中，所述第二边缘接触垫的形状不同于所述第一边缘接触垫的形状，所述第二边缘间距不同于所述第四间距。
16.如权利要求15所述的接触垫结构，其特征在于，各个所述第二边缘接触垫与相应的主接触垫对准排布。
17.如权利要求16所述的接触垫结构，其特征在于，所有的所述第二边缘接触垫沿所述邻边的方向排列为两列，且与所述主接触垫排布区域最近邻的一列所述第二边缘接触垫与最近邻的一列主接触垫之间的间距为所述第二边缘间距，两列所述第二边缘接触垫之间具有第三间距，所述第三间距大于所述第二边缘间距。
18.如权利要求17所述的接触垫结构，其特征在于，所有的所述第二边缘接触垫中，远离所述主接触垫排布区域的一列中的第二边缘接触垫的横截面形状包括长条形、向左放倒的u形、向右放倒的u形、向左放倒的l形、向右放倒的l形以及具有至少两个梳齿的梳子形中的至少两种。
19.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有核心区，所述核心区中形成有多个核心元件；
层间介质层，覆盖在所述半导体衬底上；
如权利要求11～18中任一项所述的半导体器件的接触垫结构，形成在所述层间介质层中；
多个接触插塞，形成在所述层间介质层中，各个接触插塞对准所述接触垫结构中的相应接触垫设置，以将相应的接触垫和所述核心元件的有源区电连接。
20.一种用于制作权利要求11～18中任一项所述的半导体器件的接触垫结构的掩模板组合，其特征在于，包括：
第一掩模板，具有多条平行的第一线条，相邻的两条第一线条之间为第一间隔区，且第一掩模板最外侧的至少一条第一线条的线宽大于其他的第一线条，第一掩模板最外侧的至少一个第一间隔区的线宽大于其他的第一间隔区的线宽；
第二掩模板，具有多条平行且与每条第一线条相交的第二条纹，相邻的两条第二线条之间为第二间隔区，且第二掩模板最外侧的至少一条第二线条的线宽大于其他的第二线条，第二掩模板最外侧的至少一个第二间隔区的线宽大于其他的第二间隔区的线宽；
其中，当所述第一掩模板和所述第二掩模板为同性掩模板且所述第二掩模板和所述第一掩模板对准重叠时，第一线条和第二线条的重叠区域为形成接触垫的区域；当所述第一掩模板和所述第二掩模板为异性掩模板且所述第二掩模板和所述第一掩模板对准重叠时，第一线条和第二间隔区的重叠区域为形成接触垫的区域。
21.如权利要求20所述的掩模板组合，其特征在于，所述第一掩模板的一侧，至少有两条第一线条的末端连接在一起。
22.如权利要求20所述的掩模板组合，其特征在于，所述第二掩模板和所述第一掩模板对准重叠时，除所述第二掩模板最外侧的第一条第二线条以外的所有第二线条的末端均未超出所述第一掩模板最外侧的第一条第一线条；所述第二掩模板最外侧的第一条第二线条暴露出至少一条所述第一线条的末端。
23.如权利要求20所述的掩模板组合，其特征在于，所述第二掩模板中，所述其他的第二线条的末端的线宽大于所述其他的第二线条的中间区域的线宽。