一种腔体结构的制作方法

本实用新型涉及半导体干法刻蚀设备领域，特别涉及一种腔体结构。

背景技术：

干法刻蚀是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻而开出的隐蔽层窗口，与暴露于等离子体中的硅片进行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的表面材料的一种工艺技术法。该工艺技术的突出优点在于，可以获得极其精确的特征图形。超大规模集成电路的发展，要求细化加工工艺，从而能够严格控制加工尺寸，要求在硅片上完成精确的图形转换，任何偏离工艺要求的图形和尺寸，都可以直接影响产品性能或品质，给生产带来无法弥补的伤害。由于干法刻蚀技术的突出表现，已成为亚微米尺寸下器件刻蚀的最主要工艺方法。

但是在干法刻蚀的工艺制程中，会产生大量副产物，主要是一些微小的聚合物，目前采用的方法是用分子泵抽离。可是单单使用分子泵无法将副产物完全抽离腔体，不少副产物会聚集在腔体内侧表面，长时间存在会对腔体环境造成影响，目前的解决方法是定期使用百洁布打磨腔体内侧，但是由于腔体结构问题，腔体下部分与分子泵连接的通道侧壁由于处在比较深的位置，造成其比较难清理。

因此，有必要提供一种防止副产物粘附在腔体下部分与分子泵连接的通道侧壁上的结构。

技术实现要素：

鉴于上述原因，本实用新型提供一种腔体侧壁挡板，采用该腔体侧壁挡板可以有效防止工艺过程中产生的副产物粘附在腔体下部分与分子泵连接的通道侧壁上。

为实现上述目的和相关其他目的，本实用新型提供一种腔体结构，所述腔体结构包括腔体主体、通道结构、钟摆阀、分子泵和挡板，所述通道结构位于所述腔体主体的下方，所述钟摆阀连接所述通道结构，所述分子泵连接所述钟摆阀，以使所述分子泵通过所述通道结构吸出所述腔体内杂质，其特征在于，所述挡板用于所述通道结构，并贴合所述通道结构的内壁，所述挡板放置在所述钟摆阀上。

优选地，所述通道结构的形状为圆柱形，所述腔体内壁挡板为中空圆柱体。

优选地，所述通道结构的形状为立方形，所述腔体内壁挡板为中空立方体。

优选地，所述中空圆柱体沿第一方向切分成多个部分，以使多个所述部分组合形成所述中空圆柱体，所述第一方向为所述通道结构的延伸方向。

优选地，所述挡板沿第一方向的长度大于所述通道结构沿第一方向的长度，以使所述挡板上端位于所述腔体主体中，所述挡板的下端为放置在所述钟摆阀上的一端，所述上端与所述下端相对应。

优选地，所述挡板的上端沿远离所述通道结构的方向延伸形成一延伸部。

优选地，所述延伸部贴合在所述腔体主体下内壁。

优选地，所述延伸部的高度高于所述腔体主体下内壁，以使所述延伸部与所述腔体主体下内壁之间存在间隙。

优选地，所述挡板内侧包括多个凹槽，所述挡板外侧与所述通道结构接触，所述内侧与所述外侧对应。

优选地，其特征在于，所述挡板表面粗糙度的范围为20rz-30rz。

综上所述，本实用新型提供了一种腔体结构，该腔体结构包括一腔体侧壁挡板，采用该侧壁挡板贴合住腔体下部分与分子泵连接的通道侧壁，使得副产物粘附在该侧壁挡板内壁上，而不是粘附在腔体下部分与分子泵连接的通道侧壁上，由于该通道结构的侧壁处在腔体主体下部比较深的位置，清理起来非常废力，使用该腔体侧壁挡板之后可以直接取出该腔体侧壁挡板进行清理；并且有与分子泵的吸取作用，将会有大量的副产物通过通道结构进入到分子泵中，这样是的位于通道结构的挡板接触到大量的副产物，使得附着在挡板上的副产物增加，使得清理的便利度更加提升。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的腔体结构的示意图。

图2为本实用新型实施例一提供的另一腔体结构的示意图。

图3为本实用新型实施例二提供的腔体结构的示意图。

10—腔体主体，11—通道结构，20—挡板，30—钟摆阀，40—分子泵，21—延伸部，22—凹槽。

具体实施方式

本实用新型的核心思想是在现有技术腔体结构的基础上的通道结构上增加一个保护通道结构外壁的挡板，由于通道结构位于现有技术腔体结构比较深的位置，清理起来非常困难。现有技术采取的清理方式使用百洁布擦拭，由于现有技术腔体结构的通道结构位置，在擦拭时很难够到，又由于分子泵的拆除是一个非常繁琐的过程，现有技术的使用情况下，一般是3年左右拆除清理一次。于是，本实用新型在现有技术腔体结构的基础上增加了一个通道结构的挡板，使得刻蚀过程中产生的副产物附着在该挡板内壁，有效的防止刻蚀过程中产生的副产物污染通道结构，这样在清理过程中，对于通道结构的清理变成了对于挡板的清理，这时候只需要取出该挡板另行清理，再将该挡板放置回去即可。由于取出挡板的过程是非常简便的，这就使得清理通道结构变得非常的方便。为了使得刻蚀过程中产生的副产物更多的附着在挡板上，挡板可以采用粗糙度较高的材质制成。

为使本实用新型的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图1---3对本实用新型提出的腔体结构作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

实施例一

参阅图1，本实施例的腔体结构包括腔体主体10、通道结构11、挡板20、钟摆阀30和分子泵40。通道结构11位于腔体主体10的下端，属于腔体结构的一部分，挡板20贴合在通道结构11的侧壁上，作为对于通道结构11的保护，钟摆阀30固定在通道结构11的下端，挡板20放置在钟摆阀30上，分子泵40固定在钟摆阀30的下端。

具体实施时，在刻蚀过程中将会产生大量的副产物，这些副产物漂浮在腔体主体10内，分子泵40用于吸出漂浮在腔体主体10内的副产物，漂浮在腔体主体10内的副产物会有一些附着在腔体主体10的内壁上和挡板20的内壁上，有些会由于分子泵40的吸力通过通道结构11和钟摆阀30进入到分子泵40中。由于分子泵40的吸取作用，将会有很多的副产物通过通道结构11，使得贴合在通道结构11侧壁的挡板20能够更多的接触到刻蚀过程中产生的副产物，因此使得附着在挡板20上的副产物变得更多，这样清理的简便性又得到进一步的提升。

再者，挡板11采用粗糙度高的材质制成，使得副产物更加容易附着在挡板上。

参阅图2，与上述不同的是，该腔体结构的挡板20包括一延伸部21，由于挡板20在贴合通道结构11侧壁时难免会产生间隙，刻蚀过程中产生的副产物有可能会进入到该间隙中从而附着在通道结构11的侧壁上。为避免上述情况的发生，发明人研究发现，可以在挡板20的上端设置一延伸部21，延伸部21可以贴合在腔体主体10的下内壁上，也可以与腔体主体10的下内壁有间隙，延伸部将会阻止副产物进入到间隙中。

实施例二

与上述实施例不同的是，参阅图3，为为本实用新型实施例二提供的腔体结构的示意图，挡板20内侧包括多个凹槽22。发明人研究发现，为了增加刻蚀过程中产生的副产物在挡板上的附着量，可以通过增加挡板20内侧的表面积的方式。凹槽结构不但能增加挡板20内侧的表面积，而且能够使得刻蚀过程产生的副产物更加容易附着在挡板内侧表面上。再者，本实用新型有一个关键点，就是取出挡板，才能进行定期的清理。发明人研究发现，凹槽结构使得工作人员能够很容易找到挡板上的着力点，从而取出挡板。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”或“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。

上述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不对本实用新型起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的技术方案的范围内，对本实用新型揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本实用新型的技术方案的内容，仍属于本实用新型的保护范围之内。