用于显示器的电路基板及显示器的制作方法

本实用新型实施例涉及电路基板结构和制备技术，尤其涉及一种用于显示器的电路基板及显示器。

背景技术：

现有方案中，tft基板最上边的金属层一般为ito等脆性材料。当发光micro-led芯片通过自身的电极键合到tft基板上时，受限于tft上脆性金属层的限制，电极与tft基板键合比较困难，第一方面，键合过程中会存在键合不牢固、micro-led芯片易从tft基板上脱落的问题。第二方面，键合过程中会对tft基板造成损伤。第三方面，micro-led芯片与tft基板键合之后，还存在接触电阻大，使micro-led芯片工作时功耗较高。

技术实现要素：

本实用新型提供一种用于显示器的电路基板及显示器，以提高micro-led芯片与tft基板牢固度、降低tft基板损伤、降低micro-led芯片工作功耗。

第一方面，本实用新型实施例还提供了一种用于显示器的电路基板，包括：

tft基板；

形成在tft基板上的接触电极层，所述接触电极层用于键合led芯片的正/负电极，所述正/负电极的材料包括au，所述接触电极层包括第一电极层，所述第一电极层的材料为ni。

可选的，所述接触电极层还包括：

形成在第一电极层上的第二电极层，所述第二电极层的材料包括ni和/或au。

可选的，所述接触电极层还包括：

形成在第二电极层上的第三电极层，所述第三电极层的材料包括ti、和/或ni、和/或au。

可选的，所述接触电极层还包括：

形成在第三电极层上的第四电极层，所述第四电极层的材料包括ti、和/或al、和/或ni、和/或au。

可选的，所述tft基板包括：

衬底；

形成在衬底上的栅极；

形成在所述栅极的绝缘层；

形成在绝缘层之上的通道层；

形成在所述通道层的两侧的源极和漏极；

形成在通道层、源极和漏极上保护层，所述接触电极层贯穿所述保护层与所述漏极相连。

可选的，所述tft基板包括：

衬底；

形成在衬底之上的通道层，所述通道层的两侧分别设置有源极和漏极；

形成在通道层、源极和漏极之上的绝缘层；

形成在绝缘层之上的栅极；

形成在栅极、源极和漏极上的保护层，所述接触电极层贯穿所述保护层与所述漏极相连。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种显示器，包括上述的任一用于显示器的电路基板。

本实施例的技术方案，通过将接触电极层的材料设置为ni和或将接触电极层设置为多层结构，解决了micro-led芯片与tft基板键合过程中易从tft基板上脱落、tft基板易损伤、micro-led芯片与tft基板之间接触电阻大的问题，达到了提高micro-led芯片与tft基板牢固度、降低tft基板损伤、降低micro-led芯片工作功耗的效果。

附图说明

下面将通过参照附图详细描述本实用新型的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本实用新型实施例的上述及其他特征和优点，附图中：

图1是本实用新型实施例一中的用于显示器的电路基板的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一中的用于显示器的电路基板的制备方法流程图；

图3是本实用新型实施例一中的用于显示器的电路基板的结构示意图；

图4是本实用新型实施例一中的用于显示器的电路基板的结构示意图；

图5是本实用新型实施例二中的用于显示器的电路基板的结构示意图；

图6是本实用新型实施例二中的用于显示器的电路基板的制备方法流程图；

图7是本实用新型实施例二中的替代实施例中的用于显示器的电路基板的制备方法流程图；

图8是本实用新型实施例二中的替代实施例中的用于显示器的电路基板的结构示意图；

图9是本实用新型实施例二中的替代实施例中的用于显示器的电路基板的制备方法流程图；

图10是本实用新型实施例二中的替代实施例中的用于显示器的电路基板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对实用新型的限定。另外还需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。举例来说，在不脱离本实用新型的范围的情况下，可以将第一电极层为第二电极层，且类似地，可将第二电极层称为第一电极层。第一电极层和第二电极层两者都是电极层，但其不是同一电极层。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。需要说明的是，当部被称为“固定于”另一个部，它可以直接在另一个部上也可以存在居中的部。需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述，只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

实施例一

图1为本实用新型实施例一提供的一种用于显示器的电路基板。

参见图2，用于显示器的电路基板的制备方法具体为：

步骤110、在tft基板暴露漏极的一侧以第一条件形成第一厚度的第一电极层，所述第一电极层的材料为镍(ni)。

本步骤中，第一条件包括：制备时的基底温度、制备时的气氛、制备时使用的方法、制备时的保护气体等，具体的，制备时使用的方法包括蒸镀法、溅射法。其他实施例中，步骤110之前还包括：对tft基板进行刻蚀处理以暴露漏极。

替代实施例中，步骤110之前还包括：在形成第一电极层之前还包括对tft基板进行刻蚀处理、清洗处理的一种或多种。本替代实施例的技术方案可以通过刻蚀平坦化tft基板的表面，以提高制备第一电极层的良率；本替代实施例的技术方案可以清洗处理以清除tft基板表面的油污或灰尘。

替代实施例中，步骤110之后还包括：对制备了第一电极的tft基板进行热处理，以进一步降低第一电极层与tft基板的接触电阻。

参见图1，通过上述步骤形成的用于显示器的电路基板，包括：tft基板1；形成在tft基板1上的接触电极层2，所述接触电极层2用于键合led芯片的正/负电极，所述正/负电极的材料包括au，所述接触电极层2包括第一电极层，所述第一电极层的材料为ni。

具体的，参见图3，所述tft基板包括：衬底11；形成在衬底11上的栅极141；形成在所述栅极141的绝缘层12；形成在绝缘层12之上的通道层14；形成在所述通道层14的两侧的源极142和漏极143；形成在通道层14、源极142和漏极143上的保护层13；所述接触电极层2贯穿所述保护层13与所述漏极143相连。具体的，衬底11材料包括玻璃、蓝宝石、硅等；栅极141的材料包括：钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、多晶硅等；绝缘层12的材料包括氧化硅、氮化硅等；通道层14主要为半导体材料；源极142和漏极143的材料包括：钼(mo)、铝(al)、铜(cu)等；保护层13的材料包括：氧化硅、氮化硅等。在一些实施例中，漏极143的材料与接触电极层2的材料相同。

在其他实施例中，参见图4，所述tft基板还可以包括：衬底11；形成在衬底11之上的通道层14，所述通道层14的两侧分别设置有源极142和漏极143；形成在通道层14、源极142和漏极143之上的绝缘层12；形成在绝缘层12之上的栅极141；形成在栅极141、源极142和漏极143上的保护层13，所述接触电极层2贯穿所述保护层13和绝缘层12与所述漏极143相连。本实施例对此不作限制。

本实施例的技术方案，通过将接触电极层的材料设置为ni，ni与au之间建合力较强，且ni的延展性好，作为电极材料不易损伤，解决了micro-led芯片与tft基板键合过程中易从tft基板上脱落、tft基板易损伤、micro-led芯片与tft基板之间接触电阻大的问题，达到了提高micro-led芯片与tft基板牢固度、降低tft基板损伤、降低micro-led芯片工作功耗的效果。

实施例二

图5为本实用新型实施例二提供的一种用于显示器的电路基板。

参见图6，相对于上述实施例的用于显示器的电路基板的制备方法在步骤110之后还包括：

步骤210、在所述第一电极层上以第二条件形成第二厚度的第二电极层，所述第二电极层的材料包括ni和/或au。

本步骤中，第二条件包括：制备时的基底温度、制备时的气氛、制备时使用的方法、制备时的保护气体等，具体的，制备时使用的方法包括蒸镀法、溅射法。当第一电极层的材料与第二电极层的材料相同时，第一条件与第二条件不同和/或第一厚度与第二厚度不同，优选的，当第一条件与第二条件不同时，第一电极层与第二电极层制备时的基底温度不相同，第一电极层与第二电极层制备时的基底温度至少相差50℃。当制备时的基底温度不同时，同一种材料会形成不同的晶体结构，导电性会产生差异。

替代实施例中，步骤210之前还包括：在形成第二电极层之前还包括对第一电极层进行刻蚀处理、清洗处理的一种或多种。本替代实施例的技术方案可以通过刻蚀平坦化第一电极层的表面，以提高制备第二电极层的良率；本替代实施例的技术方案可以清洗处理以清除第一电极层表面的油污或灰尘。

替代实施例中，步骤210之后还包括：对制备了第二电极的tft基板进行热处理，以进一步降低接触电极层与tft基板的接触电阻，提高接触电极层与tft基板的结合力。

参见图5，通过上述步骤形成的用于显示器的电路基板，包括：tft基板1；形成在tft基板1上的接触电极层，所述接触电极层2用于键合led芯片的正/负电极，所述正/负电极的材料包括au。所述接触电极层2包括：第一电极层21，所述第一电极层21的材料为ni；形成在第一电极层21上的第二电极层22，所述第二电极层22的材料包括ni和/或au。

本实施例的技术方案，通过将接触电极层的材料设置为多层结构，ni和au与led芯片的电极之间建合力较强，且ni和au的延展性好，作为电极材料不易损伤，解决了micro-led芯片与tft基板键合过程中易从tft基板上脱落、tft基板易损伤、micro-led芯片与tft基板之间接触电阻大的问题，达到了提高micro-led芯片与tft基板牢固度、降低tft基板损伤、降低micro-led芯片工作功耗的效果。

替代实施例中，参见图7，步骤210之后还包括：

步骤220、在所述第二电极层上以第三条件形成第三厚度的第三电极层，所述第三电极层的材料包括ti、和/或ni、和/或au。

本步骤中，第二条件包括：制备时的基底温度、制备时的气氛、制备时使用的方法、制备时的保护气体等，具体的，制备时使用的方法包括蒸镀法、溅射法。当第二电极层的材料与第三电极层的材料相同时，第二条件与第三条件不同和/或第二厚度与第三厚度不同，优选的，当第二条件与第三条件不同时，第二电极层与第三电极层制备时的基底温度不相同，第二电极层与第三电极层制备时的基底温度至少相差50℃。当制备时的基底温度不同时，同一种材料会形成不同的晶体结构，导电性会产生差异。

替代实施例中，步骤220之前还包括：在形成第三电极层之前还包括对第二电极层进行刻蚀处理、清洗处理的一种或多种。本替代实施例的技术方案可以通过刻蚀平坦化第二电极层的表面，以提高制备第三电极层的良率；本替代实施例的技术方案可以清洗处理以清除第二电极层表面的油污或灰尘。

替代实施例中，步骤220之后还包括：对制备了第三电极的tft基板进行热处理，以进一步降低接触电极层与tft基板的接触电阻，提高接触电极层与tft基板的结合力。

参见图8，通过上述步骤形成的用于显示器的电路基板，包括：tft基板1；形成在tft基板1上的接触电极层，所述接触电极层2用于键合led芯片的正/负电极，所述正/负电极的材料包括au。所述接触电极层2包括：第一电极层21，所述第一电极层21的材料为ni；形成在第一电极层21上的第二电极层22，所述第二电极层22的材料包括ni和/或au；形成在第二电极层22上的第三电极层23，所述第三电极层23的材料包括ti、和/或ni、和/或au。

本实施例的技术方案，通过将接触电极层的材料设置为多层结构，ti、ni和au与led芯片的电极之间建合力较强，且ti、ni和au的延展性好，作为电极材料不易损伤，解决了micro-led芯片与tft基板键合过程中易从tft基板上脱落、tft基板易损伤、micro-led芯片与tft基板之间接触电阻大的问题，达到了提高micro-led芯片与tft基板牢固度、降低tft基板损伤、降低micro-led芯片工作功耗的效果。

替代实施例中，参见图9，步骤220之后还包括：

步骤230、在所述第三电极层上以第四条件形成第四厚度的第四电极层，所述第四电极层的材料包括ti、和/或al、和/或ni、和/或au。

本步骤中，第二条件包括：制备时的基底温度、制备时的气氛、制备时使用的方法、制备时的保护气体等，具体的，制备时使用的方法包括蒸镀法、溅射法。当第三电极层的材料与第四电极层的材料相同时，第三条件与第四条件不同和/或第三厚度与第四厚度不同，优选的，当第三条件与第四条件不同时，第三电极层与第四电极层制备时的基底温度不相同，第三电极层与第四电极层制备时的基底温度至少相差50℃。当制备时的基底温度不同时，同一种材料会形成不同的晶体结构，导电性会产生差异。

替代实施例中，步骤220之前还包括：在形成第四电极层之前还包括对第三电极层进行刻蚀处理、清洗处理的一种或多种。本替代实施例的技术方案可以通过刻蚀平坦化第三电极层的表面，以提高制备第四电极层的良率；本替代实施例的技术方案可以清洗处理以清除第三电极层表面的油污或灰尘。

替代实施例中，步骤220之后还包括：对制备了第四电极的tft基板进行热处理，以进一步降低接触电极层与tft基板的接触电阻，提高接触电极层与tft基板的结合力。

参见图10，通过上述步骤形成的用于显示器的电路基板，包括：tft基板1；形成在tft基板1上的接触电极层2，所述接触电极层2用于键合led芯片的正/负电极，所述正/负电极的材料包括au。所述接触电极层2包括：第一电极层21，所述第一电极层21的材料为ni；成在第一电极层21上的第二电极层22，所述第二电极层22的材料包括ni和/或au；形成在第二电极层22上的第三电极层23，所述第三电极层23的材料包括ti、和/或ni、和/或au；形成在第三电极层23上的第四电极层24，所述第四电极层24的材料包括ti、和/或al、和/或ni、和/或au。

本实施例的技术方案，通过将接触电极层的材料设置为多层结构，al、ti、ni和au与led芯片的电极之间建合力较强，且al、ti、ni和au的延展性好，作为电极材料不易损伤，解决了micro-led芯片与tft基板键合过程中易从tft基板上脱落、tft基板易损伤、micro-led芯片与tft基板之间接触电阻大的问题，达到了提高micro-led芯片与tft基板牢固度、降低tft基板损伤、降低micro-led芯片工作功耗的效果。

实施例三

本实施例三提供一种显示器，包括上述实施例所述的任一用于显示器的电路基板。

具体的，显示器包括：结构框架，用于搭载显示单元板或模组等各种电路板以及开关电源；显示单元，由led芯片及驱动电路构成和用于显示器的电路基板组成，其中，led芯片的正/负电极材料为au，用于显示器的电路基板包括上述实施例中任一种用于显示器的电路基板；驱动电路，用于接受来自控制系统的数字信号，使每个led芯片按要求点亮；开关电源，用于为显示器中的电路提供电源。

本实施例的技术方案，通过采用上述实施例所述的任一用于显示器的电路基板，解决了led显示器功耗高的问题，达到了降低led显示器的总功耗的作用。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。