1.一种脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构，其特征在于：包括偏角衬底（1）以及在偏角衬底（1）上依次设置的缓冲层（2）、n型掺杂的限制层（3），n型掺杂的波导层（4），脊型波导层（5）、有源层（6）、p型掺杂的波导层（7）、p型掺杂的限制层（8）、顶层（9）和电极接触层（10），有源层（6）包括从下到上依次设置的脊型下垒层（61）、量子阱层（62）、量子点盖层（64）和脊型上垒层（65），在量子阱层（62）的表面上设置有多个量子点（63）。
2.根据权利要求1所述的脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构，其特征在于：所述偏角衬底（1）所用材料为带有偏角的gaas衬底，gaas衬底中的{100}晶面偏向{011}晶面，{100}晶面与{011}晶面之间的夹角为0～6度。
3.根据权利要求1所述的脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构，其特征在于：所述脊型下垒层（61）、所述量子阱层（62）、所述量子点（63）、所述量子点盖层（64）和所述脊型上垒层（65）形成单个脊型量子阱/量子点层，1～5个脊型量子阱/量子点层层叠形成所述有源层（6）。
4.根据权利要求1所述的脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构，其特征在于：所述量子点（63）的为球形或半球，其直径为1～3nm。