一种陶瓷气密封装器件的制作方法

本实用新型涉及管壳封装技术领域，尤其涉及一种陶瓷气密封装器件。

背景技术：

衡量气密封装器件性能的因素有很多，其中散热是越来越重要的因素。现有的芯片封装方式主要包括金属封装和陶瓷封装。金属封装不仅可以通过底面安装面传导散热，还可以通过侧面、地面辐射方式散热，散热效果好。但是，金属封装具有环境耐受性差，电性能不好等缺点。陶瓷封装虽然相对于金属封装具有引脚布设密度高、环境耐受性高、电性能好和成本低等优点，弥补了金属封装时的不足，但是，陶瓷封装仅能通过底面传导散热，散热效果差，提高陶瓷封装的性能是目前需要解决的问题。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供了一种陶瓷气密封装器件，旨在解决目前陶瓷封装器件性能差的问题。

本实用新型实施例提供了一种陶瓷气密封装器件，包括：

陶瓷基板，设有贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的通孔，所述陶瓷基板的通孔内部填充金属，所述通孔内的金属记为金属柱；

至少一个芯片，设置在所述陶瓷基板上，所述芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接；

管帽，设置在所述陶瓷基板上，所述管帽与所述陶瓷基板形成容纳所述芯片的气密结构；

耦合结构，设置在所述管帽的背面，且位于需要耦合的芯片的上方；

散热结构，设置在所述管帽的正面。

在本申请的实施例中，所述散热结构为散热翅片。

在本申请的实施例中，所述耦合结构为平面结构或阶梯结构。

在本申请的实施例中，所述管帽包括：

金属盖板，其中，所述散热结构设置在所述金属盖板的正面；

金属围框，设置在所述盖板的背面，所述金属围框的下表面与所述陶瓷基板的上表面相连，至少一个芯片的底面和所述金属围框通过导热层连接。

在本申请的实施例中，所述导热层包括：正面导体层，设置在所述陶瓷基板的正面，其中，所述正面导体层的第一区域用于安装所述管帽，所述正面导体层的第二区域用于安装所述芯片，所述正面导体层的第三区域用于加厚所述金属柱；所述正面导体层的第四区域用于连接至少一个芯片的底面和所述金属围框；

正面种子层，设置在所述陶瓷基板和所述正面导体层之间，且仅位于所述正面导体层的下方。

在本申请的实施例中，所述陶瓷气密封装器件还包括：

铜导热柱，设在所述陶瓷基板的背面，其中，至少存在预设数量的铜导热柱作为所述陶瓷气密封装器件的输入输出引脚与所述金属柱连接。

在本申请的实施例中，所述陶瓷气密封装器件还包括：

阻焊层，设置在所述陶瓷基板的背面、且位于所述铜导热柱的区域以外的其它区域。

在本申请的实施例中，当芯片为至少两个，且所述芯片之间需要隔离时，所述陶瓷气密封装器件还包括：

隔离墙，需要隔离的多个芯片位于不同的气密空间中，气密空间之间通过所述隔离墙隔离。

在本申请的实施例中，与所述芯片的焊盘连接的金属柱记为导通柱，所述导通柱的外围还设有一圈金属柱形成的信号屏蔽结构。

本实用新型通过在管帽的正面设置散热结构，使陶瓷基板和芯片上的热量既可以向下传递出去，也可以向上传递到散热结构上传递出去，提高了散热性，提高了陶瓷封装器件性能；同时在管帽的背面，芯片的上方设置耦合结构，提高了芯片的耦合性，提高了芯片的性能，进一步的提高了陶瓷封装器件的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的一个实施例提供的陶瓷气密封装器件的结构示意图；

图2为本实用新型的一个实施例提供的封装器件的在陶瓷基板上设置通孔断面结构示意图；

图3为本实用新型的一个实施例提供的在陶瓷基板上设置通孔的俯视结构示意图；

图4为本实用新型的一个实施例提供的沉积正面种子层和背面种子层后的断面结构示意图；

图5为本实用新型的一个实施例提供的制作第二光阻层后的断面结构示意图；

图6为本实用新型的一个实施例提供的制作正面导体层和背面导体层后的断面结构示意图；

图7为本实用新型的一个实施例提供的制作第五光阻层后的断面结构示意图；

图8为本实用新型的一个实施例提供的制作铜导热柱地方减薄第五光阻层后的断面结构示意图；

图9为本实用新型的一个实施例提供的去除第二光阻层和第五光阻层后的断面结构示意图；

图10为本实用新型的一个实施例提供的制作隔离墙后的断面结构示意图；

图11为本实用新型的一个实施例提供的制作隔离墙后的俯视结构示意图；

图12为本实用新型的一个实施例提供的在金属盖板上制作散热结构和金属围框的断面结构示意图一；

图13为本实用新型的一个实施例提供的在金属盖板上制作散热结构和金属围框的断面结构示意图二；

图14为本实用新型的一个实施例提供的在金属盖板上制作耦合结构的断面结构示意图二；

图15为本实用新型的一个实施例提供的在金属盖板上制作耦合结构的断面结构示意图二。

其中：1、陶瓷基板；2、通孔；3、正面种子层；4、第二光阻层；5、金属柱；6、正面导体层；7、背面导体层；8、第五光阻层；9、铜导热柱；10、金属围框；11、芯片；12、金属盖板；13、阻焊层；14、隔离墙；15、散热结构；16、背面种子层；17、耦合结构。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本方案，下面将结合本方案实施例中的附图，对本方案实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本方案一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本方案中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本方案保护的范围。

本方案的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及其他任何变形，是指“包括但不限于”，意图在于覆盖不排他的包含。此外，术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。

以下结合具体附图对本实用新型的实现进行详细地描述：

如图1所示，本实用新型实施例所提供的一种陶瓷气密封装器件，包括：

陶瓷基板1，设有贯穿所述陶瓷基板1的上表面和下表面的通孔2，所述陶瓷基板1的通孔2内部填充金属，所述通孔2内的金属记为金属柱5。

在本实施例中，所述陶瓷基板1为预先烧结好的陶瓷基板1，例如，可以是氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷和石英等。填充在陶瓷基板1的通孔2内的金属可以是铜。通孔内可以采用金属浆料的填充方式，如果通孔内设有正面种子层则需要采用电镀的方式进行金属填充。

所述通孔2的直径的选择可以参照如下约束条件：所述陶瓷基板1的厚度和所述通孔2的直径的比值在3:1到4:1之间，根据实际封装时陶瓷基板1的厚度，所述通孔2的直径可以设置在70-125微米之间。

在本实施例中，在预先烧结好的陶瓷基板1上制备通孔2时，可以采用皮秒冷激光加工钻孔，且加工出的通孔2贯穿所述陶瓷基板1的上表面和下表面。这种方式制备的通孔2的孔壁光滑、垂直度高、所述陶瓷基板1的上表面和下表面的孔径差值小于5％，所述通孔2在后续会注入金属作为信号的传输线，而这种方式制备的通孔2在注入金属后，能够减少传输损耗。

在本实施例中，连接所述芯片11的焊盘的金属柱5记为导通柱，所述导通柱的外围还设有一圈金属柱5形成的信号屏蔽结构。信号屏蔽结构可以是类同轴的信号屏蔽结构。

由于导通柱需要传输信号，因此，需要为所述导通柱设置信号屏蔽结构。本申请中的信号屏蔽结构可以设置为：在制备所述导通柱对应的通孔2时，一并在该通孔2的外围制备一圈通孔2，这圈通孔2内也注入金属形成金属柱5，包围所述导通柱的金属柱5就可以形成信号屏蔽结构。

采用上述方式，无需额外制备信号屏蔽结构，在制备导通柱时一并制作，节省工艺成本。

至少一个芯片11，设置在所述陶瓷基板1上，所述芯片11的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板1上的金属柱5连接。

在本实施例中，需要将芯片11封装在陶瓷气密封装器件的内部，可以通过表贴的方式将芯片11安装在所述陶瓷基板1上金属围框10的内部，还需要将芯片11上通过键合线与所述陶瓷基板1的通孔2内的金属相连。为了便于描述，可以将陶瓷基板1的通孔2内的金属记为金属柱5。

管帽，设置在所述陶瓷基板1上，所述管帽与所述陶瓷基板1形成容纳所述芯片11的气密结构。

在本实施例中，管壳是金属材质或氧化物的，可以是铜或氮化铝材质等，管壳的热导率高，是热量向上传递的传输通道，局部热源的热量可以通过管壳及时传递上去，降低了管壳的整体热阻。

在具体应用中，管帽与陶瓷基板1连接，管帽与陶瓷基板1之间有热通道，陶瓷基板1上的热量能迅速传递到管帽。

耦合结构17，设置在所述管帽的背面，且位于需要耦合的芯片11的上方。

在本实施例中，设置在陶瓷基板1上的芯片11，由于芯片11的高度不同，设置在陶瓷气密封装结构中后芯片11的耦合性也会不同，而芯片11的耦合性直接影响芯片11的性能。为了调节芯片11的耦合性，在芯片11的上方也就是官帽的背面设置耦合结构17，使芯片11的性能更好的发挥。耦合结构17的材质可以是金属材质，例如铜。

在实际应用中，耦合结构17可以是平面结构也可以是阶梯结构。当只有一个芯片11或有多个芯片11，但是芯片11的性能，需要耦合的程度是一样的，所以可以将耦合结构17设置成平面结构。如果芯片11为两个或多个芯片11，且芯片11的性能不同，对空间耦合的高度要求不同，则将耦合结构17设置成阶梯状的，以达到芯片11的耦合要求。

散热结构15，设置在所述管帽的正面。

在本实施例中，散热结构15可以为散热翅片，也可以是光刻出的散热凸点，散热结构15是在做管帽的时候直接做在管帽的正面的。散热结构15为金属材质的，有利于快速的将热量散发出去。

在本实施例中，管帽正面的散热结构15的制备可以通过在管帽正面通过旋涂或覆膜热压的方式制备第一光阻层，然后在第一光阻层上光刻出散热结构15的图形，最后在散热结构15的图形上沉积金属，去除第一光阻层，得到散热结构15。第一光阻层的材料可以选择高粘度光刻胶，也可以选择高解析度的光敏干膜。

本实用新型实施例中，通过在管帽的正面设置散热结构15，使陶瓷基板1和芯片11上的热量既可以向下传递出去，也可以向上传递到散热结构15上传递出去，提高了散热性，提高了陶瓷封装器件性能；同时在管帽的背面，芯片11的上方设置耦合结构17，提高了芯片11的耦合性，提高了芯片11的性能，进一步的提高了陶瓷封装器件的性能。另外，由于射频芯片11的射频线通过所述陶瓷基板1上的金属柱5引出，在保证芯片11气密封装的同时还能够提高气密封装器件的散热，从而提高气密封装器件的可靠性。

如图1所示，在本实用新型的实施例中，所述管帽包括：

金属盖板12，其中，所述散热结构15设置在所述金属盖板12的正面。

在本实施例中，金属盖板12的背面还可以设有金属的下面种子层，金属围框10和耦合结构17分别与下面种子层连接。下面种子层的背面还可以设有金属的下面导体层，所述金属围框10和所述耦合结构17分别设置在下面导体层的背面。金属盖板12的正面还可以设有金属的上面种子层，散热结构15设置在上面种子层上，上面种子层的正面还可以设有金属的上面导体层，散热结构15设置在上面导体层。

金属围框10，设置在所述盖板的背面，所述金属围框10的下表面与所述陶瓷基板1的上表面相连，至少一个芯片11的底面和所述金属围框10通过导热层连接。

在本实施例中，至少一个芯片11的底面和所述金属围框10通过导热层连接，也可以是所有需要散热的芯片11的底面都分别与金属围框10通过导热层连接，方便热量通过导热层传递到金属围框10进而传递到散热结构15散发出去。

在本实施例中，所述金属围框10是用来作为封装外壳的侧壁的，金属围框10的材质可以是铜。金属围框10下对应的陶瓷基板1上设有接地通孔2，接地通孔2内填充金属浆料。所述金属围框10的高度可以为100-1000μm。

在实际应用中，金属围框10也可以制作在陶瓷基板1上，将金属围框10制作在管帽上可以均衡制作的难度，不会将所有制作都集中在陶瓷基板1上。在制作中，管帽和陶瓷基板1是通过金属围框10扣装在一起的，陶瓷基板1的正面设有与金属围框10扣接的拼装结构。

如图1所示，在本实用新型的实施例中，当待封装的芯片11为至少两个，且所述待封装的芯片11之间需要隔离时，所述陶瓷气密封装器件还包括：隔离墙14，需要隔离的多个芯片11位于不同的气密空间中，气密空间之间通过所述隔离墙14隔离。

在本实施例中，隔离墙14设置在陶瓷基板1上，当陶瓷基板1上设有正面种子层3时，隔离墙14设置在正面种子层3上，当陶瓷基板1的正面设有正面种子层3，且正面种子层3上设有正面导体层6时，隔离墙14设置在正面导体层6上。

在本实施例中，采用隔离墙14将芯片11隔开，使芯片11之间互不干扰。隔离墙14的宽度可以在150-200μm之间。所述隔离墙14可以是金属材料制成。

如图1所示，在本实用新型的实施例中，所述导热层包括：

正面导体层6，设置在所述陶瓷基板1的正面，其中，所述正面导体层6的第一区域用于安装所述管帽，所述正面导体层6的第二区域用于安装所述芯片11，所述正面导体层6的第三区域用于加厚所述金属柱5；所述正面导体层6的第四区域用于连接至少一个芯片11的底面和所述金属围框10。

在本实施例中，正面导体层6的厚度可以在45-80μm之间。正面导体层6的材料可以是铜。在金属柱5上电镀密封正面导体层6可以使气密性更好。

正面种子层3，设置在所述陶瓷基板1和所述正面导体层6之间，且仅位于所述正面导体层6的下方。

在本实施例中，正面种子层3还设置在陶瓷基板1的通孔2的内侧壁上，在设有正面种子层3的陶瓷基板1的通孔2内填充金属浆料。正面种子层3的材料可以为ti或铜，厚度均可以为50nm-5000nm，也可以根据具体需要选择其他厚度。

正面导体层设置在陶瓷基板和金属柱上方，陶瓷基板和金属柱之间形成完整的包覆结构，保证了气密性。

如图1所示，在本实用新型的实施例中，所述陶瓷气密封装器件还包括：铜导热柱9，设在所述陶瓷基板1的背面，其中，至少存在预设数量的铜导热柱9作为所述陶瓷气密封装器件的输入输出引脚与所述金属柱5连接。

在本实施例中，陶瓷基板1的背面的铜导热柱9满足的约束条件为：铜导热柱9的高度为200-1000微米，铜导热柱9的精度在±5微米。

本实用新型实施例中，可以有一部分铜导热柱9直接与所述陶瓷基板1相连，与陶瓷基板1相连接的铜导热柱9一方面可以将陶瓷基板1上的热量散出，另一方面能对整体的封装外壳起到支撑作用，使封装外壳与其他结构相连时更稳定。与金属柱5相连的铜导热柱9作为封装i/o引出端，可以作为散热通道，帮助封装器件散热，另一方面还能缓冲封装器件与pcb安装母版热应力，避免装器件与pcb安装母版连接时热失配而开裂。

如图1所示，在本实用新型的实施例中，所述陶瓷基板1的背面设有背面种子层16，铜导热柱9设置在背面种子层16的背面。背面种子层16的材料均可以为ti或铜，厚度均可以为50nm-5000nm，也可以根据具体需要选择其他厚度。

在具体应用中，背面种子层16的背面还可以设有背面导体层7，背面导体层7的第一区域用于设置铜导热柱9，背面导体层7的第二区域用于加厚金属柱5。铜导热柱9设置在背面导体层7的背面。设置在一个区域内的背面导体层7下的铜导热柱9可以是一个也可以是两个或多个。

在本实施例中，背面导体层7的厚度均可以在15-20μm之间。背面导体层7的材料可以是铜。背面导体层设置在陶瓷基板和金属柱下方，陶瓷基板和金属柱之间形成完整的包覆结构，保证了气密性。

如图1所示，在本实用新型的实施例中，所述陶瓷气密封装器件还包括：

阻焊层13，设置在所述陶瓷基板1的背面、且位于所述铜导热柱9的区域以外的其它区域。

如图1至图15是本申请实施例提供的另一种陶瓷气密封装器件的工艺流程中各个步骤对应的封装的结构示意图。

第一、在陶瓷基板1上制备通孔2，其中，所述通孔2贯穿所述陶瓷基板1的上表面和下表面。制备通孔2后的陶瓷基板1的断面图可参见图2，制备通孔2后的陶瓷基板1的俯视图可参照图3。

第二、在所述陶瓷基板1的正面和通孔2的内侧壁沉积金属，形成正面种子层3，在所述陶瓷基板1的上表面预留与金属围框10相连的位置，具体的可参照图4所示。

在本实施例中，在沉积正面种子层3之前要将陶瓷基板1和通孔2内进行清洗处理。在陶瓷基板1的正面沉积正面种子层3采用的是物理气相沉积法或化学气相沉积法等方式。当然，也可以根据需要进行设置正面种子层3的厚度和采用其他方式设置正面种子层3。

在本实施例中，正面种子层3上还可以预留设置芯片11的位置。可以将芯片11设置在预留设置芯片11的位置。

第三、在设有正面种子层3的所述陶瓷基板1的通孔2内注入金属，形成贯穿所述陶瓷基板1的上表面和下表面的金属柱5。

实际应用中在通孔2内注入金属的同时，还可以在正面种子层3上面，制备正面导体层6。具体的参照图5-9所示。

通过电化学沉积法在所述正面种子层3上制备正面导体层6，其中，所述正面导体层6的第一区域用于连接金属围框10，所述正面导体层6的第二区域用于表贴待封装的芯片11，所述正面导体层6的第三区域用于加厚所述导通柱和所述导通柱外围的信号屏蔽结构。

在本申请实施例中，制备正面导体层6和金属柱5的具体方法是：在所述正面种子层3的上表面通过旋涂或覆膜热压的方式将第二光阻层4涂覆在正面种子层3上，然后在第二光阻层4上需要制备正面导体层6的位置经过曝光、显影等标准光刻工艺获得制备正面种子层3和通孔2的正面导体层6，最后在第二光阻层4上的导体层通孔2的位置和沉积有正面种子层3的陶瓷基板1的通孔2内通过电化学沉积法沉积金属，通孔2内的金属要高出通孔2，填充在通孔2内的金属记为金属柱5，最后通过去除第二光阻层4得到正面种子层3上和金属柱5上方的正面导体层6。制备正面导体层6和金属柱5时的金属填充采用的是电镀法，电镀时采用脉冲镀和直流镀组合使用，可以保证通孔2内铜沉积没有空洞条件下还能提升效率。

第二光阻层4的材料可以选择高粘度光刻胶，也可以选择高解析度的光敏干膜，第二光阻层4满足约束条件：厚度大于15微米，线条解析度小于10微米，且第二光阻层4经过曝光后得到的导体层通孔2的内侧壁是陡直的。

在制备所述正面导体层6后，为了得到预设厚度的正面导体层6，同时也为了得到精度更高、表面粗糙度更低的正面导体层6，还可以对所述正面导体层6进行厚度减薄和表面处理。

具体的，在制作时，可以对正面导体层6进行减薄，在研磨处理的过程中，有可能会存在一些划痕，还需要继续对正面导体层6进行抛光处理，以降低正面导体层6的表面粗糙度。为了方便制作金属围框10需要保存第二光阻层4时，也要对第二光阻层4的表面进行研磨和抛光处理，降低表面粗糙度，通过研磨和抛光处理，封装器件在使用时可以减小传输损耗。正面导体层设置在陶瓷基板和金属柱上方，陶瓷基板和金属柱之间形成完整的包覆结构，保证了气密性。

在具体应用中，还可以在陶瓷基板1制作与管帽相连接的拼装结构。

第四，在所述陶瓷基板1的背面预留铜导热柱9的位置制备铜导热柱9，其中，所述预留铜导热柱9的位置包括：所述陶瓷基板1的背面所述金属柱5对应的位置，如图7-9所示。

具体的，在陶瓷基板1的背面涂覆第五光阻层8，在第五光阻层8上刻蚀出铜导热柱9的图形，在铜导热柱9的图形内沉积金属，剥离第五光阻层8，得到铜导热柱9。

具体的，在制作时，可以对铜导热柱9进行减薄，在研磨处理的过程中，有可能会存在一些划痕，还需要继续对铜导热柱9进行抛光处理，以降低铜导热柱9粗糙度。通过研磨和抛光处理后使通导热柱的z相高度控制在±5μm范围内。

第五，在所述陶瓷基板1的背面预留铜导热柱9的位置制备铜导热柱9后，为了提升气密封装器件对环境的耐受性，采用化学镀镍金的方式，在所述陶瓷基板1的背面，且在预留铜导热柱9的位置以外的其它区域上制备阻焊层13，如图11所示。

第六、将所述陶瓷基板1上的所述正面导体层6对应的位置以外的正面种子层3去除。如图11所示。

在本实施例中，将正面种子层3去除的方法可以是化学腐蚀法。若正面种子层3采用的是铜，则用酸性洗刻蚀液去除；如果正面种子层3采用的钛，则用氧化物刻蚀液去除。

当然，实际应用中，若未制作正面导体层6，可以将用于连接金属围框10的区域、用于表贴待封装的芯片11的区域和用于加厚所述导通柱和所述导通柱外围的信号屏蔽结构的区域以外其它区域的正面种子层3去除，参见图10所示。

第七、在所述金属盖板12的背面预留金属围框10的位置制作金属围框10，参照12-13所示。

具体的，还可以是在金属盖板12的背面采用旋涂或覆膜热压的方式制备第三光阻层，在第三光阻层上光刻出金属围框10的图形，在金属围框10的图形内沉积金属，剥离第三光阻层，得到金属围框10。在陶瓷基板1上直接生长金属围框10，金属围框10的高度是可控的，金属围框10的高度与芯片11的频率精确匹配，空间耦合度是可调的，提高芯片11的射频特性。

在本实施例中，在实际制备时，还可以对金属围框10的下表面进行减薄，在研磨处理的过程中，有可能会存在一些划痕，还需要继续对金属围框10的下表面进行抛光处理，以降低表面粗糙度。在本实施例中，可以通过电镀加厚和cmp减薄工艺精确控制金属围框10和内部隔离墙14高度降低气密封装器件的空间耦合度。

第八、在所述金属盖板12的正面制备散热结构15，如图12-13。

在具体应用中，金属盖板12的正面还可以设有上面种子层和上面导体层，所述散热结构15设置在上面导体层上，上面种子层的制作方法与正面种子层3的制作方法相同，上面导体层的制作方法与正面导体层6的制作方法相同。

第九、将待封装的芯片11安装在所述陶瓷基板1上，并将待封装的芯片11的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板1上的金属柱5引出，参照图1所示。

在本申请实施例中，当待封装的芯片11为至少两个，且所述待封装的芯片11之间需要隔离时，所述陶瓷气密封装器件还包括：隔离墙14，需要隔离的多个芯片11位于不同的气密空间中，气密空间之间通过所述隔离墙14隔离。采用隔离墙14将芯片11隔开，使芯片11之间互不干扰。

所述隔离墙14的制备方法为在陶瓷基板1的正面采用旋涂或覆膜热压的方式制备第四光阻层，在第四光阻层上光刻出隔离墙14的图形，在隔离墙14的图形内沉积金属，剥离第四光阻层，得到隔离墙14，如图11-12所示。

在具体应用中，如果芯片11需要耦合，在金属盖板12的背面，且在芯片11上方制备耦合结构17，如图14-15所示。耦合结构17的制备方法与隔离墙14的制备方法相同。

在具体应用中，金属盖板12的背面还可以设有下面种子层，下面种子层的背面还可以设有下面导体层。具体的制作方法与正面种子层3和正面导体层6的制备方法相同。

第十、采用扣接的方式将管帽与陶瓷基板1相连，形成气密封装结构，形成的气密封装结构可参照图1所示。

在实际应用中，还可以进一步验证所述气密封装结构的气密性，进而判断气密封装结构是否合格。

具体的，将气密封装结构放入检漏的容器中，在容器中充氦并加0.5mpa的压力。经过4小时后，将气密封装结构取出，采用检漏液浸泡法进行粗检，若检漏液表面无气泡产生，则合格，反之则不合格。最后，对合格的气密封装结构用氦气质谱仪进行细检，如果检漏仪显示氦气流量低于1*10-9pa.cm3/s，则证明合格，反之则不合格。

以上第一至第十中的步骤可以根据实际需要进行删减或进行重新组合。

需要说明的是，上述实施例中的正面种子层3、正面导体层6均设置在所述陶瓷基板1的上面，实际应用中，陶瓷基板1的背面还可以设置背面种子层16，在背面种子层16下预留的设置铜导热柱9的位置上制备铜导热柱9，具体的步骤与制备正面种子层3的步骤相同。

还可以在背面种子层16下设置背面导体层7，背面导体层7可以通过在背面种子层16下沉积第一下光阻层，然后将第一下光阻层经过光刻、沉积等方式得到背面导体层7，具体的步骤与制备正面导体层6的步骤相同。在背面导体层7下预留的设铜导热柱9的位置上制备铜导热柱9。

以上所述，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。