一种基片及器件的制作方法

本实用新型涉及旋涂器件领域，尤其涉及一种基片及器件。

背景技术：

现有技术通常采用溶液方法制备旋涂器件，目前旋涂器件的常用结构是在已预制ito的基片上旋涂数道功能层，再通过蒸镀的方式制备金属阴极。由于旋涂器件会在基片整个表面形成致密膜层，因此在蒸镀之前必须经过数道擦边工艺来将基片边缘的膜层擦掉，露出ito边缘便于与外电极形成良好接触，确保测试准确性。

然而，在旋涂过程中，擦边工序易造成以下问题：

1)、增加工序复杂性，器件制备时间延长。以目前的量子点器件制备为例，至少需要经两次擦边，且两次擦边所用溶液也不相同。擦边工序需要繁琐的更换棉签、蘸取溶液，某些功能层较厚时更会增大擦边难度。要确保擦边干净且不能损伤到基片中心的发光区，很耗费人力；

2)、溶液飞溅导致膜层受损。擦边过程需要用棉签蘸取溶液进行擦除，容易造成棉签上溶液飞溅损伤膜层，当某些较厚的功能层擦除时，膜层本身也会形成大颗粒的材料飞溅，对膜层均匀性和稳定性的影响很大；

3)、部分特殊器件结构难以实现擦边。特殊性的器件结构，有时会要求在蒸镀完成后还要旋涂功能层，这时擦边必定会导致蒸镀的金属阴极受损，造成外接电极无法正常接触，测试不准。

由于以上问题目前还不能得到充分有效的解决，使得现有擦边工序还有改进和发展的空间。

技术实现要素：

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种基片及器件，旨在解决现有旋涂器件在进行测试时需要经过数道擦边工艺来将基片边缘的膜层擦掉，而擦边工艺复杂且容易损伤旋涂器件的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种基片，其中，所述基片为阶梯式基片，所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片；

所述阶梯式基片用于设置第一电极，所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二基片用于设置功能层，所述功能层还覆盖所述第一电极，所述功能层上设置有第二电极，所述第二电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。

所述的基片，其中，所述第二基片的侧边与所述第一基片平面的夹角为120-150°。

所述的基片，其中，所述阶梯式基片的高度为1-2mm。

所述的基片，其中，所述第二基片的高度为500-1000um。

所述的基片，其中，所述第一基片和所述第二基片均为矩形，所述第二基片位于所述第一基片的中心位置，所述第二基片的四个侧边均与所述第一基片形成阶梯落差。

所述的基片，其中，所述第一基片与所述第二基片一体成型。

一种器件，其中，包括阶梯式基片，所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片，设置在所述阶梯式基片上的第一电极，所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片，设置在所述第二基片上且覆盖所述第一电极的功能层，设置在所述功能层上且横跨所述第一基片和第二基片的第二电极，所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。

所述的器件，其中，所述器件为量子点发光二极管，所述功能层包括量子点发光层。

所述的器件，其中，所述器件为有机发光二极管，所述功能层包括有机发光层。

所述的器件，其中，所述功能层还包括电子功能层和/或空穴功能层。

有益效果：本实用新型提供了一种器件，通过设计一种由第一基片和第二基片构成的阶梯式基片，在旋涂功能层时溶液可在第二基片边缘飞出，阶梯下方的第一基片上则无溶液形成膜层，该设计免去了擦边工序，简化了器件制备工艺，提升了制备效率；同时，由于免去了擦边工艺，避免了擦边过程中造成的溶液飞溅以及膜层材料大颗粒飞溅，提高了膜层均匀性和稳定性，对于提升器件制备效率及器件稳定性起到了关键作用。

附图说明

图1为本实用新型一种器件较佳实施例的结构示意图。

图2为本实用新型一种阶梯式基片较佳实施例的剖面结构示意图。

图3为本实用新型在阶梯式基片上制备第一电极后的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型提供一种基片及器件，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在一些实施方式中，提供一种基片，如图1和图2所示，所述基片为阶梯式基片，所述阶梯式基片10包括第一基片11以及堆叠在所述第一基片11上且与所述第一基片11形成阶梯落差的第二基片12；所述阶梯式基片11用于设置第一电极20，所述第一电极20横跨所述第一基片11和第二基片12，所述第二基片12用于设置功能层30，所述功能层30还覆盖所述第一电极20，所述功能层30上设置有第二电极40，所述第二电极40横跨所述第一基片11和第二基片12，所述第二电极40位于所述第一基片11的部分与所述第一电极20位于所述第一基片11的部分错开。

本实施例，通过显影刻蚀的方式在所述阶梯式基片10上预设第一电极20，如图3所示，所述第一电极20横跨所述第一基片11和第二基片12且不发生断层，接着在所述第二基片12的第一电极20上旋涂溶液形成功能层，由于旋涂的转速通常为2000-5000rpm，根据自由落体速度计算公式v0＝gt，以及线速度计算公式v1＝2πnr，对比可知：在2000-5000rpm的转速条件下，v1远大于v0，在该转速下溶液将在阶梯式基片的边缘飞出，此时位于阶梯下方第一基片上的第一电极上无溶液形成膜层。最后在所述阶梯式基片表面蒸镀第二电极，所述第二电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二基片上第一电极和第二电极交叠的区域即为工作区，所述第一基片上的第二电极与所述第一基片上的第一电极间隔设置。

本实施例中，由于第一基片的第一电极上则无溶液形成膜层，该阶梯式基片设计免去了擦边工序，简化了器件制备工艺，提升了制备效率；同时，由于免去了擦边工艺，避免了擦边过程中造成的溶液飞溅以及膜层材料大颗粒飞溅，提高了膜层均匀性和稳定性，对于提升器件制备效率及器件稳定性起到了关键作用。

在一些实施方式中，提供一种器件，如图1所示，其包括阶梯式基片10，所述阶梯式基片10包括第一基片11以及堆叠在所述第一基片11上且与所述第一基片11形成阶梯落差的第二基片12，设置在所述阶梯式基片10上的第一电极20，所述第一电极20横跨所述第一基片11和第二基片12，设置在所述第二基片12上且覆盖所述第一电极20的功能层30，设置在所述功能层30上且横跨所述第一基片11和第二基片12的第二电极40，所述第二电极40位于所述第一基片11的部分与所述第一电极20位于所述第一基片11的部分错开。

本实施例通过设计一种由第一基片11和第二基片2构成的阶梯式基片10，在所述第二基片12上旋涂功能层时溶液可在第二基片12边缘飞出，阶梯下方的第一基片11上则无溶液形成膜层，该阶梯式基片10设计免去了擦边工序，简化了器件制备工艺，提升了制备效率；同时，由于免去了擦边工艺，避免了擦边过程中造成的溶液飞溅以及膜层材料大颗粒飞溅，提高了膜层均匀性和稳定性，对于提升器件制备效率及器件稳定性起到了关键作用。

在一些实施方式中，如图2所示，所述第二基片12的侧边与所述第一基片11平面的夹角为120-150°。本实施例中，若所述第二基片的侧边与所述第一基片平面的夹角小于120°，则容易导致第一电极和第二电极在制备过程中发生断层，若所述第二基片的侧边与所述第一基片平面的夹角大于150°，则在所述第二基片旋涂液体形成功能层时，所述液体容易滑落在所述第一基片的第一电极上形成膜层，导致还需增加擦边工艺来去除所述膜层。

在一些实施方式中，如图2所示，所述阶梯式基片10的高度为1-2mm，所述第二基片12的高度为500-1000um。

在一些实施方式中，如图1和图3所示，所述第一基片11和所述第二基片12均为矩形，所述第二基片12位于所述第一基片11的中心位置，所述第二基片12的四个侧边均与所述第一基片11形成阶梯落差。作为举例，所述第一基片为4*4cm的矩形，所述第二基片为2*2cm的矩形，所述第二基片位于所述第一基片的中心位置，此时第二基片的四个侧面均与所述第一基片的表面形成阶梯落差，且所述第二基片的四个侧面分别与所述第一基片的表面形成120-150°的夹角。

在一些具体的实施方式中，所述第一基片与所述第二基片一体成型，所述第一基片和第二基片的材料均为玻璃。

在一些实施方式中，所述器件为量子点发光二极管，所述功能层包括量子点发光层。

在一些实施方式中，所述器件为有机发光二极管，所述功能层包括有机发光层。

在一些实施方式中，所述功能层还包括电子功能层，作为举例，所述电子功能层包括电子传输层和电子注入层。

在一些实施方式中，所述功能层还包括空穴功能层，作为举例，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层。

在一些实施方式中，在由所述第一基片11和所述第二基片12构成的阶梯式基片上可制备多个所述器件。作为举例，如图1和图3所示，所述阶梯式基片上可同时制备4个所述器件。

综上所述，本实用新型提供了一种器件，通过设计一种由第一基片和第二基片构成的阶梯式基片，在旋涂功能层时溶液可在第二基片边缘飞出，阶梯下方的第一基片上则无溶液形成膜层，该设计免去了擦边工序，简化了器件制备工艺，提升了制备效率；同时，由于免去了擦边工艺，避免了擦边过程中造成的溶液飞溅以及膜层材料大颗粒飞溅，提高了膜层均匀性和稳定性，对于提升器件制备效率及器件稳定性起到了关键作用。

应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。