显示面板和显示装置的制作方法

本实用新型实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术：

随着显示技术的发展，全面屏已成为一大发展趋势。

屏下摄像头技术是实现全面屏的一种实现方式，屏下摄像头技术要求设置摄像头的区域既要具有显示功能，又要具备摄像功能。

但是现有显示面板无法实现较高的光透过率，成为实现全面屏的一大障碍。

技术实现要素：

本实用新型提供一种显示面板和显示装置，以实现提高摄像头区域的光透过率，进而实现全面屏显示。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括第一显示区，第一显示区内包括第一基板以及位于第一基板一侧的多个第一发光器件，第一发光器件包括自第一基板一侧依次层叠设置的第一电极、第一发光层和第二电极，第二电极的厚度为10-90埃。

可选的，显示面板还包括透明辅助电极，透明辅助电极设置于第二电极远离第一基板的一侧；

可选的，透明辅助电极的材料包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一种。

可选的，透明辅助电极的厚度为10-1000埃。

可选的，在第一显示区内，还包括第一基板和第一发光器件之间的像素电路，像素电路与第一发光器件的第一电极电连接，且第一电极在第一基板上的正交投影覆盖像素电路在第一基板上的正交投影。

可选的，第二电极包括第一子电极以及连接相邻第一子电极的第二子电极，第一子电极和第二子电极围成多个镂空结构，第一子电极在第一基板上的正交投影与第一发光层在第一基板上的正交投影交叠。

可选的，在垂直于相邻第一子电极连线的方向上，第二子电极的尺寸小于第二子电极连接的第一子电极的尺寸。

可选的，第一电极为块状电极，第二电极为面状电极。

可选的，在第一显示区内，还包括第一基板和第一发光器件之间的像素电路，像素电路与第一发光器件的第一电极电连接，且第二电极在第一基板上的正交投影覆盖像素电路在第一基板上的正交投影。

可选的，显示面板还包括第二显示区，第二显示区包括第二基板和设置于第二基板一侧的第二发光器件，第二发光器件包括第三电极、第四电极以及第三电极和第四电极之间的第二发光层；

可选的，第三电极为块状结构，第四电极为面电极；且第三电极包括与所第三子电极以及连接相邻第三子电极的第四子电极，第三子电极在第一基板上的正交投影与第二发光层在第一基板上的正交投影重合，第四子电极的尺寸小于第三子电极的尺寸，第三子电极和第四子电极围成多个镂空结构；

可选的，第二显示区完全或部分围绕第一显示区；

可选的，第一显示区和第二显示区的部分膜层位于同一层，其中，第一显示区和第二显示区的部分膜层位于同一层满足以下至少一种情况：第一电极和第三电极位于同一层，第一发光层和第二发光层位于同一层，第二电极和第四电极位于同一层；

可选的，第一显示区为透明显示区；

可选的，显示面板还包括至少位于第二显示区的偏光片，偏光片位于第四电极远离第二基板的一侧；

可选的，第二电极和第四电极厚度相同。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括：

设备本体，具有器件区；

以及第一方面提供的显示面板，显示面板覆盖在设备本体上；

其中，器件区位于显示面板的第一显示区下方，且器件区中设置有透过第一显示区发射或者采集光线的感光器件。

本实用新型实施例提供一种显示面板和显示装置，其中显示面板包括第一显示区，第一显示区内第一基板以及位于第一基板一侧的多个第一发光器件，第一发光器件包括自第一基板一侧依次层叠设置的第一电极、第一发光层和第二电极，第二电极的厚度为10-90埃，可以使得第二电极的厚度相对较薄，进而使得第二电极的光透过率较高，进而有利于提高第一显示区的整体光透过率，则将屏下摄像头设置于第一显示区时，保证摄像头可以接收到足够的外界光线，进而保证良好的摄像效果；并且，因第一显示区内设置有第一发光器件，也保证了第一显示区的显示功能。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种显示面板的俯视图；

图2是本实用新型实施例提供的一种显示面板的剖视图；

图3是本实用新型实施例提供的第二电极厚度与透光率关系的曲线图；

图4是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图6是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的俯视图；

图7是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的剖视图；

图8是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的剖视图；

图9是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图10是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的剖视图；

图11是本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

正如背景技术中所述，屏下摄像头技术是实现全面屏的一种实现方式，屏下摄像头技术要求设置摄像头的区域既要具有显示功能，又要具备摄像功能。但是现有显示面板无法实现较高的光透过率，成为实现全面屏的一大障碍。经发明人研究发现，出现上述问题的原因在于，因设置摄像头的区域既要具有显示功能，又要具备摄像功能，因此摄像头区域设置有发光器件用以进行显示。发光器件可以是有机发光器件，有机发光器件通常包括阳极、阴极以及二者之间的发光层，其中，摄像头通常设置于显示屏的下方，具体是设置于阳极远离阴极的一侧，进行摄像时，光线需要穿过阴极到达摄像头以实现摄像功能。现有技术中，阴极通常为连续一整层的半透明的膜层，且具有较厚的厚度，阴极膜层的光透过率大小受到阴极厚度的影响。现有显示面板中，较厚的阴极使得阴极的光透过率较小，进而使得显示面板摄像头所在区域光透过率较小，进而无法满足屏下摄像头对显示面板光透过率的要求，使得屏下摄像头无法正常实现摄像功能，进而成为实现全面屏的一大障碍。

基于上述原因，本实施例提供一种显示面板，图1是本实用新型实施例提供的一种显示面板的俯视图，图2是本实用新型实施例提供的一种显示面板的剖视图，其中，图2可对应图1沿b-b’剖切得到，参考图1和图2，该显示面板包括第一显示区1a，第一显示区1a内第一基板110以及位于第一基板110一侧的多个第一发光器件120，第一发光器件120包括自第一基板110一侧依次层叠设置的第一电极121、第一发光层122和第二电极123，第二电极123的厚度d1为10-90埃。

具体的，第一基板110可以为显示装置提供缓冲、保护或支撑等作用。第一基板110可以是柔性基板，柔性基板的材料可以是聚酰亚胺(pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)等，也可以是上述多种材料的混合材料。第一基板110也可以为采用玻璃等材料形成的硬质基板。

可选的，第一电极121为阳极，第二电极123为阴极。第一电极121即阳极为不透光电极，阳极可以采用三层结构，其中第一层与第三层可为金属氧化物层例如可以是铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铝锌氧化物(azo)，中间的第二层可为金属层(如银或铜)。阴极层可以是镁银合金。可选的，第一电极121也可以为透光电极，其材料可以仅包括透明导电材料，如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铝锌氧化物(azo)。

第一发光层122可以只包括单层膜层，即只包括发光材料层；也可以包括自第一基板110依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层等形成的多层结构。并且，不同第一发光器件120的第一发光层122可以只发出相同颜色的单色光，不同第一发光器件120的第一发光层122还可以发出不同颜色的光，例如不同第一发光器件120的第一发光层122至少包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，进而可实现多种颜色的显示。

继续参考图2，第二电极123的厚度为10-90埃。图3是本实用新型实施例提供的第二电极厚度与光透光率关系的曲线图，其中，图3所示情况对应第二电极123材料为镁和银，其中镁和银的厚度比为1：10时的情况，其中曲线一210、曲线二220和曲线三230分别代表对波长为460nm光线的透过率，对波长为530nm光线的透过率和对波长为620nm的光线的透过率。参考图2和图3，根据图3所示中曲线一210、曲线二220和曲线三230的曲线走势可知，在第二电极123材料相同的情况下，第二电极123的厚度越厚，其对三种波长的光线的透光率都越低。本实施例提供的显示面板，通过设置第二电极123的厚度为10-90埃，可以使得第二电极123的厚度相对较薄，进而使得第二电极123的对光线的透过率较高，则将屏下摄像头设置于第一显示区1a时(例如可以是设置于第一基板110远离第一电极121的一侧)，保证摄像头可以接收到足够的外界光线，进而保证良好的摄像效果；并且，因第一显示区1a内设置有第一发光器件120，也保证了第一显示区1a的显示功能。

可选的，第二电极123的厚度d1为10埃，这样可以使得第二电极123的厚度d1足够薄，进而使得第二电极123的光透过率尽可能大，进而保证摄像效果较好。

可选的，第二电极123的厚度d1为90埃，这样可以使得第二电极123的电阻较小，进而有利于提高显示面板的显示效果。

可选的，第二电极123的厚度d1为10埃至90埃之间的某一厚度，例如第二电极123的厚度d1为50埃，进而可以使得第二电极123既有较高的光透过率，又可以使得第二电极123的电阻较小，保证第一显示区1a的显示效果。

本实用新型实施例提供的显示面板，包括第一显示区，第一显示区内第一基板以及位于第一基板一侧的多个第一发光器件，第一发光器件包括自第一基板一侧依次层叠设置的第一电极、第一发光层和第二电极，第二电极的厚度为10-90埃，可以使得第二电极的厚度相对较薄，进而使得第二电极的光透过率较高，进而有利于提高第一显示区的整体光透过率，则将屏下摄像头设置于第一显示区时，保证摄像头可以接收到足够的外界光线，进而保证良好的摄像效果；并且，因第一显示区内设置有第一发光器件，也保证了第一显示区的显示功能。

图4是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图4，可选的，该显示面板还包括透明辅助电极130，透明辅助电极130设置于第二电极123远离第一基板110的一侧；

可选地，透明辅助电极130的材料包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一种。

其中，透明辅助电极130为光透过率较高的膜层，具体的，透明辅助电极130的对光线的透过率高于第二电极123的对光线的透过率。具体的，在第二电极123远离第一基板110的一侧设置透明辅助电极130，该透明辅助电极130可具有导电性，且与第二电极123接触，进而形成与第二电极123并联的结构，使得第二电极123与透明辅助电极130的等效电阻小于第二电极123自身的电阻，进而使得第二电极123传输信号时的损耗较小，进而保证使得显示画面质量较高。

因铟锡氧化物、铟锌氧化物为现有技术中具有良好光透过性的氧化物，使用铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一种作为透明辅助电极130的材料，可以保证透明辅助电极130的光透过率很高，进而使得在第二电极123远离第一基板110的一侧设置透明辅助电极130后，显示面板第一显示区1a的光透过率几乎不会受到影响，进而在保证较高光透过率的基础上，降低第二电极123传输信号时的损耗，保证良好的显示效果。

继续参考图4，在上述技术方案的基础上，可选的，透明辅助电极130的厚度d2为10-1000埃。

具体的，透明辅助电极130的光透过率也与其自身厚度相关，厚度越厚，透明辅助电极130的光透过率越低。因此透明辅助电极130的厚度d2过厚，将使得第一显示区1a的光透过率受到较为明显的影响；但是若透明辅助电极130的厚度d2过薄，会导致透明辅助电极130与第二电极123的等效电阻相对于第二电极123自身电阻降低的较少，进而对于显示效果的提升不明显。本实施例中，将透明辅助电极130的厚度d2设置为10-1000埃，可以使得在保证第一显示区1a光透过率较高的基础上，使得透明辅助电极130和第二电极123的等效电阻较小，进而保证良好的显示效果。

可选的，透明辅助电极130的厚度d2为10埃，使得透明辅助电极130具有相对较小的厚度，可以保证透明辅助电极130良好的光透过率，使得设置透明辅助电极130后，显示面板第一显示区1a的光透过率几乎不会受到影响，进而将第一显示区1a作为显示面板既具有显示功能，又具有摄像功能的摄像头区域时，使得摄像头可以接收到足够的外界光线，进而保证良好的摄像效果。

可选的，透明辅助电极130的厚度d2为1000埃，使得透明辅助电极130具有相对较大的厚度，可以保证透明辅助电极130与第二电极123的等效电阻较小，进而使得第二电极123传输信号时损耗较小，保证良好的显示效果。

可选的，透明辅助电极130的厚度d2可以是10-1000埃之间的某一厚度，例如，透明辅助电极130的厚度d2为500埃，进而可以使得透明辅助电极130兼具较好的光透过率以及较小的电阻，则第二电极123与透明辅助电极130的等效电阻也较小，进而使得第一显示区1a内设置摄像头时，摄像头可以接收到较多的外界光线，保证较好的摄像效果，同时保证显示面板的第一显示区1a具有良好的显示效果。

图5是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图5，可选的，在第一显示区1a内，还包括第一基板110和第一发光器件120之间的像素电路140，像素电路140与第一发光器件120的第一电极121电连接，且第一电极121在第一基板110上的正交投影覆盖像素电路140在第一基板110上的正交投影。

其中，本实施例的像素电路140可以包括至少两个薄膜晶体管和至少一个电容。参考图5，具体的，像素电路140用以驱动第一发光器件120发光，像素电路140与发光器件的第一电极121电连接，进而为第一电极121提供电信号。第一电极121为不透光电极时，第一显示区1a内对应第一电极121的位置的透过率几乎为0，第一电极121为透光电极时，因第一发光器件120所在区域膜层较多，因此第一发光器件120所在区域的光透过率也较小。因像素电路140中包括薄膜晶体管和电容，所以像素电路140包括金属膜层，因此对应于像素电路140的区域光透过率也很低。本实施例中，设置第一电极121在第一基板110上的正交投影覆盖像素电路140在第一基板110的正交投影，可以使得在显示面板厚度方向上，光透过率很低的像素电路140区域和与光透过率较低的第一发光器件120区域对应的第一电极121区域重合，进而减小第一显示区1a内不透光区域(设置有第一电极121的区域或设置有像素电路140的区域)的面积，使得未设置有第一电极121和像素电路140的区域可以透过更多的光线。

图6是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的俯视图，图7是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的剖视图，其中，图7可对应图6沿c-c’剖切得到。参考图6，可选的，第二电极123包括第一子电极1231以及连接相邻第一子电极1231的第二子电极1232，第一子电极1231和第二子电极1232围成多个镂空结构1233，第一子电极1231在第一基板110上的正交投影与第一发光层122在第一基板110上的正交投影交叠。

具体的，第一显示区1a可以包括像素区和非像素区，其中，像素区即设置第一发光器件120的区域，非像素区即未设置第一发光器件120的区域。第一子电极1231在第一基板110上的正交投影与第一发光层122在第一基板110上的正交投影交叠的情况可选为第一子电极1231在基板上的正交投影与第一发光层122在第一基板110上的正交投影完全重合，或者第一子电极1231在基板上的正交投影覆盖第一发光层122在第一基板110上的正交投影，或者第一子电极1231在基板上的正交投影与第一发光层122在第一基板110上的正交投影部分重叠。

并且，第一子电极1231和第二子电极1232围成多个镂空结构1233，可选的，第一子电极1231位于像素区，第二子电极1232和镂空结构1233可以对应非像素区。通过设置第一子电极1231和第二子电极1232围成多个镂空结构1233，可以使得对应镂空结构1233处，不存在第二电极123，进而提高对应于镂空结构1233处的光线透过率。

形成第一子电极1231和第二子电极1232时，可以首先形成整层的第二电极123，然后采用激光刻蚀的工艺将非像素区对应的第二电极123刻蚀掉，进而形成第一子电极1231和连接第一子电极1231的第二子电极1232。参考图7，在进行激光刻蚀时，可选的，将非像素区出第一基板110外的其他膜层结构全部刻蚀掉，进而进一步提高第一显示区1a的透光率。

需要说明的是，图7所示结构中，第二电极123与第一基板110之间可以包括有机层和无机层等，本实用新型实施例在此不做具体限定。

继续参考图6，可选的，在垂直于相邻第一子电极1231连线的方向上，第二子电极1232的尺寸d4小于第二子电极1232连接的第一子电极1231的尺寸d3。

其中，第二子电极1232的形状可以是多种，例如可以是图6所示的圆形，也可以是矩形、菱形等。其中，在垂直于相邻第一子电极1231连线的方向上第二子电极1232的尺寸d4可以是在垂直于相邻第一子电极1231连线的方向上，第二子电极1232的最大尺寸；在垂直于相邻第一子电极1231连线的方向上第一子电极1231的尺寸d3可以是在垂直于相邻第一子电极1231连线的方向上第一子电极1231的最大尺寸。本实施提供的显示面板，通过设置在垂直于相邻第一子电极1231连线的方向上，第二子电极1232的尺寸d4小于第二子电极1232连接的第一子电极1231的尺寸d3，可以使得第一子电极1231和第二子电极1232围成的镂空结构1233面积较大，进而可以使得第一显示区1a内光透过率较高的区域面积较大，进而使得将摄像头设置于第一基板110下方(第一基板110远离第一发光器件120的一侧)时，摄像头可以接收到更多光线，进一步提高摄像的效果。

可选的，第一电极121为块状电极，第二电极123为面状电极。

具体的，第一电极121为块状电极，第二电极123为面状电极时，第一发光器件120为主动矩阵有机发光器件，可以使得第一显示区1a的显示效果良好，响应速度较快。

可选的，第一电极121和第二电极123都为条状电极，此时形成的第一发光器件120为被动矩阵有机发光器件，被动矩阵有机发光器件对应的像素电路140结构较为简单，可以使得第一显示区1a内像素电路140占用的面积较小，进而更加有利于提高第一显示区1a的光透过率。

图8是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的剖视图，图8所示剖视图可对应沿图6中d-d’剖切得到，参考图8，可选的，在第一显示区1a内，还包括第一基板110和第一发光器件120之间的像素电路140，像素电路140与第一发光器件120的第一电极121电连接，且第二电极123在第一基板110上的正交投影覆盖像素电路140在第一基板110上的正交投影，即第一子电极1231和第二子电极1232围成的镂空结构1233内，不设置有像素电路140，进而减小第一显示区1a内不透光区域的面积，进而使得第一显示区1a内，对应于镂空结构1233的部分对光线的透过率进一步较高。

图9是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图10是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的剖视图，参考图9和图10，该显示面板1还包括第二显示区1b，其中，图10可对应图9所示显示面板1中部分第二显示区1b的剖视图，第二显示区1b包括第二基板310和设置于第二基板310一侧的第二发光器件320，第二发光器件320包括第三电极321、第四电极323以及第三电极321和第四电极323之间的第二发光层322；

可选的，第三电极321为块状结构，第四电极323为面电极；且第三电极321包括与所第三子电极以及连接相邻第三子电极的第四子电极，第三子电极在第一基板110上的正交投影与第二发光层322在第一基板110上的正交投影重合，第四子电极的尺寸小于第三子电极的尺寸，第三子电极和第四子电极围成多个镂空结构1233(该结构与图6所示第一显示区1a的结构相同，在此不再示出)；

可选的，第二显示区1b完全或部分围绕第一显示区1a；

参考图2和图9和图10，可选的，第一显示区1a和第二显示区1b的部分膜层位于同一层，其中，第一显示区1a和第二显示区1b的部分膜层位于同一层满足以下至少一种情况：第一电极121和第三电极321位于同一层，第一发光层122和第二发光层322位于同一层，第二电极123和第四电极323位于同一层；

可选的，第一显示区1a为透明显示区；

可选的，显示面板1还包括至少位于第二显示区1b的偏光片(图中未示出)，偏光片位于第四电极323远离第二基板310的一侧；

可选的，第二电极123和第四电极323厚度相同，进而使得整个显示面板1对光线的透过率较高，并且因第二电极123和第四电极323的厚度相同，进而使得进行微腔效应调节以及新发光材料开发实验时，第一显示区1a和第二显示区1b内可以共同调节和实验，进而使得实验步骤更加简化。

其中，第二基板310可以是柔性基板，也可以是硬质基板，并且可以透光基板，也可为非透光基板。并且可选的，第二基板310和第二基板310可为一体结构，也可以是不同的基板结构，在形成整个显示面板结构时，再进行拼接。第三电极321可以是阳极和阴极二者中的一个，第四电极323为二者中的另一个。并且，可选的，第三电极321与第一显示区1a的第一电极121同为阳极或阴极，第四电极323和第一显示区1a的第二电极123同为阴极或阳极。可选的，第三电极321为阳极，第四电极323为阴极，第二发光层322为有机发光层。并且，不同第二发光器件320的第二发光层322可以只发出相同颜色的光，不同第二发光器件320的第二发光层322还可以发出不同颜色的光，例如不同第二发光器件320的第二发光层322至少包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，进而可实现多种颜色的显示。

第二发光器件320可以为am驱动，也可以为pm驱动。当为am驱动时，第三电极321为块状电极。当为pm驱动时，第三电极321为条状电极，沿行(或列)方向延伸，对应地，第四电极323也为条状电极，沿列(或行)方向延伸，其中，行方向可以是第二发光器件320排布的行方向，列方向可以是第二发光器件320排布的列方向，第三电极321和第四电极323交叉点形成第二发光器件320。

当为am驱动时，第四电极323可以为面电极，以简化第四电极323的图案结构，提高透光率。

另外，在制作显示面板时，第一显示区1a和第二显示区1b中位于同一层的膜层可以同时制作，形成一体结构的显示面板，进而简化工艺步骤，降低制备成本。并且，第一显示区1a和第二显示区1b同时制作时，在制作显示面板的阵列基板时，阵列基板中的平坦化层和无机层等可以同时制作，以使得第一显示区1a和第二显示区1b的整体膜层高度相匹配。第一显示区1a和第二显示区1b的各个膜层也可分开制作，使得第一显示区1a和第二显示区1b可以制作成更加灵活的形状，然后将第一显示区1a和第二显示区1b拼接在一起，例如第一显示区1a可以是图9所示的矩形，还可以是水滴形，圆形，梯形，条形，或者与显示面板显示时状态栏的形状大小相切合，本实用新型在此不做具体限定。本实施例提供的显示面板，可实现全面屏显示。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可为手机、电脑、智能手表、智能手环等设备。图11是本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图，参考图11，该显示装置10包括：

设备本体40，具有器件区41；

以及本实用新型任意实施例提供的显示面板1，显示面板1覆盖在设备本体40上；

其中，器件区41位于显示面板的第一显示区1a下方，且器件区41中设置有透过第一显示区1a发射或者采集光线的感光器件411。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。