1.一种深紫外led器件，其特征在于，包括：
具有正负电极的基板，所述基板上设置有围坝；
深紫外led芯片，所述深紫外led芯片固定于所述基板上并与所述基板上的正负电极连接；
透镜，所述透镜周缘设置有与所述围坝适配的边框；所述透镜通过所述边框扣合于所述基板的围坝内，并构成容纳所述深紫外led芯片的内腔；
由搅拌摩擦焊成型的焊缝，用于密封连接所述围坝与所述边框之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的深紫外led器件，其特征在于，所述基板上具有一凹槽，所述凹槽与所述透镜之间构成所述内腔，所述深紫外led芯片位于所述凹槽内。
3.根据权利要求1或2所述的深紫外led器件，其特征在于，所述深紫外led芯片通过固晶层固定于所述基板。
4.根据权利要求3所述的深紫外led器件，其特征在于，所述固晶层为无铅锡膏。
5.根据权利要求3所述的深紫外led器件，其特征在于，所述固晶层为导电固晶层，还用于所述深紫外led芯片与所述基板上的正负电极连接。
6.根据权利要求1所述的深紫外led器件，其特征在于，所述深紫外led芯片与所述基板上的正负电极通过导线电气连接。
7.根据权利要求1所述的深紫外led器件，其特征在于，所述透镜为平面型石英玻璃透镜或半球面石英玻璃透镜。
8.根据权利要求1所述的深紫外led器件，其特征在于，所述内腔中填充惰性气体、氮气、中性液体或抽真空。