一种衰减片的制作方法

本实用新型属于微波领域，更具体地说，是涉及一种衰减片。

背景技术：

在电子通信和微波系统中，对信号电平都有一个正常或者安全的要求，过高的电平将会引起过载，使放大部件出现不能容忍的非线性失真甚至烧毁，从而使得整个系统不能工作。而衰减器能将信号电平调整到需要的水平，其主要作用是控制进入系统的信号电平幅度、控制系统的输出信号功率、调整信号源与负载间的阻抗匹配等，被广泛应用于电子通信和微波系统中。

近年来，衰减器技术发展迅速，使用频率越来越高，但是，随着频率越来越高，衰减片上附加的电容电感产生的效果越来越明显，衰减量偏离名义值越来越大，并且使信号反射增加，回波损耗变大。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种衰减片，旨在解决现有衰减片在高频环境下，衰减片上附加的电容电感效果越来越明显从而导致衰减精度不足和回波损耗变大的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种衰减片，包括：

基板；

背导层，设置在所述基板的背面并用于接地；

导体单元，包括设置于所述基板的正面的第二导体、第三导体和第四导体，以及设置于所述基板的一侧面上的第一导体，所述第一导体电性连接所述背导层和所述第四导体；

电阻单元，包括设置在所述基板的正面的第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的相对两端分别与所述第二导体和所述第三导体电性连接，所述第二电阻的相对两端分别与所述第一电阻和所述第四导体电性连接，所述第四导体呈连续弯曲状。

进一步地，所述第一电阻与所述第二导体的连接部位、所述第一电阻与所述第三导体的连接部位均为弧形搭接。

进一步地，所述第二导体设置于所述基板的右上方，所述第三导体设置于所述基板的左上方，且所述第二导体和所述第三导体沿所述基板的中线对称，所述第二电阻设置于所述第一电阻下侧，所述第四导体设置于所述第二电阻下侧，且所述第一电阻与所述第二电阻均沿所述基板的中线对称。

进一步地，所述基板为氧化铍陶瓷基板。

进一步地，所述衰减片还包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘设置于所述第二导体的下端上，并作为所述衰减片的信号输入端，所述第二焊盘设置于所述第三导体的下端上并作为所述衰减片的信号输出端。

进一步地，所述衰减片还包括设置于所述第一电阻和所述第二电阻的露出于所述基板的表面上的玻璃保护膜。

进一步地，所述第二导体、所述第三导体、所述第四导体和所述玻璃保护膜的表面均设置有黑色保护膜。

本实用新型提供的衰减片的有益效果在于：与现有技术相比，本实用新型提供的衰减片将接地导体设计成连续弯曲状以增加导体电感，达到匹配电阻容抗感抗特性，既能调试衰减电路的插损波动，提高衰减精度，且对驻波影响相对小。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的衰减片的主视结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的衰减片的侧视结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的图1中的a-a断面示意图；

图4为本实用新型实施例提供的图1中的b-b断面示意图。

图中：1、基板；2、导体单元；3、电阻单元；4、玻璃保护膜；5、焊盘；6、黑色保护膜；21、第二导体；22、第三导体；23、第四导体；24、背导层；25、第一导体；31、第一电阻；32、第二电阻；51、第一焊盘；52、第二焊盘。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

如图1至图4所示，本实用新型提供的一种衰减片，包括基板1，基板1为方形，基板1上设置有导体单元2和背导层24，背导层24覆盖整个基板1背面且接地，导体单元2包括第一导体25、第二导体21、第三导体22和第四导体23，第二导体21、第三导体22、第四导体23设置均在基板正面，第一导体25设置在基板1侧面，导体单元2和电阻单元3连接形成衰减电路，电阻单元3包括第一电阻31和第二电阻32，第一电阻31和第二电阻32均设置在基板1正面，第一电阻31两端分别与第二导体21和第三导体22电连接，第二电阻32一端与第一电阻31电连接，另一端与第四导体23电连接，第四导体23与设置于基板1背面的背导层24通过印刷在基板1侧面的第一导体25连接，第四导体23设计成连续弯曲的形状，用以增加其对地电感。在设计衰减电路时，衰减片对信号功率进行准确衰减首先需满足两个条件：1.衰减电路中信号顺利的通过衰减片，未形成信号反射；2.衰减片按要求把一定比例大小的信号消耗，保证通过衰减片后的信号强弱符合要求。所以衰减片必须阻抗匹配，不然就会形成驻波(信号反射)，所以衰减片的输入阻抗要与信号源的输出阻抗匹配，输出阻抗要与负载阻抗匹配，可是在高频环境下，频率越高，衰减片内部电路产生的寄生电容和电感出现变化，导致衰减片电路上各分支高频下呈现出来的阻抗有变动，导致衰减片的总体电路不再是所需的阻抗和损耗。此时衰减片的输入阻抗无法和信号源的输出阻抗匹配，输出阻抗无无法与负载阻抗匹配，造成信号反射引起的回波损耗。并且随着衰减片损耗发生变化，衰减精度也会降低。将第四导体23设计成连续弯曲的形状，相当于增加一电感，可以补偿高频下的电阻特性，即补偿高频电路下电阻产生的电容电感消耗功率，既能调试衰减电路的插损波动，并且对驻波影响相对小。

进一步地，如图1所示，在本实用新型的一个实施例中，上述第一电阻31与上述第二导体21连接部位、第一电阻31与上述第三导体22连接部位均为弧形搭接。常规负载片结构一般电阻采用方形或梯形结构，方形电阻的结构，电阻与导体的搭接宽度过长，在高频下，信息发射加大，驻波难匹配，若采用梯形结构，虽然搭接宽度减短，高频下匹配容易，可是相对电流密度加大，容易造成电流过大烧毁。电阻与导体搭接处采用弧形结构，既保证了搭接部位的搭接长度，分散了电路中的电流密度使其不至于过大，又减小了电阻与导体的搭接宽度，保证高频下的驻波特性。

进一步地，如图1所示，第二导体21设置于基板1的右上方，第三导体22设置于基板1的左上方，且第二导体21和第三导体22沿基板1的中线对称，第二电阻32设置于第一电阻31下侧，第四导体23设置于第二电阻32下侧，且第一电阻31与第二电阻32均沿基板1的中线对称。

进一步地，在本实用新型的一个实施例中，上述基板1为氧化铍陶瓷基板，使用氧化铍陶瓷基板，是因为可以提高信号的抗干扰性，氧化铍陶瓷基板的尺寸为10mm*10mm*1.5mm，陶瓷片厚度越大，对衰减片高频响应精度影响越大，高频衰减量偏离名义值越大，陶瓷片厚度越薄，衰减频响越好，采用该尺寸的陶瓷片，衰减片的衰减精度高。

进一步地，如图3所示，该衰减片还包括焊盘5，焊盘5是通过电镀的工艺形成的，包括银层和镍层，焊盘5包括第一焊盘51和第二焊盘52，第一焊盘51电镀在第二导体21下端上，作为该衰减片衰减电路的输入端，第二焊盘52电镀在第三导体22下端上，作为该衰减片衰减电路的输出端。

如图4所示，在本实用新型的一个具体实施例中，该衰减片还包括基于厚膜工艺生产的玻璃保护膜4，玻璃保护膜4印刷在第一电阻31和第二电阻32露出于基板1的表面上，该玻璃保护膜4不仅可以保护第一电阻31和第二电阻32，还可以填补电阻层缝隙，增加衰减片的功率承受能力。

进一步地，如图3和图4所示，在本实用新型的一个实施例中，该衰减片还包括黑色保护膜6，该黑色保护膜6基于厚膜工艺生产制造，印刷在玻璃保护膜4和第二导体21、第三导体22、第四导体23的上表面，形成保护作用。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。