1.npn型肖特基集电区algan/ganhbt器件，其特征在于，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的n型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括p型gan层，所述发射区包括n型algan层以及位于其上的n型gan帽层；所述n型单晶硅层上设有集电极，所述基区设有基极，所述gan帽层上设有发射极；所述金属硅化物层中的金属硅化物是tisi2、cosi2、mosi2中的其中一种。
2.根据权利要求1所述的npn型肖特基集电区algan/ganhbt器件，其特征在于：
所述p型gan层与所述金属硅化物层之间设有第一本征gan阻挡层，所述p型gan层与所述n型algan层之间设有第二本征gan阻挡层，所述基极设置在所述第二本征gan阻挡层上。
3.根据权利要求2所述的npn型肖特基集电区algan/ganhbt器件，其特征在于：
所述第一本征gan阻挡层和第二本征gan阻挡层的厚度为5～10nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的npn型肖特基集电区algan/ganhbt器件，其特征在于：
所述n型algan层包括n型掺杂alxga1-xn层以及位于其上的n型掺杂alrga1-rn组分渐变层，在所述n型掺杂alrga1-rn组分渐变层中自下而上al的摩尔组分r的大小从x渐变至0。
5.根据权利要求4所述的npn型肖特基集电区algan/ganhbt器件，其特征在于：
所述n型掺杂alxga1-xn层的厚度为100nm；所述n型掺杂alrga1-rn组分渐变层的厚度为150nm。
6.根据权利要求4所述的npn型肖特基集电区algan/ganhbt器件，其特征在于：
所述al的摩尔组分r的大小从x渐变至0中的渐变方式是线性渐变或指数渐变。